共源共栅结构及电子装置制造方法及图纸

本申请提供共源共栅结构及电子装置，涉及半导体的领域

【技术实现步骤摘要】
共源共栅结构及电子装置


[0001]本申请涉及半导体的领域，尤其涉及共源共栅结构及电子装置
。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件
。
其中，共源共栅结构是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子装置的控制电路中；然而，共源共栅结构的功率大，操作频率低
。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供共源共栅结构及电子装置，用以解决共源共栅结构的功率大，操作频率低的问题
。
[0004]本申请实施例提供的共源共栅结构，包括衬底，以及设置于所述衬底的第一器件和第二器件，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，所述第二器件设置为横向双扩散金属氧化物半导体场效应管；所述第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，所述第一器件的第二端电连接所述第二器件的第一端，所述第一器件的控制端电连接所述第二器件的第二端；所述第二器件的第二端用于电连接于所述控制电路的第二端，所述第二器件的控制端用于电连接于所述控制电路的信号输出端
。
[0005]通过采用上述技术方案，通过将第一器件设置为结型场效应晶体管，第二器件设置为横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，使得第一器件和第二器件能够形成增强型电流通路，从而无需在第二器件的栅极施加连续的偏置电压，第二器件始终能够处于关断状态，进而能够降低共源共栅结构的功率，提高共源共栅结构的操作频率
。
[0006]在一些可能的实施方式中，所述第一器件包括导电层
、
基层和漂移层；所述导电层设置于所述衬底的第一表面，且所述导电层形成所述第一器件的第一端；所述基层设置于所述衬底的第二表面，所述基层电连接所述导电层，且所述基层背离所述衬底的表面设置所述漂移层；所述漂移层背离所述基层的表面设置有第一掺杂部，所述第一掺杂部背离所述漂移层的表面设置有控制部，所述控制部形成所述第一器件的控制端；所述第一掺杂部背离所述漂移层的表面还设置有第二掺杂部，所述第二掺杂部背离所述第一掺杂部的表面设置有金属部，所述金属部形成所述第一器件的第二端
。
[0007]在一些可能的实施方式中，所述衬底包括绝缘导热层，以及设置于所述绝缘导热层表面的第一覆铜部和第二覆铜部；所述第一覆铜部和所述第二覆铜部间隔设置，且所述第一覆铜部背离所述绝缘导热层的表面设置所述第一器件，所述第二覆铜部背离所述导热层绝缘导热层的表面设置所述基层；
所述绝缘导热层背离所述第一覆铜部的表面接触所述导电层，所述绝缘导热层设置有至少一个通孔，所述通孔内设置有导电件，所述导电件的第一端电连接所述第一覆铜部，所述导电件的第二端电连接所述导电层
。
[0008]在一些可能的实施方式中，所述第一器件包括层叠设置的基层
、
缓存层
、
高阻层
、
势垒层和沟槽层；所述势垒层设置于所述基层背离所述衬底的表面，所述势垒层背离所述基层的表面还设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部均电连接所述沟槽层，所述第一连接部形成所述第一器件的第一端，所述第二连接部形成所述第一器件的第二端；所述沟槽层背离所述势垒层的表面设置有控制部，所述控制部形成所述第一器件的控制端
。
[0009]在一些可能的实施方式中，所述基层设置有压力缓冲层，所述压力缓冲层背离所述基层的表面连接所述缓存层，且所述基层和所述压力缓冲层复用于形成所述第一器件；所述压力缓冲层背离所述基层的表面设置有介质层，所述介质层的第一端连接所述第一器件，所述介质层的第二端连接所述第一器件
。
[0010]在一些可能的实施方式中，所述第一器件包括基层
、
高阻层和势垒层；所述势垒层设置于所述基层背离所述衬底的表面，所述势垒层背离所述基层的表面还设置有第一连接部
、
控制部和第二连接部；所述第一连接部形成所述第一器件的第一端，所述第二连接部形成所述第一器件的第二端；所述势垒层背离所述基层的表面还设置有介质部，所述介质部的第一端连接所述第一连接部，所述介质部的第二端连接所述第二连接部，所述介质部容置所述控制部，所述控制部形成所述第一器件的控制端
。
[0011]在一些可能的实施方式中，所述基层设置有压力缓冲层，所述压力缓冲层背离所述基层的表面连接所述高阻层，且所述基层和所述压力缓冲层复用于形成所述第二器件；所述压力缓冲层背离所述基层的表面设置有介质层，所述介质层的第一端连接所述第一器件，所述介质层的第二端连接所述第二器件
。
[0012]在一些可能的实施方式中，所述衬底包括覆铜层，以及接触于所述覆铜层第一表面的至少一层绝缘导热层；所述覆铜层的第二表面连接所述基层背离所述压力缓冲层的表面
。
[0013]在一些可能的实施方式中，所述衬底包括绝缘导热层，以及设置于所述绝缘导热层表面的第一覆铜部和第二覆铜部；所述第一覆铜部和所述第二覆铜部间隔设置，且所述第一覆铜部背离所述绝缘导热层的表面设置所述第一器件，所述第二覆铜部背离所述绝缘导热层的表面设置所述基层
。
[0014]在一些可能的实施方式中，所述第二器件包括层叠设置的基质层
、
外延区和隔离层；所述外延区设置于所述基质层背离所述衬底的表面，所述外延区背离所述基质层的表面设置有依次设置的第三掺杂部
、
控制结构
、
第四掺杂部和第五掺杂部，所述控制结构的至少部分设置于所述隔离层内，所述控制结构形成所述第二器件的控制端；
所述隔离层还设置有第三连接部和第四连接部，所述第三连接部电连接所述第三掺杂部，且所述第三连接部形成所述第二器件的第一端；所述第四连接部电连接所述第五掺杂部，且所述第四连接部形成所述第二器件的第二端
。
[0015]本申请实施例提供一种电子装置，包括上述任一项所述的共源共栅结构
。
[0016]由于电子装置包括上述任一项所述的共源共栅结构，因此，该电子装置包括上述任一项所述的共源共栅结构的优点，具体可参见上文相关描述，在此不再赘述
。
附图说明
[0017]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理
。
[0018]图1为本申请实施例提供的具有漂移层的共源共栅结构的结构示意图；图2为本申请实施例提供的具有沟槽层的共源共栅结构的结构示意图；图3为本申请实施例提供的具有沟槽层，且第一器件中基层和压力缓冲层复用于形成第二器件的共源共栅结构的结构示意图；图4为本申请实施例提供的具有介质部的共源共栅结构的结构示意图；图5为本申请实施例提供的具有介质部，且第一器件中基层和压力缓冲层复用于形成第二器件的共源共栅结构的结构示意图；图6为本申请实施例提供的第二器件的结构示意图
。
[0019]附图标记说明：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种共源共栅结构，其特征在于，包括衬底，以及设置于所述衬底的第一器件和第二器件，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，所述第二器件设置为横向双扩散金属氧化物半导体场效应管；所述第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，所述第一器件的第二端电连接所述第二器件的第一端，所述第一器件的控制端电连接所述第二器件的第二端；所述第二器件的第二端用于电连接于所述控制电路的第二端，所述第二器件的控制端用于电连接于所述控制电路的信号输出端
。2.
根据权利要求1所述的共源共栅结构，其特征在于，所述第一器件包括导电层
、
基层和漂移层；所述导电层设置于所述衬底的第一表面，且所述导电层形成所述第一器件的第一端；所述基层设置于所述衬底的第二表面，所述基层电连接所述导电层，且所述基层背离所述衬底的表面设置所述漂移层；所述漂移层背离所述基层的表面设置有第一掺杂部，所述第一掺杂部背离所述漂移层的表面设置有控制部，所述控制部形成所述第一器件的控制端；所述第一掺杂部背离所述漂移层的表面还设置有第二掺杂部，所述第二掺杂部背离所述第一掺杂部的表面设置有金属部，所述金属部形成所述第一器件的第二端
。3.
根据权利要求2所述的共源共栅结构，其特征在于，所述衬底包括绝缘导热层，以及设置于所述绝缘导热层表面的第一覆铜部和第二覆铜部；所述第一覆铜部和所述第二覆铜部间隔设置，且所述第一覆铜部背离所述绝缘导热层的表面设置所述基层，所述第二覆铜部背离所述绝缘导热层的表面设置所述第二器件；所述绝缘导热层背离所述第一覆铜部的表面接触所述导电层，所述绝缘导热层设置有至少一个通孔，所述通孔内设置有导电件，所述导电件的第一端电连接所述第一覆铜部，所述导电件的第二端电连接所述导电层
。4.
根据权利要求1所述的共源共栅结构，其特征在于，所述第一器件包括层叠设置的基层
、
缓存层
、
高阻层
、
势垒层和沟槽层；所述势垒层设置于所述基层背离所述衬底的表面，所述势垒层背离所述基层的表面还设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部均电连接所述沟槽层，所述第一连接部形成所述第一器件的第一端，所述第二连接部形成所述第一器件的第二端；所述沟槽层背离所述势垒层的表面设置有控制部，所述控制部形成所述第一器件的控制端
。5.
根据权利要求4所述的共源共栅结构，其特征在于，所述基层设置有压力缓冲层，所述压力缓冲层背离所述基层的表面连接所述缓存层，且所述基层和所述压力缓冲层复用于形成所述第二器件；所述压力缓冲层背离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪杰，陈伟梵，蔡国基，
申请(专利权)人：青岛嘉展力芯半导体有限责任公司，
类型：发明
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