【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅生产领域中的高纯多晶硅硅块清洗的方法，用于去除多晶硅硅块接触空气时表面产生的氧化层。
技术介绍
多晶硅是半导体行业和太阳能行业的重要原材料，为最终得到质量满足要求的高纯多晶硅，酸腐蚀清洗是必不可少的步骤。俄罗斯稀有金属研究院设计中没有对多晶硅的腐蚀清洗的方法给予具体说明，但是随着全球电子信息产业和光伏产业的迅猛发展，对多晶硅的内在以及外在的品质提出了更高的要求。 原始工艺为多晶硅硅块经过一定比例的氢氟酸(电子级)和硝酸(电子级)混酸腐蚀、纯水(EW-I)漂洗、超声清洗之后真空烘干。但是混酸腐蚀后硅块再次接触空气时会在表面产生氧化层，影响了硅块的表面光泽度和表面质量。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，可以除硅块经过混酸腐蚀的多晶硅硅块再次接触空气后表面产生的氧化层。 为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是，包括以下步骤 在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序； 氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按l : 2 5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓...
【技术保护点】
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，其特征在于包括以下步骤： 在混酸腐蚀和纯水（ＥＷ－Ｉ）漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序； 氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水（ＥＷ－Ｉ）按１∶２～５（重量份）的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度决定； 超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。
【技术特征摘要】
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，其特征在于包括以下步骤在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴学林，卢小丹，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：42[中国|湖北]
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