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本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种异质结沟道的SiC MOSFET器件，用于解决现有SiC MOSFET的沟道迁移率低的技术难题。通过槽两侧设置被SiC P型电场屏蔽区完全包围的多晶硅或者硅材料构成的沟道体区，提高沟道迁移率、降低沟...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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