System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 封装结构及其制作方法技术_技高网

封装结构及其制作方法技术

技术编号:40062331 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-16 22:53
本发明专利技术提供一种封装结构及其制作方法。所述封装结构包括:引线框架;芯片,位于所述引线框架表面,所述芯片具有相对设置的第一表面及第二表面,所述第一表面为靠近所述引线框架的表面;第一导电层,覆盖所述芯片的第一表面;第二导电层,覆盖所述芯片的第二表面,且所述第一导电层与所述第二导电层均接地,所述第一导电层与所述第二导电层构成电磁屏蔽罩。上述技术方案通过在所述芯片的第一表面及第二表面设置第一导电层及第二导电层组成的电磁屏蔽罩,相对于传统的屏蔽罩包裹性更佳,与芯片的结合更紧密,在有效提升抗电磁干扰效果的同时,还能避免屏蔽罩与封装元件之间存有空隙导致的散热效果不佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装领域,尤其涉及一种封装结构及其制作方法


技术介绍

1、在电子封装领域,为避免外界辐射源影响封装元件的正常工作,或减少封装元件对其他电子元件的干扰,通常会在封装元件上罩设一个屏蔽罩。目前所述屏蔽罩一般采用不锈钢或洋白铜等合金制作而成。

2、然而,所述屏蔽罩包围所述封装元件,且所述屏蔽罩与封装元件之间存有空隙,使得封装元件的散热只能通过封装基板散出,进而导致散热效果不佳。此外,由于未来封装产品向轻薄短小方向发展,产品功能越来越多,尺寸越来越小,元器件工作时相互之间电磁干扰越来越大,对屏蔽罩尺寸及抗干扰效果要求也越来越高,进而增大工艺难度及工艺成本。

3、因此,提供一种降低工艺难度,提升抗干扰效果及散热效果的封装方法,是目前需要解决的问题。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提升封装结构的抗干扰效果及散热效果,提供一种封装结构及其制作方法。

2、为了解决上述问题,本专利技术提供了一种封装结构,包括:引线框架;芯片,位于所述引线框架表面,所述芯片具有相对设置的第一表面及第二表面,所述第一表面为靠近所述引线框架的表面;第一导电层,覆盖所述芯片的第一表面;第二导电层,覆盖所述芯片的第二表面,且所述第一导电层与所述第二导电层均接地,所述第一导电层与所述第二导电层构成电磁屏蔽罩。

3、为了解决上述问题,本专利技术提供了一种封装结构的制作方法,包括如下步骤:提供一引线框架及一芯片,所述芯片具有相对设置的第一表面及第二表面;形成第一导电层及第二导电层,所述芯片的第一表面通过所述第一导电层设置在所述引线框架表面,所述第二导电层覆盖所述芯片的第一表面;将第一导电层及第二导电层接地,所述第一导电层与所述第二导电层构成电磁屏蔽罩。

4、上述技术方案通过在所述芯片的第一表面及第二表面设置第一导电层及第二导电层组成的电磁屏蔽罩,相对于传统的屏蔽罩包裹性更佳,与芯片的结合更紧密,在有效提升抗电磁干扰效果的同时,还能避免屏蔽罩与封装元件之间存有空隙导致的散热效果不佳。

5、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本专利技术。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

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【技术保护点】

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述引线框架包括框架原边及框架副边,所述芯片位于所述框架原边表面,且所述芯片第二表面的接地焊盘通过金属线分别连接至所述框架原边及所述框架副边。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电层包裹所述芯片的第一表面及至少部分侧表面;所述第二导电层部分覆盖所述芯片第二表面,并暴露出所述芯片的焊盘。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电层为导电胶层或者金属层;所述第二导电层为金属层。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括塑封体,设置于所述引线框架及所述芯片表面。

6.一种封装结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的形成第一导电层及第二导电层的步骤进一步包括如下步骤:

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,通过点胶的方式在所述引线框架表面形成第一导电层;通过电镀、溅镀或3D打印在所述芯片的第二表面形成第二导电层。p>

9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的形成第一导电层及第二导电层的步骤进一步包括如下步骤:

10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,通过晶圆制作背金层或背银层形成第一导电层。

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【技术特征摘要】

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述引线框架包括框架原边及框架副边,所述芯片位于所述框架原边表面,且所述芯片第二表面的接地焊盘通过金属线分别连接至所述框架原边及所述框架副边。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电层包裹所述芯片的第一表面及至少部分侧表面;所述第二导电层部分覆盖所述芯片第二表面,并暴露出所述芯片的焊盘。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一导电层为导电胶层或者金属层;所述第二导电层为金属层。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟小军
申请(专利权)人:上海兴感半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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