【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二维半导体材料制造，更具体地说，它涉及一种二维半导体材料化学气相沉积装置。
技术介绍
1、习知的ic的各功能层通常使用三维半导体材料制造，如硅、锗或是硅锗，其单晶成长温度相当高(si>1000℃、ge>800℃)，如欲整合至未来的积层型3d-ic中，由于下层功能层已具备金属电极及电路，后续上层的通道材料成长温度必须低于500℃，因此传统使用的晶体管通道材料如硅、锗或是硅锗，其成长温度及热预算将无法满足需求，另外，如果这些三维半导体的厚度微缩达<10nm，其载子迁移率将低于10cm2/vs，无法满足未来m3d-ic功能要求。近来有研究将二维半导体材料整合至m3d-ic中，因为在超薄晶体管通道(<10nm)仍可维持高载子迁移率(>100cm2/vs)，可取代硅、锗或是硅锗，因此二维半导体在m3d-ic应用领域深具潜力。
2、二维半导体材料可透过金属氧化物化学气相沉积的工艺设备来成长薄膜，其通常须使温度加热至800℃以上，若欲得到较佳的晶格结构以及较少缺陷，其加热的温度甚至须要高达950℃，...
【技术保护点】
1.一种二维半导体材料化学气相沉积装置，包括支撑板(1)和基板(3)，其特征在于：所述支撑板(1)顶部固定连接有操作框(2)，所述操作框(2)内部侧面固定连接有两个导气管(201)，所述操作框(2)内部顶端固定连接有两个固定杆(202)，所述固定杆(202)底端固定连接在导气管(201)表面，所述导气管(201)输入端固定连接有进气阀(204)，所述导气管(201)输出端固定连接有出气头(203)，所述操作框(2)内部开设有两个加热槽(2011)，所述加热槽(2011)内部设置有多个加热管(209)，所述加热槽(2011)内部相对两侧分别固定连接有聚热垫(208)和隔...
【技术特征摘要】
1.一种二维半导体材料化学气相沉积装置，包括支撑板(1)和基板(3)，其特征在于：所述支撑板(1)顶部固定连接有操作框(2)，所述操作框(2)内部侧面固定连接有两个导气管(201)，所述操作框(2)内部顶端固定连接有两个固定杆(202)，所述固定杆(202)底端固定连接在导气管(201)表面，所述导气管(201)输入端固定连接有进气阀(204)，所述导气管(201)输出端固定连接有出气头(203)，所述操作框(2)内部开设有两个加热槽(2011)，所述加热槽(2011)内部设置有多个加热管(209)，所述加热槽(2011)内部相对两侧分别固定连接有聚热垫(208)和隔热垫(2010)，所述操作框(2)顶部固定连接有泄压阀(206)和压力泵(205)，所述支撑板(1)顶部开设有调节槽(101)和滑动槽(102)，所述滑动槽(102)内部滑动连接有滑动盒(103)，所述滑动盒(103)内部底端通过轴承转动连接有转动轴(106)，所述滑动盒(103)内部底端固定连接有旋转电机(104)，所述旋转电机(104)输出端固定连接有第一齿轮(105)，所述转动轴(106)表面固定连接有第二齿轮(107)，所述第一齿轮(105)与第二齿轮(107)相互啮合，所述转动轴(106)顶端固定连接有旋转板(108)。
2.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料...
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