【技术实现步骤摘要】
迟滞比较电路和电子芯片
[0001]本专利技术实施例涉及电子
,尤其涉及一种迟滞比较电路和电子芯片
。
技术介绍
[0002]迟滞比较器是一种具有迟滞特性的比较器,只要噪声信号的振荡幅度不超过迟滞比较器的迟滞范围,迟滞比较器就不会动作,能够大大提高比较器的抗干扰能力
。
[0003]目前,通常采用外加电阻网络的正反馈来实现比较器的迟滞功能,或者在比较器的输出端加入受输出信号控制的电流来实现迟滞功能
。
但是,现有技术中的迟滞比较器的迟滞电压范围偏差较大,容易出现错误输出的问题
。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供了一种迟滞比较电路和电子芯片,以降低迟滞电压范围偏差
。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供了一种迟滞比较电路,包括:第一电压输入端
、
第二电压输入端和信号输出端;还包括:
[0006]增益放大模块,用于放大第一电压输入端和第二电压输入端接收的输入信号;
[0007]迟滞产生模块,包括第一迟滞产生单元和第二迟滞产生单元,第一迟滞产生单元包括第一阻抗调节子单元和第一开关子单元,第一阻抗调节子单元的第一端接入电源电压,第一阻抗调节子单元的第二端与第一开关子单元的第一端连接,第一开关子单元控制端与增益放大模块的第二输出端连接;第二迟滞产生单元包括第二阻抗调节子单元和第二开关子单元,第二阻抗调节子单元的第一端接入电源电压,第二阻抗调节子单元的第二端与第二开关子单元的第一端连接,第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种迟滞比较电路,其特征在于,包括:第一电压输入端
、
第二电压输入端和信号输出端;还包括:增益放大模块,用于放大所述第一电压输入端和所述第二电压输入端接收的输入信号;迟滞产生模块,包括第一迟滞产生单元和第二迟滞产生单元,所述第一迟滞产生单元包括第一阻抗调节子单元和第一开关子单元,所述第一阻抗调节子单元的第一端接入电源电压,所述第一阻抗调节子单元的第二端与所述第一开关子单元的第一端连接,所述第一开关子单元控制端与所述增益放大模块的第二输出端连接;所述第二迟滞产生单元包括第二阻抗调节子单元和第二开关子单元,所述第二阻抗调节子单元的第一端接入所述电源电压,所述第二阻抗调节子单元的第二端与所述第二开关子单元的第一端连接,所述第二开关子单元控制端与所述增益放大模块的第一输出端连接;信号输出模块,所述第一阻抗调节子单元的控制端与所述信号输出模块的第二反馈端连接,所述第二阻抗调节子单元的控制端与所述信号输出模块的第一反馈端连接,所述信号输出模块的第一控制端与所述第一阻抗调节子单元的第二端连接,所述信号输出模块的第二控制端与所述第二阻抗调节子单元的第二端连接,所述信号输出模块的输出端与所述信号输出端连接;所述迟滞产生模块用于根据所述信号输出模块的反馈信号产生所述输入信号的迟滞电压,所述第一阻抗调节子单元和所述第二阻抗调节子单元用于调节所述迟滞电压的范围
。2.
根据权利要求1所述的迟滞比较电路,其特征在于,所述迟滞产生模块还包括第一电流源,所述第一电流源分别与所述第一开关子单元的第二端
、
所述第二开关子单元的第二端连接;在所述迟滞比较电路的同一工作状态下,所述第一阻抗调节子单元和所述第二阻抗调节子单元的阻抗不同,所述第一阻抗调节子单元用于调节所述迟滞电压的负向阈值,所述第二阻抗调节子单元用于调节所述迟滞电压的正向阈值
。3.
根据权利要求2所述的迟滞比较电路,其特征在于,所述第一阻抗调节子单元包括第一晶体管
、
第一电阻和第二电阻,所述第一开关子单元包括第二晶体管,所述第一电阻的第一端接入所述电源电压,所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的第一极连接,所述第二晶体管的第二极与所述第一电流源连接,所述第一晶体管的控制极为所述第一阻抗调节子单元的控制端,所述第一晶体管的第一极与所述第一电阻的第一端连接,所述第一晶体管的第二极与所述第一电阻的第二端连接,所述第二晶体管的控制极为所述第一开关子单元控制端,所述第二电阻的第二端为所述第一阻抗调节子单元的第二端;所述第二阻抗调节子单元包括第三晶体管
、
第三电阻和第四电阻,所述第二开关子单元包括第四晶体管,所述第三电阻的第一端接入所述电源电压,所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接,所述第四电阻的第二端与所述第四晶体管的第一极连接,所述第四晶体管的第二极与所述第一电流源连接,所述第三晶体管的控制极为所述第二阻抗调节子单元的控制端,所述第三晶体管的第一极与所述第三电阻的第一端连接,所述第三晶体管的第二极与所述第三电阻的第二端连接,所述第四晶体管的控制极为所述第二开关子单元控制端,所述第四电阻的第二端为所述第二阻抗调节子单元的第二端
。
4.
根据权利要求3所述的迟滞比较电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值与所述第三电阻的阻值相等,所述第二电阻的阻值与所述第四电阻的阻值相等;所述第一晶体管和所述第三晶体管为场效应晶体管,所述第二晶体管和所述第四晶体管为双极性结型晶体管,所述第一晶体管和所述第三晶体管不同时导通
。5.
根据权利要求1所述的迟滞比较电路,其特征在于,所述增益放大模块包括第一放大单元和第二放大单元,所述第一放大单元的控制端与所述第一电压输入端连接,所述第二放大单元的控制端与所述第二电压输入端连接;所述第一放大单元包括第二电流源
、
第五电阻和第五晶体管,所述第二电流源的输入端接入电源电压,所述第二电流源的输出端经所述第五电阻与所述第五晶体管的第一极连接,所述第五晶体管的第二极接地,所述第五晶体管的控制极为所述第一放大单元的控制端,所述第二电...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴敏,
申请(专利权)人:上海兴感半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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