【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种红外激光器件垂直发射的封装方法。
技术介绍
1、目前常见的激光器包括边发射激光器(eel)、垂直腔面发射激光器(vcsel)、固体激光器以及光纤激光器。其中，边发射激光器(eel)、垂直腔面发射激光器(vcsel)的应用最为广泛，活跃在3d传感、消费电子、激光雷达、光通信等热门市场。
2、垂直腔面发射激光器(vcsel)是一种垂直表面出光的新型激光器，其制造工艺与边发射半导体激光器相兼容，且大规模制造的成本很低。但是它的缺点也很明显，即工艺复杂、发射功率低。
3、因此，边发射激光器(eel)凭借其成熟的产品和供应链体系，极高的发射功率密度，成为目前主流的激光器形式。边发射激光器(eel)具有高功率密度和高脉冲峰值功率，非常适合应用于各种环境感知的场景，具有可准确获取目标的三维信息、分辨率高、抗干扰能力强、探测范围广、近全天候工作等优点。
4、现有的边发射激光器(eel)的出光方向平行于衬底平面，其无法满足一些需要垂直于衬底平面，也即需要垂直发射激光的场景。此外，现有边发射激光器(eel)大多包括边发射激光芯片、探测器芯片和激光驱动芯片，现有激光器结构大多采用对上述三个芯片分别进行单独封装的封装结构，虽然工艺比较成熟，但是对每个芯片进行单独封装会导致激光器的整体体积偏大、流程长、费时费工，存在封装效率低、封装体积大等问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种红外激光器件垂直发射的封装方法，旨在改
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种红外激光器件垂直发射的封装方法，包括如下步骤：
3、将安装有边发射激光芯片的第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上，并将所述第一电路板和所述第三电路板电连通；
4、将安装有探测器芯片和激光驱动芯片的第二电路板固定安装于所述第三电路板上，并将所述第二电路板和所述第三电路板电连通。
5、可选地，将安装有边发射激光芯片的第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上的步骤包括：
6、制备所述第一电路板，并在所述第一电路板上的安装面上制作安装槽；
7、将所述边发射激光芯片安装于所述第一电路板上平行于出光方向的面上；
8、将所述第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于所述第三电路板上。
9、可选地，制备所述第一电路板，并在所述第一电路板上的安装面上制作安装槽的步骤包括：
10、按照设计尺寸裁切电路基板，并在所述电路基板上打安装孔；
11、将图形线路的形状转移到所述电路基板上，并将图形线路在所述电路基板上制作出来；
12、对所述电路基板进行蚀刻和清洗以形成所述第一电路板。
13、可选地，将所述边发射激光芯片安装于所述第一电路板上平行于出光方向的面上的步骤包括：
14、将所述边发射激光芯片放置于所述第一电路板上平行于出光方向的面上，并通过银浆固定；
15、将银浆烘烤固化，然后对所述边发射激光芯片的表面进行清洗；
16、使用金属引线将所述边发射激光芯片的电极与所述第一电路板的电极电连通；
17、在所述边发射激光芯片和金属引线上制备封装胶体，并进行烘烤固化。
18、可选地，银浆的高度小于或等于所述边发射激光芯片厚度的二分之一。
19、可选地，将所述第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上的步骤包括：
20、沿着所述安装孔的径向对所述第一电路板进行切割，以将所述安装孔切割成所述安装槽；
21、将所述第一电路板上形成有所述安装槽的面立着安装于所述第三电路板上，并在所述安装槽处进行锡膏固化焊接。
22、可选地，在将安装有探测器芯片和激光驱动芯片的第二电路板固定安装于所述第三电路板上的步骤之前还包括：
23、制备所述第二电路板，并将所述探测器芯片放置于所述第二电路板上，并通过银浆固定；
24、将所述激光驱动芯片放置于所述第二电路板上，并通过绝缘胶固定；
25、使用金属引线将所述探测器芯片的电极、所述激光驱动芯片的电极分别与所述第二电路板的电极电连通；
26、在所述探测器芯片、所述激光驱动芯片和金属引线上制备封装胶体，并进行烘烤固化。
27、可选地，银浆的高度小于或等于所述探测器芯片厚度的二分之一，绝缘胶的高度小于或等于所述激光驱动芯片厚度的三分之二。
28、可选地，制备所述第三电路板，并在所述第三电路板上印刷锡膏；
29、在所述第一电路板和所述第二电路板放置于所述第三电路板后，进行锡膏固化焊接。
30、可选地，在所述第一电路板和所述第二电路板之间填充防干扰胶；
31、对防干扰胶进行烘烤固化。
32、本专利技术提供了一种红外激光器件垂直发射的封装方法，方法步骤包括：将安装有边发射激光芯片的第一电路板沿边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上，并将第一电路板和第三电路板电连通；将安装有探测器芯片和激光驱动芯片的第二电路板固定安装于第三电路板上，并将第二电路板和第三电路板电连通。在本申请中，通过将边发射激光芯片贴装于第一电路板上，然后将第一电路板垂直安装于第三电路板上，使得第一电路板上的边发射激光芯片的出光方向相对于第三电路板是垂直的，进而实现边发射激光芯片垂直出光的技术效果，拓宽了边发射激光芯片的应用范围，使其能够满足不同场景下的不同需求，例如3d传感、消费电子。此外，本申请还通过将安装有边发射激光芯片的第一电路板和安装有探测器芯片和激光驱动芯片的第二电路板都固定安装在第三电路板上，进而具备集成度更高、尺寸更小、更方便贴装的优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，将安装有边发射激光芯片的第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上的步骤包括：
3.如权利要求2所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，制备所述第一电路板，并在所述第一电路板上的安装面上制作安装槽的步骤包括：
4.如权利要求2所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，将所述边发射激光芯片安装于所述第一电路板上平行于出光方向的面上的步骤包括：
5.如权利要求4所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，银浆的高度小于或等于所述边发射激光芯片厚度的二分之一。
6.如权利要求4所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，将所述第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上的步骤包括：
7.如权利要求1所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，在将安装有探测器芯片和激光驱动芯片的第二电路板固定安装于所述第三电路板
8.如权利要求7所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，银浆的高度小于或等于所述探测器芯片厚度的二分之一，绝缘胶的高度小于或等于所述激光驱动芯片厚度的三分之二。
9.如权利要求1所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，还包括如下步骤：
10.如权利要求1所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，还包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，将安装有边发射激光芯片的第一电路板沿所述边发射激光芯片出光的方向立着安装于第三电路板上的步骤包括：
3.如权利要求2所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，制备所述第一电路板，并在所述第一电路板上的安装面上制作安装槽的步骤包括：
4.如权利要求2所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，将所述边发射激光芯片安装于所述第一电路板上平行于出光方向的面上的步骤包括：
5.如权利要求4所述的红外激光器件垂直发射的封装方法，其特征在于，银浆的高度小于或等于所述边发射激光芯片厚度的二分之一。
【专利技术属性】
技术研发人员：朱威，李坤，张明阳，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。