【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜沉积，尤其是涉及一种原子层沉积设备。
技术介绍
1、相关技术中，原子层沉积(atomic layer deposition或ald)技术由于具有沉积均匀性好，台阶覆盖率高，沉积厚度精准可控，膜质高，杂质少等优点被广泛应用于电子器件和光学元件制造等领域。一般的，原子层沉积加工过程中包括多种反应物，当其中一种反应物进入反应腔室与衬底发生表面化学反应后，多余反应物和副产物被冲洗干净，之后再使另一种反应物再进入反应腔室在衬底表面进行进一步化学反应，完成一个反应循环。这样循环往复，完成指定厚度的原子层沉积。传统时间型ald技术处理单片或批量基片时由于严格按照ald反应步骤进行，且每个步骤均有时间停留，达到所需膜层厚度耗时久、能耗高、生产速率慢，不利于生产需求以及成本控制。随着时间推移，空间型ald技术正在改变这一现状，更高的成膜速率以及更快的膜厚成型使得生产成本以及效益达到一个更大化。
2、现有的原子层沉积设备利用空间型ald技术沉积薄膜的时候，为了避免第一反应物和第二反应物之间互相影响，会通过气体隔离的方式。具体而...
【技术保护点】
1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，相邻的两个所述反应区域之间设置有多个所述气体隔离部。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述升降机构连接于所述承载台，所述升降机构能够使所述承载台上升或者下降，以使所述承载台靠近或者远离所述第一进气口。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载台包括本体部和凸出部，所述凸出部连接于所述本体部的边缘，并向下凸出于所述本体部，所述盖体包括下盖，所述下盖设置有容纳槽，所述凸出部...
【技术特征摘要】
1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，相邻的两个所述反应区域之间设置有多个所述气体隔离部。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述升降机构连接于所述承载台，所述升降机构能够使所述承载台上升或者下降，以使所述承载台靠近或者远离所述第一进气口。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载台包括本体部和凸出部，所述凸出部连接于所述本体部的边缘，并向下凸出于所述本体部，所述盖体包括下盖，所述下盖设置有容纳槽，所述凸出部滑动设置于所述容纳槽中，所述凸出部用于将所述反应腔分为互相分隔的第一腔和第二腔，所述进气部和所述气体隔离部设置在所述第一腔中，所述升降机构设置在所述第二腔中。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述下盖还设置有与所述容纳槽连通的第四进气口，所述第四进气口用于向所述容纳槽通入所述惰性气体。
6.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市原速光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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