一种金刚石膜生长用的基片台制造技术

本技术涉及一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板和设置在基板上的衬底，所述衬底供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底设置有至少两个，每个衬底独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板上设置有至少两个插设部，每个所述衬底能被择一性地插入所述插设部中。本技术的优点在于：该基片台能同时放置对应不同待加工金刚石膜规格的衬底，方便更换不同规格的衬底，可以在同一个基片台上实现能生长出不同型号的产品。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及金刚石生长，尤其涉及一种金刚石膜生长用的基片台。

技术介绍

1、金刚石膜指由人工合成的金刚石晶体组成的薄膜，在实验室和工业制造中被广泛使用，具有硬度高、耐磨损、导热性好等优点。微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法是一项制备金刚石膜的技术，其原理是使用微波在低分子碳烃气体与氢气的混合气体中激发等离子体，在等离子体的高温环境中，碳原子沉积到放置于基片台的沉积基底上，从而实现金刚石膜的人工生长。

2、mpcvd法将金刚石晶体更充分地暴露在等离子气体中，并且使用微波激发的等离子体来激发反应，从而使反应更加完全，又能够通过精密的工艺参数调整和控制金刚石膜的厚度、成分、形貌以及结构等性质，因此能生成高质量的金刚石膜。

3、mpcvd装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统、冷却系统及等离子体反应室，其中等离子体反应室是mpcvd装置的关键部件，包括微波等离子体反应腔体、水冷台、基片台等组件。在mpcvd装置中，基片台放置于微波等离子体反应腔体内的水冷台上，其设计对反应腔体内的电场和等离子体分布及均匀性有重要影响，对于制备高品质的金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板(1)和设置在基板(1)上的衬底(2)，所述衬底(2)供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底(2)设置有至少两个，每个衬底(2)独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板(1)上设置有至少两个插设部(11)，每个所述衬底(2)能被择一性地插入所述插设部(11)中。

2.根据权利要求1所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)的表面设有凸部(21)，所述凸部(21)自其顶点向外缘逐步形成厚度轴上形成至少1mm并且不超过20mm的厚度(D)，所述凸部(21)的直径为5mm～5...

【技术特征摘要】

1.一种金刚石膜生长用的基片台，包括有基板(1)和设置在基板(1)上的衬底(2)，所述衬底(2)供氢气和一种或多种烃气体的室中暴露于微波辐射以形成金刚石膜，其特征在于：所述衬底(2)设置有至少两个，每个衬底(2)独立地对应于自身待加工的金刚石膜的规格，而所述基板(1)上设置有至少两个插设部(11)，每个所述衬底(2)能被择一性地插入所述插设部(11)中。

2.根据权利要求1所述的金刚石膜生长用的基片台，其特征在于：所述衬底(2)的表面设有凸部(21)，所述凸部(21)自其顶点向外缘逐步形成厚度轴上形成至少1mm并且不超过20mm的厚度(d)，所述凸部(21)的直径为5mm～50mm之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：胡付生，张冠群，刘丽，
申请(专利权)人：宁波晶钻科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：

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