存储装置制造方法及图纸

提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储器；多个非易失性存储器，所述多个非易失性存储器的访问速度比所述存储器的访问速度慢；以及控制器，所述控制器被配置为：在第一模式中，基于所述存储器中存储的第一映射表，控制使用所述多个非易失性存储器的与主机装置的第一数据输入/输出操作；以及在第二模式中，基于所述存储器中存储的第二映射表，控制使用所述存储器的与所述主机装置的第二数据输入/输出操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种存储装置，尤其涉及一种包括非易失性存储器的存储装置以及包括该存储装置的电子装置。

技术介绍

1、近来，包括非易失性存储器的存储装置的容量正在增大。由于用于访问非易失性存储器的映射表的大小随着该容量增大而增大，存储装置的存储映射表的存储器的容量也增大。因为存储装置的存储器是用具有高生产成本的易失性存储器(例如动态随机存取存储器(dram))实现的，所以需要一种用于提高存储装置的存储器的利用率的方法。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了一种存储装置以及包括该存储装置的电子装置，该存储装置用于选择第一模式和第二模式之一并且基于所选择的模式执行数据输入/输出操作，以提高存储装置中所包括的存储器的利用率。

2、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：第一存储器；多个非易失性存储器，所述多个非易失性存储器的访问速度比所述第一存储器的访问速度慢；以及控制器，所述控制器被配置为在第一模式中，基于所述第一存储器中存储的第一映射表，控制使用所述多个非易失性存储器的与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：当从所述第一模式改变为所述第二模式时，控制所述存储装置将所述第一映射表从所述第一存储器移动到所述多个非易失性存储器，并且将所述第二映射表从所述多个非易失性存储器移动到所述第一存储器。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：当从所述第二模式改变为所述第一模式时，控制所述存储装置将与所述第二映射表相关以及与所述第二数据输入/输出操作相关的数据从所述第一存储器移动到所述多个非易失性存储器，...

【技术特征摘要】

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：当从所述第一模式改变为所述第二模式时，控制所述存储装置将所述第一映射表从所述第一存储器移动到所述多个非易失性存储器，并且将所述第二映射表从所述多个非易失性存储器移动到所述第一存储器。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：当从所述第二模式改变为所述第一模式时，控制所述存储装置将与所述第二映射表相关以及与所述第二数据输入/输出操作相关的数据从所述第一存储器移动到所述多个非易失性存储器，并且将所述第一映射表从所述多个非易失性存储器移动到所述第一存储器。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在所述第一模式和所述第二模式下，所述第二映射表存储在所述第一存储器中。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：当从所述第二模式改变为所述第一模式时，控制所述存储装置将与所述第二数据输入/输出操作相关的数据从所述第一存储器移动到所述多个非易失性存储器，并且将所述第一映射表从所述多个非易失性存储器移动到所述第一存储器。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：响应于从所述主机装置接收到模式改变命令以及所述模式状态信息具有所述第二值，将所述第一模式改变为所述第二模式并且将所述模式状态信息从所述第二值更新为所述第三值。

9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制器进一步被配置为：响应于从所述主机装置接收到模式改变命令以及所述模式状态信息具有所述第四值，将所述第二模式改变为所述第一模式并且将所述模式状态信息从所述第四值更新为所述第一值。

10.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大训，金成昱，李炳尧，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：