【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体，具体涉及一种快速关断的sic mosfet器件。
技术介绍
1、sic(碳化硅)mosfet器件是一种新型的半导体器件，与相同功率等级的si mosfet相比，sic mosfet导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，sic mosfet使电力电子电路能够以超快的开关速度工作，同时电压和电流转换速率可以分别远超100v/ns和10a/ns。然而，半导体的开关性能不仅取决于器件的固有特性，通过器件的外部电路和驱动条件设计(如增加一个肖特基管)可以大幅优化器件的关断速度。
2、图1所示，是一种sic mosfet器件，包括外延层(epi)101、外延层101中沟槽(trench)102、栅极多晶硅(gate poly)103、栅极氧化物介质层(gox)104、体区(p-body)105、源区(n+)106、注入区(p+)107、介质隔离层(ild)108、金属层(metal)109等部分。
3、由于该器件需要在外部增加一个肖特基管才能大幅优化器件的关断速度，需要增加额外的成本，因此，有必要加以改之。
技术实现思路
1、针对现有的sic mosfet器件依然存在关断速度较慢，影响器件的快速关断性能的技术问题，本技术目的在于提供一种快速关断的sic mosfet器件
2、本技术的快速关断的sic mosfet器件包括：
3、一外延层；
4、两间隔一定距离的主沟槽，所述主沟槽位于所述外延层上；
<...【技术保护点】
1.一种快速关断的SiC MOSFET器件，所述快速关断的SiC MOSFET器件包括：
2.如权利要求1所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于
3.如权利要求2所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于
4.如权利要求2所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于所述快速关断的SiCMOSFET器件具有：
5.如权利要求4所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于所述快速关断的SiCMOSFET器件具有：
6.如权利要求2所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于还包括：
7.如权利要求6所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于所述外延层中具有：
8.如权利要求7所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于所述注入区的顶部不高于所述体区的底部。
9.如权利要求6所述的快速关断的SiC MOSFET器件，其特征在于所述接触孔的上端连接在所述金属层底部，所述接触孔下端贯穿所述介质隔离层和所述源区并延伸入于所述体区。<...
【技术特征摘要】
1.一种快速关断的sic mosfet器件，所述快速关断的sic mosfet器件包括：
2.如权利要求1所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于
3.如权利要求2所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于
4.如权利要求2所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于所述快速关断的sicmosfet器件具有：
5.如权利要求4所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于所述快速关断的sicmosfet器件具有：
6.如权利要求2所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于还包括：
7.如权利要求6所述的快速关断的sic mosfet器件，其特征在于所述外延层中具有：
8.如权利要求7所述的快速关断的sic ...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃源，高盼盼，
申请(专利权)人：合肥矽普半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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