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发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物制造方法及图纸

技术编号:41123535 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-30 17:50
本发明专利技术涉及发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物。发光装置可包括第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发射层,其中发射层包括由式1表示的第一化合物。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开的一个或多个实施方式涉及发光装置和在发光装置中使用的稠合多环化合物。


技术介绍

1、最近,正在积极地进行作为图像显示器的有机电致发光显示器的开发。因为例如有机电致发光显示器为自发光显示器,所以有机电致发光显示器不同于液晶显示器,其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在有机电致发光显示器的发射层中复合,使得发射层中包括有机化合物的发光材料发光而实现显示(例如,图像的显示)。

2、在将有机电致发光装置应用于显示器时,要求和/或期望降低驱动电压并且增加有机电致发光装置的发射效率和装置寿命。不断要求和追求用于稳定实现那些要求的有机电致发光装置的材料的开发。

3、例如,最近,为了改善有机电致发光装置的发射效率,正在开发和利用基于利用三重态能级的磷光发射或利用通过三重态激子的碰撞(三重态-三重态湮灭,tta)而生成单重态激子的现象的荧光发射的技术,并且正在进行和推进有关利用延迟荧光现象的热激活延迟荧光(tadf)材料的开发。


技术实现思路

1、本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有改善的发射效率和装置寿命的发光装置。

2、本公开的实施方式的一个或多个方面涉及能够改善发光装置的发射效率和装置寿命的稠合多环化合物。

3、另外的方面将部分在如下的描述中陈述,并且部分将从描述中是显而易见的,或可通过呈现的实施方式的实践而了解到。

4、本公开的一个或多个实施方式提供了发光装置,其包括第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发射层,其中发射层包括由式1表示的第一化合物(即,稠合多环化合物)。

5、式1

6、

7、在式1中,x可为nr8、o或s,r1至r8可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,n1可为选自0至3的整数,n2至n6可各自独立地为选自0至4的整数,并且n7可为选自0至5的整数。

8、在一个或多个实施方式中,r2和r3可各自独立地为取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,并且n2和n3可各自独立地为选自1至4的整数。

9、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由式2表示。

10、式2

11、

12、在式2中,r1’可为取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。

13、在式2中,式1中限定的相同内容可用于x、r2至r7和n2至n7。

14、在一个或多个实施方式中,r1’可为取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基或者由式a-1或式a-2表示。

15、式a-1

16、

17、式a-2

18、

19、在式a-1和式a-2中,ra1至ra3可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,m1可为选自0至5的整数,并且m2和m3可各自独立地为选自0至4的整数。

20、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由选自式3-1至式3-4中的任何一个表示。

21、式3-1

22、

23、式3-2

24、

25、式3-3

26、

27、式3-4

28、

29、在式3-1至式3-4中,r2a和r3a可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,r2b和r3b可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,a1和a2可各自独立地为选自0至3的整数。

30、在式3-1至式3-4中,式1中限定的相同内容可用于x、r1、r4至r7、n1和n4至n7。

31、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由选自式4-1至式4-4中的任何一个表示。

32、式4-1

33、

34、式4-2

35、

36、式4-3

37、

38、式4-4

39、

40、在式4-1至式4-4中,r11至r22可各自独立地为氢、氘、卤素、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基、r1’可为取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,n11至n16、n19和n20可各自独立地为选自0至4的整数,n17、n18、n21和n22可各自独立地为选自0至5的整数。

41、在式4-1至式4-4中,式1中限定的相同内容可用于x、r4至r7和n4至n7。

42、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由选自式5-1至式5-3中的任何一个表示。

43、式5-1

44、

45、式5-2

46、

47、式5-3

48、

49、在式5-1至式5-3中,r23为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,并且n23可为选自0至5的整数。

50、在式5-1至式5-3中,式1中限定的相同内容可用于r1至r7和n1至n7。

51、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由式6表示。

52、式6

53、

54、在式6中,r6’和r9可各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,a3可为选自0至3的整数,并且n9可为选自0至5的整数。

55、在式6中,式1中限定的相同内容可用于x、r1至r5、r7、n1至n5和n7。

56、在一个或多个实施方式中,由式1表示的第一化合物可由选自式7-1至式7-3中的任何一个表示。

57、式7-1

58、

59、式7-2

60、

61、式7-3...

【技术保护点】

1.一种由式1表示的稠合多环化合物:

2.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中R2和R3各自独立地为取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,并且

3.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由式2表示:

4.根据权利要求3所述的稠合多环化合物,其中R1’为取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基或者由式A-1或式A-2表示:

5.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式3-1至式3-4中的任何一个表示:

6.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式4-1至式4-4中的任何一个表示:

7.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式5-1至式5-3中的任何一个表示:

8.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由式6表示:

9.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式7-1至式7-3中的任何一个表示:

10.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式8-1至式8-3中的任何一个表示:

11.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物包括选自化合物组1中的化合物中的至少一种:

12.一种发光装置,包括:

13.根据权利要求12所述的发光装置,其中所述发射层进一步包括选自由式HT-1表示的第二化合物和由式ET-1表示的第三化合物中的至少一种:

14.根据权利要求12所述的发光装置,其中所述发射层进一步包括由式D-1表示的第四化合物:

...

【技术特征摘要】

1.一种由式1表示的稠合多环化合物:

2.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中r2和r3各自独立地为取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,并且

3.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由式2表示:

4.根据权利要求3所述的稠合多环化合物,其中r1’为取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基或者由式a-1或式a-2表示:

5.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式3-1至式3-4中的任何一个表示:

6.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式4-1至式4-4中的任何一个表示:

7.根据权利要求1所述的稠合多环化合物,其中由式1表示的所述稠合多环化合物由选自式...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴灿锡朴俊河鲜于卿成旻宰沈文基秋昌雄
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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