【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体功率器件，涉及碳化硅和硅材料半导体功率器件，具体为一种异质结沟道的sic mosfet器件。
技术介绍
1、sic材料具有高热导率，宽禁带等特点，其制作的功率mosfet具有更高的击穿电压、超低的比导通电阻等特点，非常适合电力电子系统开关应用。但是，由高斯定理可知，sic mosfet的栅氧化层内部会产生高的电场，造成栅介质击穿，所以必须对栅氧化层进行电场保护。常见的措施为在栅氧底部或者临近的两边分别设置接地的p型电场屏蔽区。另外，sic mosfet由于工艺制造过程中引入大量的表面损伤和陷阱，其反型层电子有效迁移率低，而si mosfet的有效沟道迁移率较高。因此结合两种材料特性的优势，设计一个异质结构器件，保证功率sic mosfet器件在保持高击穿电压的同时，提高沟道迁移率，降低比导通电阻，并且避免栅氧化层提前击穿。为此，本专利技术提出一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，在应用开发上具有重要意义。
技术实现思路
1、本为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞。本专利技术采用的技术方案如下：
2、一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，包括：
3、碳半导体衬底2，设置于衬底上的n型缓冲层13，设置于缓冲层上的n型耐压层1；设置于元胞表面中间位置的槽栅区域，所述槽栅区域包括槽内介质层8，介质层内多晶硅栅9，所述槽两侧壁外区域设置有p型沟道体区5，所述p型沟道体区5底部和侧壁被p型
4、所述衬底、缓冲层、耐压层、电流拓展层、p型欧姆接触区以及电场屏蔽区为sic材料，所示沟道体区5为硅或者多晶硅材料。所述电流拓展层7掺杂浓度一般在1×1016cm-3至1×1018cm-3次方之间。
5、进一步，所述一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，其特征在于所述电流拓展层7的宽度小于2μm。
6、本专利技术的有效效果在于：
7、1.本专利技术提供一种异质结沟道的sic mosfet器件，在槽的两侧设置多晶硅或者硅材料作为沟道体区，利用其反型层电子迁移率高的特点，降低器件的比导通电阻；
8、2.多晶硅或者硅材料被sic材料的电场屏蔽区完全包围，防止了多晶硅或者硅材料内产生高电场提前击穿，保证了高耐压。并且，槽栅下方的n型电流拓展区可以通过刻槽后自对准注入，提高了工艺稳定性和可靠性。
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1.一种异质结沟道的SiC MOSFET器件元胞，包括：
2.按权利要求1所述异质结沟道的SiC MOSFET器件元胞，其特征在于所述电流拓展层7的宽度小于2μm。
【技术特征摘要】
1.一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，包括：
2.按权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：易波，吴欣怡，贺照峰，徐艺，杨洪强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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