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本发明提供了一种发光元件的制备方法，通过在P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，形成Ni/Al反射电极；在P型半导体层表面及Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，形成Ni/Au欧姆接触电极，以形成一种分离式P面电极结构。其中...
该专利属于华引芯（武汉）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华引芯（武汉）科技有限公司授权不得商用。

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