【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，特别涉及一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用。
技术介绍
1、有机发光二极管显示器（organic light-emitting diode display，oled）及液晶显示器（liquid crystal display，lcd）等显示器已被广泛应用于如个人计算机、液晶电视、或手机等多种电子产品中。近年来，人们对显示器的需求量不断增加的同时，也对显示器的影像质量与制造成本提出了更高的要求。
2、液晶显示器与有机发光二极管显示器内的显示面板通常包括薄膜晶体管（thinfilm transistor，tft）矩阵基板。tft矩阵基板上设有多条传递扫描信号的扫描信号配线、或传递栅极配线和像素信号的像素信号线或数据配线，包括与栅极配线和数据配线连接的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极等。形成这样的tft的配线的过程一般包括如下步骤：用于形成金属膜的溅射工序；通过光致抗蚀剂涂布、曝光和显影而形成期望图案的光致抗蚀剂的工序；用于形成配线的蚀刻工序；以及形成配线后去除不需要的光致抗蚀剂的剥离工序。
3、为了蚀刻上述含有铜的配线材料，就需要具有强氧化能力的蚀刻液。于是，现有技术cn202010652548.x中提供了一种金属刻蚀液，其主要采用了过氧化氢、硝酸和氢氟酸等作为刻蚀液的主要原料，声称其制备的刻蚀液能够实现对于各种金属薄膜的刻蚀，具有优异的刻蚀效率，但是由于其采用了氢氟酸、硝酸等强腐蚀和氧化性物质，导致其在超高清产品的刻蚀过程中，无法起到良好的作用，容易大幅度降低产品
4、上述的技术方案看似是解决了强腐蚀性蚀刻液带来的问题，但是也会带来新的挑战。例如，当蚀刻组合物应用于铜和mtd合金（钼钛镍合金）双膜蚀刻时，由于蚀刻组合物的理论寿命增加，在蚀刻过程中铜离子浓度会持续升高，导致在铜和mtd合金双膜界面处的腐蚀加剧，因此会急剧降低蚀刻液的实际使用寿命。并且，在铜离子的浓度升高的情况下，铜离子与过氧化氢反应而形成自由基（radical），所形成的自由基使组合物中所含的有机酸分解，导致蚀刻液组合物中原有的平衡被打破，使蚀刻液的特性发生变化，导致不良率升高。这就导致了蚀刻液的使用寿命低于预期，影响生产效益。由于上述原因，无法将蚀刻组合物广泛应用于高铜离子浓度下的蚀刻。
5、以下，本专利技术为了解决上述以往技术问题，提供蚀刻组合物，该蚀刻组合物能够有效地螯合蚀刻过渡金属配线和/或过渡金属膜时所产生的金属离子，使因增加的金属离子而可能产生的有机物的分解反应最少化，从而完成本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用，解决在铜离子达到高浓度时，有机酸分解影响蚀刻液原有组分的平衡，导致蚀刻液实际使用寿命低于预期寿命的问题，调整蚀刻组合物的组分及含量，使铜/合金双膜表面具有较小的关键尺寸损失（cd-loss）、较适当的锥角（taper angle）、较高的铜负载量以及延长蚀刻组合物实 际的使用寿命。
2、为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一方面，本专利技术提供一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001-2%的烷基胺化合物。
4、在一些实施方式中，所述过氧化氢的质量百分含量为5%-25%，例如， 5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%、20%、21%、22%、23%、24%或25%；进一步地，所述过氧化氢的质量百分含量为14%-21%。当所述过氧化氢的质量百分含量过低时，会导致蚀刻过程中无法彻底清除钼残留；当所述过氧化氢的质量百分含量过高时，会导致蚀刻剧烈，产生过度蚀刻以及cd-loss过大的问题。
5、在一些实施方式中，所述有机酸为不含杂原子的羧酸类化合物，所述有机酸选自乙酸（acetic acid）、甲酸（formic acid）、丁酸（butanic acid）、柠檬酸（citric acid）、甘露聚糖（glycolic acid）、草酸（oxalic acid）、丙二酸（malonic acid）、苹果酸（malicacid）、戊酸（pentanic acid）、丙酸（propionic acid）、酒石酸（tartaric acid）、葡萄糖酸（gluconic acid）、琥珀酸（succnic acid）中的一种或更多种组合。更进一步地，所述有机酸选自草酸、丙二酸、苹果酸中的一种或更多种组合。
6、在一些实施方式中，所述有机酸的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的0.01-3%，例如0.01%、0.02%、0.04%、0.06%、0.08%、0.1%、0.12%、0.14%、0.18%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、1%、2%或3%；进一步地，所述有机酸的质量百分含量为0.2-2%。有机酸可以向体系中提供化学反应必须的氢离子，同时也可以络合金属离子抑制双氧水的分解，延长蚀刻液的使用寿命。
7、在一些实施方式中，所述嘌呤选自腺嘌呤（adenine）、2-氨基嘌呤（2-aminopurineguanine）、7-脱氮腺嘌呤（7-deazaadenine,hypoxanthine）、2，5-双脱氧链霉胺（2,5-dideoxystreptamine）中的一种或更多种组合。更进一步地，所述嘌呤选自腺嘌呤、2-氨基嘌呤、7-脱氮腺嘌呤中的一种或更多种组合。
8、在一些实施方式中，所述嘌呤的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的0.001-0.3%，；例如0.001%、0.002%、0.004%、0.006%、0.008%、0.01%、0.02%、0.04%、0.08%、0.1%、0.2%或0.3%；进一步地，所述嘌呤的质量百分含量为0.01-0.2%。所述嘌呤可以中和反应体系中的氢离子，平衡反应体系的ph值，同时也可以络合金属离子抑制双氧水的分解，延长蚀刻液的使用寿命。
9、在一些实施方式中，所述烷基胺化合物为线性烷基胺，所述线性烷基胺选自丁胺（butyl amine）、戊胺（penta amine）、辛胺（octyl amine）、己胺（hexylamine）、庚胺（heptyl amine）、2-乙基丁胺（2-ethylbutylamine）、己二胺（hexamethylene diamine）、2-乙基己胺（2-ethyl hexyl amine）中的一种或更多种组合。更进一步地，所述线性烷基胺选自乙胺、丁胺、庚胺中的一种或更多种组合。
10、在一些实施方式中，所述烷基胺化合物的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的0.1-0.5%，例如0.1%、0.2%、0.3%、0.4%或0.5%；进一步地，所述烷基胺化合物的质量本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001-2%的烷基胺化合物。
2.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、甘露聚糖、草酸、丙二酸、苹果酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸中的一种或更多种组合。
3.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述嘌呤选自腺嘌呤、2-氨基嘌呤、7-脱氮腺嘌呤、2，5-双脱氧链霉胺中的一种或更多种组合。
4.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述烷基胺化合物为线性烷基胺；所述线性烷基胺选自丁胺、戊胺、辛胺、己胺、庚胺、2-乙基丁胺、己二胺、2-乙基己胺中的一种或更多种组合。
5.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述过氧化氢的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的5%-25%、所述有机酸的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的0.01-3%、所述嘌呤的质量百分含量占蚀刻组合物总质量的0.0
6.根据权利要求1或5所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述嘌呤与有机酸的质量比为1：10-15。
7.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物按照质量百分数包括以下组分：
8.根据权利要求7所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物按照质量百分数包括以下组分：
9.权利要求1-8任意一项所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物的制备方法，其特征在于，包括：将制备原料混合，在20-50℃下搅拌至完全溶解，过滤，即得到所述蚀刻组合物。
10.权利要求1-8任意一项所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物的应用。
...【技术特征摘要】
1.可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001-2%的烷基胺化合物。
2.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、甘露聚糖、草酸、丙二酸、苹果酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸中的一种或更多种组合。
3.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述嘌呤选自腺嘌呤、2-氨基嘌呤、7-脱氮腺嘌呤、2，5-双脱氧链霉胺中的一种或更多种组合。
4.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述烷基胺化合物为线性烷基胺；所述线性烷基胺选自丁胺、戊胺、辛胺、己胺、庚胺、2-乙基丁胺、己二胺、2-乙基己胺中的一种或更多种组合。
5.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述过氧化氢的质量百分含量占蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，谢一泽，赵东，李闯，张红伟，黄海东，胡天齐，
申请(专利权)人：四川和晟达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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