System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种功率模块的封装结构制造技术_技高网

一种功率模块的封装结构制造技术

技术编号:41128706 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-30 17:57
本发明专利技术公开了一种功率模块的封装结构,该结构包括:基板、功率器件、电流检测模块以及驱动电路模块;功率器件位于基板的一侧;电流检测模块与功率器件设置于基板的同侧,并与功率器件串联连接,电流检测模块用于检测所连接的功率器件的电流值,并通过输出端输出表征流经功率器件电流值的电信号;所述电流检测模块包括电流检测传感器;驱动电路模块与电流检测模块的输出端电连接,用于根据电信号确定功率器件是否存在过流;或者将电流检测模块的输出端连接至外部过流检测电路。本发明专利技术解决了现有电流检测方式所带来的功率模块内部温升快、电流检测范围小以及毛刺电压导致误操作的问题,提高了小电流情况下的高精度控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体,尤其涉及一种功率模块的封装结构


技术介绍

1、功率模块是一种集成了功率器件和驱动电路的模块单元,使用方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,同时大大增强了系统的可靠性,在电力电子领域得到越来越广泛的应用。

2、目前的功率模块主要采用功率电阻进行电流检测,主要存在以下问题:功率电阻发热功耗大,增加了功率模块内部的温度,不利于功率模块的散热;外部毛刺电压容易触发内部电路误操作,提前关闭或者打开电路通路,无法保证快速保护功率模块本身和其他设备;功率电阻电流检测范围小,无法满足小电流情况下的高精度控制。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种功率模块的封装结构,以解决现有电流检测方式所带来的功率模块内部温升快、电流检测范围小以及毛刺电压导致误操作的问题。

2、本专利技术提供了一种功率模块的封装结构,该结构包括:基板、功率器件、电流检测模块以及驱动电路模块;

3、功率器件位于基板的一侧;

4、电流检测模块与功率器件设置于基板的同侧,并与功率器件串联连接,电流检测模块用于检测所连接的功率器件的电流值,并通过输出端输出表征流经功率器件电流值的电信号;

5、驱动电路模块与电流检测模块的输出端电连接,用于根据电信号确定功率器件是否存在过流;或者将电流检测模块的输出端连接至外部过流检测电路。

6、可选的,电流检测传感器包括第一连接端、第二连接端和输出端;电流检测传感器通过第一连接端、第二连接端与功率器件串联连接,电流检测传感器的输出端作为电流检测模块的输出端。

7、可选的,电流检测传感器还包括本体部,第一连接端和第二连接端位于本体部靠近基板的一侧;输出端位于本体部远离基板的一侧;

8、驱动电路模块位于本体部远离基板的一侧。

9、可选的,驱动电路模块设置于印制电路板上,并位于印制电路板远离基板一侧的表面;印制电路板设置有通孔,电流检测传感器的输出端通过通孔连接至驱动电路模块。

10、可选的,基板的表面设置有铜箔,第一连接端、第二连接端分别与铜箔焊接。

11、可选的,第一连接端包括第一引线,第二连接端包括第二引线,输出端包括第三引线,第一引线的宽度大于第三引线的宽度,第二引线的宽度大于第三引线的宽度。

12、可选的,电流检测模块还包括:温度传感器,温度传感器内置于电流传感器中。

13、可选的,电流检测模块与功率器件一一对应串联连接。

14、可选的,功率器件包括igbt芯片和fwd芯片;igbt芯片包括第一端和第二端,fwd芯片连接于第一端与第二端之间。

15、可选的,基板包括直接键合铜基板、直接电镀铜基板以及活性金属钎焊基板中的任一种。

16、本专利技术的技术方案,提供了一种功率模块的封装结构,该封装结构中集成了电流检测模块,电流检测模块包括电流检测传感器,电流检测传感器相对于传统的功率电阻,发热功耗降低,使得功率模块内部升温速度减缓,降低了功率损耗;且提高了抗干扰能力,大大降低了毛刺电压引起的误操作;该电流检测模块可以满足宽电流检测范围,提高了小电流情况下的高精度控制。

17、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率模块的封装结构,其特征在于,包括:基板、功率器件、电流检测模块以及驱动电路模块;

2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测传感器包括第一连接端、第二连接端和输出端;所述电流检测传感器通过所述第一连接端、所述第二连接端与所述功率器件串联连接,所述电流检测传感器的输出端作为所述电流检测模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测传感器还包括本体部,所述第一连接端和所述第二连接端位于所述本体部靠近所述基板的一侧;所述输出端位于所述本体部远离所述基板的一侧;

4.根据权利要求3所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述驱动电路模块设置于印制电路板上,并位于所述印制电路板远离所述基板一侧的表面;所述印制电路板设置有通孔,所述电流检测传感器的输出端通过所述通孔连接至所述驱动电路模块。

5.根据权利要求2所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述基板的表面设置有铜箔,所述第一连接端、所述第二连接端分别与所述铜箔焊接。

6.根据权利要求2所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一连接端包括第一引线,所述第二连接端包括第二引线,所述输出端包括第三引线,所述第一引线的宽度大于所述第三引线的宽度,所述第二引线的宽度大于所述第三引线的宽度。

7.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测模块还包括:温度传感器,所述温度传感器内置于所述电流传感器中。

8.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测模块与所述功率器件一一对应串联连接。

9.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述功率器件包括IGBT芯片和FWD芯片;所述IGBT芯片包括第一端和第二端,所述FWD芯片连接于所述第一端与所述第二端之间。

10.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述基板包括直接键合铜基板、直接电镀铜基板以及活性金属钎焊基板中的任一种。

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【技术特征摘要】

1.一种功率模块的封装结构,其特征在于,包括:基板、功率器件、电流检测模块以及驱动电路模块;

2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测传感器包括第一连接端、第二连接端和输出端;所述电流检测传感器通过所述第一连接端、所述第二连接端与所述功率器件串联连接,所述电流检测传感器的输出端作为所述电流检测模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述电流检测传感器还包括本体部,所述第一连接端和所述第二连接端位于所述本体部靠近所述基板的一侧;所述输出端位于所述本体部远离所述基板的一侧;

4.根据权利要求3所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述驱动电路模块设置于印制电路板上,并位于所述印制电路板远离所述基板一侧的表面;所述印制电路板设置有通孔,所述电流检测传感器的输出端通过所述通孔连接至所述驱动电路模块。

5.根据权利要求2所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述基板的表面设置有铜箔...

【专利技术属性】
技术研发人员:王雄星
申请(专利权)人:上海兴感半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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