【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体，尤其涉及一种闭环电流传感器。
技术介绍
1、传感器是一种检测装置，能检测到被检设备的相关信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。
2、现有的闭环电流传感器由于具有补偿线圈进行副边补偿，因此较开环电流传感器更稳定。但现有的闭环电流传感器受制于其磁芯以及补偿线圈结构的限制，存在测量精度低的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种闭环电流传感器，可以提高闭环电流传感器的测量精度。
2、本专利技术实施例提供了一种闭环电流传感器，包括：u形磁芯；平面线圈，平面线圈环绕u形磁芯；霍尔芯片和信号调制芯片，霍尔芯片用于感应u形磁芯中磁场的变化形成电压信号，信号调制芯片分别与霍尔芯片以及平面线圈电连接，信号调制芯片用于对霍尔芯片输出的电压信号进行放大，并输出电流信号；平面线圈用于根据电流信号对u形磁芯中的磁场进行补偿。
3、可选地，u形磁芯包括第一t形磁芯体、第二t形磁芯体以及弯曲部；第一t形磁芯体和第二t形磁芯体相对设置，第一t形磁芯体和第二t形磁芯体通过弯曲部连接形成u形磁芯。
4、可选地，闭环电流传感器还包括pcb板，u形磁芯由pcb板的一侧插接于pcb板上。
5、可选地，pcb板包括凹槽，弯曲部至少部分设置于凹槽内。
6、可选地，霍尔芯片和信号调制芯片均设置于pcb板的一侧；霍尔芯片在pcb板上的垂直投影与第一t形磁芯体
7、可选地，平面线圈包括线圈本体以及由线圈本体引出的第一引脚和第二引脚，pcb板包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘设置于pcb板的另一侧，在u形磁芯插接于pcb板上时，第一引脚与第一焊盘贴装，第二引脚与第二焊盘贴装。
8、可选地，平面线圈包括线圈本体以及由线圈本体引出的第一引脚和第二引脚，pcb板包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘设置于pcb板的一侧，在u形磁芯插接于pcb板上时，第一引脚与第一焊盘通过第一导线连接，第二引脚与第二焊盘通过第二导线连接。
9、可选地，闭环电流传感器还包括采样单元和多个外部引脚；采样单元的第一端与信号调制芯片连接，采样单元的第二端与平面线圈连接，采样单元用于根据信号调制芯片提供的电压信号输出电流信号；外部引脚焊接在pcb板上。
10、可选地，霍尔芯片包括砷化镓霍尔芯片或锑化铟霍尔芯片。
11、可选地，u形磁芯的材料为纳米晶软磁材料。
12、本专利技术实施例提供的闭环电流传感器，由于平面线圈的阻值小，发热量低，损耗低，因此可以提高电流传感器的测量精度，同时无需设置原边导线，从而可以简化闭合电流传感器的结构，进一步减小了闭环电流传感器的整体体积，并且集成了霍尔芯片和信号调制芯片，减少了外围电路器件，节省了用户设计时间和原材料成本。
13、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种闭环电流传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述U形磁芯包括第一T形磁芯体、第二T形磁芯体以及弯曲部；
3.根据权利要求2所述的闭环电流传感器，其特征在于，还包括PCB板；
4.根据权利要求3所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述PCB板包括凹槽，所述弯曲部至少部分设置于所述凹槽内。
5.根据权利要求3所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述霍尔芯片和所述信号调制芯片均设置于所述PCB板的一侧；
6.根据权利要求5所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述平面线圈包括线圈本体以及由所述线圈本体引出的第一引脚和第二引脚，所述PCB板包括第一焊盘和第二焊盘；
7.根据权利要求5所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述平面线圈包括线圈本体以及由所述线圈本体引出的第一引脚和第二引脚，所述PCB板包括第一焊盘和第二焊盘；
8.根据权利要求3所述的闭环电流传感器，其特征在于，还包括采样单元和多个外部引脚；
9.根据权利要求1所述的闭环电流传感器，其特征在
10.根据权利要求1所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述U形磁芯的材料为纳米晶软磁材料。
...【技术特征摘要】
1.一种闭环电流传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述u形磁芯包括第一t形磁芯体、第二t形磁芯体以及弯曲部；
3.根据权利要求2所述的闭环电流传感器，其特征在于，还包括pcb板；
4.根据权利要求3所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述pcb板包括凹槽，所述弯曲部至少部分设置于所述凹槽内。
5.根据权利要求3所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述霍尔芯片和所述信号调制芯片均设置于所述pcb板的一侧；
6.根据权利要求5所述的闭环电流传感器，其特征在于，所述平面线圈包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雄星，
申请(专利权)人：上海兴感半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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