一种金刚石膜生长用的基片台制造技术

本技术涉及一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板和设置在基板上的衬底，所述衬底供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底设置有至少两个，每个衬底独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板上设置有至少两个插设部，每个所述衬底能被择一性地插入所述插设部中。本技术的优点在于：该基片台能同时放置对应不同待加工金刚石膜规格的衬底，方便更换不同规格的衬底，可以在同一个基片台上实现能生长出不同型号的产品。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及金刚石生长，尤其涉及一种金刚石膜生长用的基片台。

技术介绍

1、金刚石膜指由人工合成的金刚石晶体组成的薄膜，在实验室和工业制造中被广泛使用，具有硬度高、耐磨损、导热性好等优点。微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法是一项制备金刚石膜的技术，其原理是使用微波在低分子碳烃气体与氢气的混合气体中激发等离子体，在等离子体的高温环境中，碳原子沉积到放置于基片台的沉积基底上，从而实现金刚石膜的人工生长。

2、mpcvd法将金刚石晶体更充分地暴露在等离子气体中，并且使用微波激发的等离子体来激发反应，从而使反应更加完全，又能够通过精密的工艺参数调整和控制金刚石膜的厚度、成分、形貌以及结构等性质，因此能生成高质量的金刚石膜。

3、mpcvd装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统、冷却系统及等离子体反应室，其中等离子体反应室是mpcvd装置的关键部件，包括微波等离子体反应腔体、水冷台、基片台等组件。在mpcvd装置中，基片台放置于微波等离子体反应腔体内的水冷台上，其设计对反应腔体内的电场和等离子体分布及均匀性有重要影响，对于制备高品质的金刚石起着重要作用。

4、如专利申请号为cn202123132689.8(授权公告号为cn216514120u)的技术专利《一种基于mpcvd法制备金刚石膜的基片台》公开的一种基片台，其钼托的上端面设置有用于放置沉积底片的生长槽，沉积底片放置在钼托上。该基片台只有一个生长槽，只能放置一个对应待加工金刚石膜规格的沉积底片，不能放置对应不同待加工金刚石膜规格的沉积底片，更不能同时放置对应不同待加工金刚石膜规格的沉积底片。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术现状而提供一种能方便更换对应不同待加工金刚石膜规格的衬底的金刚石膜生长用的基片台。

2、本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：该金刚石膜生长用的基片台，包括有基板和设置在基板上的衬底，所述衬底供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底设置有至少两个，每个衬底独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板上设置有至少两个插设部，每个所述衬底能被择一性地插入所述插设部中。

3、为了使衬底能适应金刚石膜的生长形状，优选地，所述衬底的表面设有凸部，所述凸部自其顶点向外缘逐步形成厚度轴上形成至少1mm并且不超过20mm的厚度，所述凸部的直径为5mm～50mm之间。其厚度轴的数值变化能使每个衬底独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，在加工过程中能对规格进行对应性的加工。

4、为了使衬底能插入插设部中，优选地，所述衬底下方设有用于连接衬底的衬底托，所述衬底托能插入所述插设部中。

5、为了加强衬底托支撑衬底的稳定性，所述衬底托为柱状结构，所述衬底托位于衬底的中央。

6、优选地，所述插设部为基板表面向下凹陷形成的凹槽，所述衬底托的上端至少局部外露出所述凹槽。如此，衬底部的生长表面位于凹槽的上方，当金刚石膜生成后方便取出，且便于清理生长过程中产生的杂质。

7、为了方便加工，所述衬底以能拆卸连接的方式设置在所述衬底托上。如此，大小与形状一致的衬底托可批量生产，而衬底的规格也具有多种，可分别加工，然后与衬底托进行组装即可。

8、与现有技术相比，本技术的优点在于：该基片台中每个衬底独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，并择一性地插入插设部中，如此该基片台能同时放置对应不同待加工金刚石膜规格的衬底，方便更换不同规格的衬底，可以在同一个基片台上实现能生长出不同型号的产品。

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【技术保护点】

1.一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板(1)和设置在基板(1)上的衬底(2)，所述衬底(2)供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底(2)设置有至少两个，每个衬底(2)独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板(1)上设置有至少两个插设部(11)，每个所述衬底(2)能被择一性地插入所述插设部(11)中。

2.根据权利要求1所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)的表面设有凸部(21)，所述凸部(21)自其顶点向外缘逐步形成厚度轴上形成至少1mm并且不超过20mm的厚度(D)，所述凸部(21)的直径为5mm～50mm之间。

3.根据权利要求1或2所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)下方设有用于连接衬底(2)的衬底托(3)，所述衬底托(3)能插入所述插设部(11)中。

4.根据权利要求3所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底托(3)为柱状结构，所述衬底托(3)位于衬底(2)的中央。

5.根据权利要求4所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述插设部(11)为基板(1)表面向下凹陷形成的凹槽，所述衬底托(3)的上端至少局部外露出所述凹槽。

6.根据权利要求4或5所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)以能拆卸连接的方式设置在所述衬底托(3)上。

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【技术特征摘要】

1.一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板(1)和设置在基板(1)上的衬底(2)，所述衬底(2)供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底(2)设置有至少两个，每个衬底(2)独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板(1)上设置有至少两个插设部(11)，每个所述衬底(2)能被择一性地插入所述插设部(11)中。

2.根据权利要求1所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)的表面设有凸部(21)，所述凸部(21)自其顶点向外缘逐步形成厚度轴上形成至少1mm并且不超过20mm的厚度(d)，所述凸部(21)的直径为5mm～50mm之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：胡付生，张冠群，刘丽，
申请(专利权)人：宁波晶钻科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：

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