一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用。所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物。通过有机酸、嘌呤和占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物的相互配合，有效解决由双氧水分解导致组合物系统不稳定、螯合效率低下、在铜和MTD合金双膜界面处的腐蚀加剧的问题，使得蚀刻组合物在较高铜离子浓度时依然保持良好的蚀刻特性，延长实际蚀刻寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，特别涉及一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用。

技术介绍

1、有机发光二极管显示器（organic light-emitting diode display，oled）及液晶显示器（liquid crystal display，lcd）等显示器已被广泛应用于如个人计算机、液晶电视、或手机等多种电子产品中。近年来，人们对显示器的需求量不断增加的同时，也对显示器的影像质量与制造成本提出了更高的要求。

2、液晶显示器与有机发光二极管显示器内的显示面板通常包括薄膜晶体管（thinfilm transistor，tft）矩阵基板。tft矩阵基板上设有多条传递扫描信号的扫描信号配线、或传递栅极配线和像素信号的像素信号线或数据配线，包括与栅极配线和数据配线连接的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极等。形成这样的tft的配线的过程一般包括如下步骤：用于形成金属膜的溅射工序；通过光致抗蚀剂涂布、曝光和显影而形成期望图案的光致抗蚀剂的工序；用于形成配线的蚀刻工序；以及形成配线后去除不需要的光致抗蚀剂的剥离工序。

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【技术保护点】

1.可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001-2%的烷基胺化合物。

2.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、甘露聚糖、草酸、丙二酸、苹果酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸中的一种或更多种组合。

3.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述嘌呤选自腺嘌呤、2-氨基嘌呤、7-脱氮腺嘌呤、2，5-双脱氧链霉胺中的一种或更多种组合。

4.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组...

【技术特征摘要】

1.可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤，还含有占过氧化氢质量百分含量0.001-2%的烷基胺化合物。

2.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、甘露聚糖、草酸、丙二酸、苹果酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸中的一种或更多种组合。

3.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述嘌呤选自腺嘌呤、2-氨基嘌呤、7-脱氮腺嘌呤、2，5-双脱氧链霉胺中的一种或更多种组合。

4.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述烷基胺化合物为线性烷基胺；所述线性烷基胺选自丁胺、戊胺、辛胺、己胺、庚胺、2-乙基丁胺、己二胺、2-乙基己胺中的一种或更多种组合。

5.根据权利要求1所述可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物，其特征在于，所述过氧化氢的质量百分含量占蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，谢一泽，赵东，李闯，张红伟，黄海东，胡天齐，
申请(专利权)人：四川和晟达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：