【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种发光元件的制备方法及发光元件。
技术介绍
1、紫外led(uv led)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面。而且随着技术的发展,新的应用会不断出现以替代原有的技术和产品，紫外led有着广阔的市场应用前景。
2、目前紫外倒装led芯片主要问题在于p面电流注入效率低和p面光反射率低两个问题。对于p面电流注入效率低，其主要原因是一般金属功函数较p型gan低，无法形成欧姆接触电极，因此一般采用高功函数的ni/au电极作为p面接触电极，在高温退火后，可以有效降低接触势垒。但同时ni/au接触电极对紫外光反射率很低，对led光提取效率有很大影响。另一方面，对于p面反射率低的问题，常见金属中，al金属对紫外光反射率相对较高，因此一般采用al金属作为p面反射电极，但是al金属功函数较低，尽管加入一层薄ni金属，在退火后al容易被氧化且al会迁移至gan表面，导致其接触势垒仍然很高，影响led的电压。面对接触势垒偏高和反射率偏低问题无法同时解决。
【技术保护点】
1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述凹槽处制备N型电极包括如下步骤：
3.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，以形成Ni/Al反射电极的步骤包括：
4.如权利要求3所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述P型半导体层表面及所述Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，以形成Ni/Au欧姆接触电极的步骤包括：
5.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述N...
【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述凹槽处制备n型电极包括如下步骤：
3.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述p型半导体层的表面蒸镀ni/al金属层结构，以形成ni/al反射电极的步骤包括：
4.如权利要求3所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述p型半导体层表面及所述ni/al反射电极上方蒸镀ni/au金属层结构，以形成ni/au欧姆接触电极的步骤包括：
5.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在所述ni/au欧姆接触电极和所述n型电极上方蒸镀一层保护金属的步骤包括：
6.如权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，在外延区域上方镀第一钝化层的步骤包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，徐晓丽，杜治新，刘芳，徐威，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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