一种异质结沟道的SiC MOSFET器件制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，具体提供一种异质结沟道的SiC MOSFET器件，用于解决现有SiC MOSFET的沟道迁移率低的技术难题。通过槽两侧设置被SiC P型电场屏蔽区完全包围的多晶硅或者硅材料构成的沟道体区，提高沟道迁移率、降低沟道电阻的同时，保证多晶硅或者硅材料不暴露在强电场下，保证了SiC材料原有的高击穿电压的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件，涉及碳化硅和硅材料半导体功率器件，具体为一种异质结沟道的sic mosfet器件。

技术介绍

1、sic材料具有高热导率，宽禁带等特点，其制作的功率mosfet具有更高的击穿电压、超低的比导通电阻等特点，非常适合电力电子系统开关应用。但是，由高斯定理可知，sic mosfet的栅氧化层内部会产生高的电场，造成栅介质击穿，所以必须对栅氧化层进行电场保护。常见的措施为在栅氧底部或者临近的两边分别设置接地的p型电场屏蔽区。另外，sic mosfet由于工艺制造过程中引入大量的表面损伤和陷阱，其反型层电子有效迁移率低，而si mosfet的有效沟道迁移率较高。因此结合两种材料特性的优势，设计一个异质结构器件，保证功率sic mosfet器件在保持高击穿电压的同时，提高沟道迁移率，降低比导通电阻，并且避免栅氧化层提前击穿。为此，本专利技术提出一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，在应用开发上具有重要意义。

技术实现思路

1、本为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种异质结沟道的s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结沟道的SiC MOSFET器件元胞，包括：

2.按权利要求1所述异质结沟道的SiC MOSFET器件元胞，其特征在于所述电流拓展层7的宽度小于2μm。

【技术特征摘要】

1.一种异质结沟道的sic mosfet器件元胞，包括：

2.按权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：易波，吴欣怡，贺照峰，徐艺，杨洪强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：