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本发明提供了一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用。所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤,还含有占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物。通过有机酸、嘌呤和占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物的...该专利属于四川和晟达电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川和晟达电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用。所述蚀刻组合物包括过氧化氢、有机酸、嘌呤,还含有占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物。通过有机酸、嘌呤和占过氧化氢质量百分含量0.001‑2%的烷基胺化合物的...