【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体，具体涉及一种低开关损耗的sgt mosfet器件。
技术介绍
1、sgt(屏蔽栅极沟槽型)mosfet器件是一种新型的功率半导体器件，相比于传统的trench mosfet器件，sgt mosfet器件沟槽更深，通过屏蔽栅结构，大大减小了栅极与漏极之间的电容的交叠面积，降低了栅漏电容，从而使得sgt mosfet器件的栅电荷大大降低，最终大大提高器件的开关速度，降低开关损耗。
2、图1所示，是一种sgt mosfet器件，包括外延层(epi)101、外延层101中沟槽(trench)102、源极多晶硅(source poly)103、栅极多晶硅(gate poly)104、源极多晶硅103和栅极多晶硅104之间的隔离氧化物层(ipo)105、栅极氧化物介质层(gox)106、p型掺杂区(p-body)107、n型掺杂区(n+)108、连接孔(ct)109、介质隔离层(ild)110、金属层(metal)111等部分。
3、由于栅极多晶硅104和n型参杂区108的设计，介质隔离层110的厚度不够以及n型参杂区108的注入体积较大，导致输入电容过高以及通态电阻(rdson)偏大，从而大大影响了器件的开关性能。
技术实现思路
1、针对现有的sgt mosfet器件依然存在较大的开关损耗，影响器件的开关性能的技术问题，本技术的目的在于提供一种低开关损耗的sgt mosfet器件。
2、本技术的低开关损耗的sgt mosfet器件包括：<...
【技术保护点】
1.一种低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述低开关损耗的SGT MOSFET器件包括：
2.如权利要求1所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述源区靠近所述沟槽的侧壁朝向所述体区具有旋转注入源区，所述旋转注入源区夹设于所述体区与所述沟槽的侧壁之间。
3.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述沟槽内还具有：
4.如权利要求3所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述沟槽还包括：
5.如权利要求3所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述沟槽还包括：
6.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述介质隔离部的高度与所述沟槽的深度之比为0.5～1.3：10。
7.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述介质隔离部的高度与所述沟槽的深度之比为0.7～1.1：10。
8.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述介质隔离部的高
9.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的高度与所述源区本部的高度比为7～10：10。
10.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的高度与所述源区本部的高度比为8.5～10：10。
11.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的高度与所述源区本部的高度比为10：10。
12.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的宽度与所述源区本部的高度比为3～5：10。
13.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的宽度与所述源区本部的高度比为3.5～4.5：10。
14.如权利要求2所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述旋转注入源区的宽度与所述源区本部的高度比为4：10。
15.如权利要求1所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述体区和所述源区位于所述沟槽外上部。
16.如权利要求1所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述源区的顶部与所述沟槽的顶部齐平。
17.如权利要求3所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述隔离氧化物层位于所述沟槽的中部。
18.如权利要求1所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述低开关损耗的SGT MOSFET器件还包括：
19.如权利要求18所述的低开关损耗的SGT MOSFET器件，其特征在于所述低开关损耗的SGT MOSFET器件还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述低开关损耗的sgt mosfet器件包括：
2.如权利要求1所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述源区靠近所述沟槽的侧壁朝向所述体区具有旋转注入源区，所述旋转注入源区夹设于所述体区与所述沟槽的侧壁之间。
3.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述沟槽内还具有：
4.如权利要求3所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述沟槽还包括：
5.如权利要求3所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述沟槽还包括：
6.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述介质隔离部的高度与所述沟槽的深度之比为0.5～1.3：10。
7.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述介质隔离部的高度与所述沟槽的深度之比为0.7～1.1：10。
8.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述介质隔离部的高度与所述沟槽的深度之比为0.9：10。
9.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述旋转注入源区的高度与所述源区本部的高度比为7～10：10。
10.如权利要求2所述的低开关损耗的sgt mosfet器件，其特征在于所述旋转注入源...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃源，高盼盼，
申请(专利权)人：合肥矽普半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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