【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆检测装置。
技术介绍
1、晶圆背面减薄是对已完成功能的晶圆的背面基体材料进行磨削，去掉一定厚度的基体材料。晶圆减薄后，由此生成的芯片有以下优点：一、散热效率显著提高，薄的芯片更有利于热量从衬底导出，提高芯片性能和寿命；二、封装体积减小，厚度的减小也相应地减小了芯片体积，符合微电子产品日益向轻薄短小的方向发展的需求；三、芯片内部应力减少，芯片工作过程中产生热量，芯片越薄，基体层之间的热差异性越小，避免较大的内应力使芯片产生破裂；四、电气性能提高，晶圆厚度越薄背面镀金使地平面越近，生成的芯片高频性能越好；五、划片加工成品率提高，晶圆减薄后可以减轻封装划片时的加工量，避免划片中产生崩边、崩角等缺陷，降低生成的芯片破损概率。
2、但是对于功率器件，晶圆强度在背面减薄工艺加工后会减弱，导致晶圆在进入后续工艺机台中发生碎裂。如果晶圆在机台主工艺腔中碎裂，碎裂晶圆会破坏机台工艺环境、危害机台部件，造成机台报警；如果晶圆在酸槽清洗机台中发生碎裂，碎裂晶圆则会污染所在酸槽，导致酸槽需要更换新的酸液。另外具有隐裂异常的晶圆装载到晶圆贴装机台后，即使没有碎裂，也会因为晶圆边缘缺角或隐裂导致气环过大，无法进行下一步工艺，需要处理后再上贴装机台贴紫外线照射胶带(又称为uv膜)，造成uv膜的过多损耗。如果进入贴装机台前晶圆本身有隐裂但未被发现，还可能会在贴装机台吸真空过程中对隐裂晶圆造成进一步的损害。
3、有碎裂风险隐伤的晶圆不仅影响机台正常运行的产能，还会影响机台部件的失效与更换以及机台耗材的
4、因此，提供一种晶圆检测装置提前发现晶圆隐伤并提出预警对提高机台产能，降低生产成本十分有价值。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种晶圆检测装置，可以检测并提前发现晶圆异常并提出预警。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种晶圆检测装置，包括：一基座，用于放置晶圆；光源，设置于所述基座上方，用于照射所述晶圆表面；感光器件，设置于所述基座上方，用于采集所述晶圆表面的反射光线信息；数据处理单元，与所述感光器件通信，用于获取并分析所述感光器件采集到的反射光线信息，以判断所述晶圆是否具有发生碎裂风险的隐伤。
3、在一些实施例中，所述数据处理单元进一步用于：设置反射光线强度标准阈值；当所述反射光线信息中的光线强度值超过所述光线强度标准阈值时，触发告警。
4、在一些实施例中，所述数据处理单元进一步用于：对标准晶圆的反射光线信息建立标准模型；对比所述标准模型与所获取的所述反射光线信息，通过分析计算，锁定所述晶圆缺陷。
5、在一些实施例中，所述光源以同一角度照射所述晶圆表面不同部位。
6、在一些实施例中，所述光源以不同角度照射所述晶圆表面不同部位。
7、在一些实施例中，所述光源位置能够移动，以多方位多角度照射所述晶圆表面。
8、在一些实施例中，所述光源为多个，以多方位同时照射所述晶圆表面。
9、在一些实施例中，所述感光器件为多个，以多个不同角度同时采集所述晶圆表面的反射光线信息。
10、在一些实施例中，所述基座能够旋转，以带动所述晶圆旋转。
11、在一些实施例中，所述光源为红外光源，所述感光器件为红外相机。
12、上述技术方案，通过分析所述光源照射到所述晶圆表面的反射光线信息，检测所述晶圆可能存在的细微隐裂、缺角、凹坑等异常并提前预警，从而避免所述晶圆进入工艺机台后发生碎裂，进而避免碎裂晶圆对机台环境和组件的影响，提高机台产能，降低机台维护成本。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述数据处理单元进一步用于：将所获取的所述反射光线信息代入预先获取的正常晶圆表面反射光的标准模型，以锁定所述晶圆缺陷。
3.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源以同一角度照射所述晶圆表面不同部位。
4.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源以不同角度照射所述晶圆表面不同部位。
5.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源位置能够移动，以多方位多角度照射所述晶圆表面。
6.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源为多个，以多方位同时照射所述晶圆表面。
7.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述感光器件为多个，以多个不同角度同时采集所述晶圆表面的反射光线信息。
8.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述基座能够旋转，以带动所述晶圆旋转。
9.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源为红外光源，所述感光
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述数据处理单元进一步用于：将所获取的所述反射光线信息代入预先获取的正常晶圆表面反射光的标准模型，以锁定所述晶圆缺陷。
3.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源以同一角度照射所述晶圆表面不同部位。
4.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述光源以不同角度照射所述晶圆表面不同部位。
5.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，许平康，袁纯真，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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