下载一种异质结沟道的SiC MOSFET器件的技术资料

文档序号:41123904

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本发明属于功率半导体技术领域,具体提供一种异质结沟道的SiC MOSFET器件,用于解决现有SiC MOSFET的沟道迁移率低的技术难题。通过槽两侧设置被SiC P型电场屏蔽区完全包围的多晶硅或者硅材料构成的沟道体区,提高沟道迁移率、降低沟...
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