【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感
，具体涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。
技术介绍
目前，国内外的半导体式气体传感器，主要用于检测可燃性气体和有毒气体，在防 止中毒和燃烧爆炸起着日益重要的作用，半导体式气体传感器除了气体敏感元件外，还必 须配置一个加热器，给气体敏感元件加热到所需的工作温度，目前以实用化的Sn02系、ZnO 系气敏元件等无机半导体式气体传感器一般需要加热到300°C 50(TC才有气敏特性，都 需掺入贵金属催化剂来提高其灵敏度和选择性，因而催化剂的活性、寿命等对元件的性能 影响极大。于是又开发了低温加热(15(TC 室温)工作的有机半导体，但由于天然的有机 半导体高电阻在10—9Q以上，且有机半导体的电导率总是要比无机半导体低许多，采用常 用的叉指电极结构，其电阻相当大，易受干扰，不利于后续电路信号采集，给采集信号和后 续电路带来困难，限制了它的实际使用。因此，对无机半导体式气体传感器应有新的发展思 路。 20。C时硅导热系数为150W/mK，导热性能与AlN相比较差，20世纪80年代，氮化铝 作为一种陶瓷绝缘体具有较高的传热能力...
【技术保护点】
ＡｌＮ热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器，其特征在于它包括ＡｌＮ陶瓷基片（１）、两个加热电极（２）、正面加热器（２－１）、背面加热器（２－２）、两个信号电极（３）、两个信号采集片（３－１）、敏感膜（４）和热隔离槽（５），在所述ＡｌＮ陶瓷基片（１）对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽（５），热隔离槽（５）使得在ＡｌＮ陶瓷基片（１）正面和背面各形成四个孤岛凸起（５－１），沿热隔离槽（５）四个方位的边缘刻蚀有四个通孔（１－１），ＡｌＮ陶瓷基片（１）正面设置有加热电极（２）、正面加热器（２－１）、信号电极（３）和信号采集片（３－１），加热电极（２）贯穿在ＡｌＮ陶瓷基片（１）一侧的...
【技术特征摘要】
AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器，其特征在于它包括AlN陶瓷基片(1)、两个加热电极(2)、正面加热器(2-1)、背面加热器(2-2)、两个信号电极(3)、两个信号采集片(3-1)、敏感膜(4)和热隔离槽(5)，在所述AlN陶瓷基片(1)对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽(5)，热隔离槽(5)使得在AlN陶瓷基片(1)正面和背面各形成四个孤岛凸起(5-1)，沿热隔离槽(5)四个方位的边缘刻蚀有四个通孔(1-1)，AlN陶瓷基片(1)正面设置有加热电极(2)、正面加热器(2-1)、信号电极(3)和信号采集片(3-1)，加热电极(2)贯穿在AlN陶瓷基片(1)一侧的两个通孔(1-1)中，信号电极(3)贯穿在另外两个通孔(1-1)中，正面加热器(2-1)为中间带有缺口的蛇形排列结构，两个信号采集片(3-1)插入正面加热器(2-1)的蛇形排列结构中间的缺口，信号采集片(3-1)的引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与信号电极(3)相连通，正面加热器(2-1)的两个引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与加热电极(2)相连通，在信号采集片(3-1)插入加热电极(2)的蛇形排列结构的部分附有敏感膜(4)，AlN陶瓷基片(1)背面的背面加热器(2-2)为蛇形排列结构，并且设置在AlN陶瓷基片(1)背面的中间位置，背面加热器(22)的两个引脚设置在热隔离槽(5)中，并且与加热电极(2)相连通。2. 根据权利要求1所述的A1N热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器，其特征 在于A1N陶瓷基片(1)为正方形。3. 根据权利要求2所述的A1N热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器，其特征 在于A1N陶瓷基片(1)的边长(d)为3. 1 3.3mm，相邻两个通孔(1-1)外边界之间的距 离(1)为2. 9 3. lmm，由热隔离槽(5)形成的孤岛凸起(5-1)为四个等腰梯形，其中每两 个相对的等腰梯形全等，一对孤岛凸起(5-1)等腰梯形的上底(nl)为O. 45 0. 55mm，下底 (ml)为1. 35 1. 45mm，高(hl)为0. 25 0. 35mm，另一对孤岛凸起(5-1)等腰梯形的上底 (n2)为0. 85 0. 95mm，下底(m2)为1. 55 1. 65mm，高(h2)为0. 45 0. 55mm，背面加热 器(2-2)的蛇形排列结构长度(k)为0. 95 1. 05mm，间距(r)为0. 045 0. 055mm，敏感 膜(4)长度(e)为0. 5 0. 6mm，宽度(f)为0. 2 0. 25mm，正面加热器(2-1)蛇形排列结 构的长度(P)为1. 04 1. 06mm，敏感膜(4)宽度(f)小于正面加热器(2-1)中间缺口的宽 度，通孔(1-1)为正方形，边长(w)为0. 3 0. 5mm，两个信号采集片(3-1)插入正面加热器 (2...
【专利技术属性】
技术研发人员：施云波，赵文杰，周真，修德斌，冯侨华，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]
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