System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 硒化锌晶体的抛光液和抛光方法技术_技高网

硒化锌晶体的抛光液和抛光方法技术

技术编号:41130864 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 18:00
本发明专利技术涉及硒化锌晶体的抛光技术领域。公开了硒化锌晶体的抛光液和抛光方法。硒化锌晶体的抛光液,其成分包括质量比为4~6:2~4:100的铬酸铵、柠檬酸和纯水,抛光液的pH值为5~7。硒化锌晶体的抛光方法,包括采用上述的抛光液对硒化锌晶体进行抛光。抛光液对硒化锌晶体进行抛光,对研磨后的ZnSe表面及亚表面损伤层具有良好的化学腐蚀作用,可加快损伤层的去除,提高抛光效率,不易造成桔皮现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硒化锌晶体的抛光,具体而言,涉及硒化锌晶体的抛光液和抛光方法


技术介绍

1、znse是一种高透过率低吸收系数的红外光学材料,其对10.6μm波长光的吸收很小,热冲击具有很高的承受能力,是制作高功率co2激光器系统中光学器件的首选材料,广泛用于红外透镜、激光窗口、红外夜像仪等。但znse材料硬度低,加工过程中容易产生划痕和崩边。一般采用最小破坏程度的抛光方法,目前现有加工方法主要存在两个问题:

2、1、抛光效率低,光洁度差,抛不干净,或者造成比较严重的划痕及凹坑;

3、2、采用聚氨酯抛光垫抛光,划痕较少,但无法修改光圈;且抛光过程中由于抛光液堆积在聚氨酯垫上,导致亚表面损伤层较深,产生大量桔皮现象及塌边;

4、3、目前大部分采用氧化铝和双氧水加入naoh配置而成的碱性抛光液抛光,效率较低,划痕数量较多。

5、鉴于此,特提出本申请。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供硒化锌晶体的抛光液和抛光方法。

2、本专利技术是这样实现的:

3、第一方面,本专利技术提供一种硒化锌晶体的抛光液,其成分包括质量比为4~6:2~4:100的铬酸铵、柠檬酸和纯水,抛光液的ph值为5~7。

4、在可选的实施方式中,还包括用于调控抛光液ph值为5~7的柠檬酸钠。

5、第二方面,本专利技术提供一种硒化锌晶体的抛光方法,包括采用如前述实施方式的抛光液对硒化锌晶体进行抛光。

6、在可选的实施方式中,包括:

7、研磨:采用碳化硼磨料对硒化锌晶体材料进行研磨获得研磨料;

8、第一次抛光:将所述研磨料采用规格为w1的白刚玉微粉并滴加所述抛光液在柏油抛光盘上抛光3~5h得到第一次抛光料;

9、第二次抛光:将所述第一次抛光料采用规格为w0.05的氧化铬微粉滴加所述抛光液在柏油抛光盘上抛光6~8h得到第二次抛光料;

10、第三次抛光:将所述第二次抛光料采用只滴加所述抛光液的方式在柏油抛光盘上抛光30~60min。

11、在可选的实施方式中,柏油抛光盘是由型号1#和型号2#的柏油制成。

12、在可选的实施方式中,型号1#和型号2#的柏油的质量比为1~2:1。

13、在可选的实施方式中,第一次抛光过程的滴加速率为6~7滴/秒;

14、第二次抛光过程的滴加速率为6~7滴/秒;

15、第三次抛光过程中所述抛光液的滴加速度为8~9滴/秒。

16、在可选的实施方式中,整个研磨以及抛光过程中移动元件盘的方式为垂直拿取。

17、在可选的实施方式中,硒化锌晶体为易变形板条,研磨之前,采用蜡将所述板条粘到元件盘上,研磨以及第一至第三次抛光过程中平面度控制在1λ以内,抛光后烘烤所述元件盘下盘,使蜡熔化;

18、取下所述板条对其进行清洗后,翻面采用点胶的方式上盘,然后继续以同样的方式对未抛光的一面进行研磨然后抛光。

19、在可选的实施方式中,烘烤温度为80~90℃。

20、本专利技术具有以下有益效果:

21、本申请提供的抛光液对研磨后的znse表面及亚表面损伤层具有良好的化学腐蚀作用,可加快损伤层的去除,提高抛光效率,不易造成桔皮现象。

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【技术保护点】

1.一种硒化锌晶体的抛光液,其特征在于,其成分包括质量比为4~6:2~4:100的铬酸铵、柠檬酸和纯水,所述抛光液的pH值为5~7。

2.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,还包括用于调控所述抛光液pH值为5~7的柠檬酸钠。

3.一种硒化锌晶体的抛光方法,其特征在于,包括采用如权利要求1或2所述的抛光液对硒化锌晶体进行抛光。

4.根据权利要求3所述的抛光方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的抛光方法,其特征在于,所述柏油抛光盘是由型号1#和型号2#的柏油制成。

6.根据权利要求5所述的抛光方法,其特征在于,型号1#和型号2#的柏油的质量比为1~2:1。

7.根据权利要求4所述的抛光方法,其特征在于,第一次抛光过程的滴加速率为6~7滴/秒;

8.根据权利要求4所述的抛光方法,其特征在于,整个研磨以及抛光过程中移动元件盘的方式为垂直拿取。

9.根据权利要求4所述的抛光方法,其特征在于,所述硒化锌晶体为易变形板条,研磨之前,采用蜡将所述板条粘到元件盘上,研磨以及第一至第三次抛光过程中平面度控制在1λ以内,抛光后烘烤所述元件盘下盘,使蜡熔化;

10.根据权利要求9所述的抛光方法,其特征在于,烘烤温度为80~90℃。

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【技术特征摘要】

1.一种硒化锌晶体的抛光液,其特征在于,其成分包括质量比为4~6:2~4:100的铬酸铵、柠檬酸和纯水,所述抛光液的ph值为5~7。

2.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,还包括用于调控所述抛光液ph值为5~7的柠檬酸钠。

3.一种硒化锌晶体的抛光方法,其特征在于,包括采用如权利要求1或2所述的抛光液对硒化锌晶体进行抛光。

4.根据权利要求3所述的抛光方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的抛光方法,其特征在于,所述柏油抛光盘是由型号1#和型号2#的柏油制成。

6.根据权利要求5所述的抛光方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐秋萍陈丽英
申请(专利权)人:成都东骏激光股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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