本发明专利技术属于电力电子技术领域，尤其涉及一种芯片布线方法、热分析装置、驱动芯片及控制器；其第一工况数据处理步骤/单元与第二工况数据处理/单元分别得到了目标芯片稳态和瞬态工况下驱动端导体（009）几何参数序列的第一阈值序列（110）和第二阈值序列（220）；其第三工况数据综合步骤/单元根据几何参数序列中选定的分量比较第一阈值序列（110）和第二阈值序列（220），并以对应阈值中利于减小驱动端导体（009）发热的对应阈值作为驱动端导体（009）制备的工艺参数（123）；适于热分析装置（600）、驱动芯片（700）和控制器（901）等集成了控制逻辑电路（030）和负载驱动模块（070）芯片的设计、仿真和热分析；有利于规避热失效风险并提升产品可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电力电子，尤其涉及一种芯片布线方法、热分析装置、驱动芯片及控制器。
技术介绍
1、 为了简化产品结构，减少电路板上元器件的数量；用于处理信息的逻辑电路（单元）和用于功率（电压和/或电流）输出的驱动电路（单元）常被集成到同一芯片之上；例如，在车辆电控系统的高边驱动hsd（high side drivers）、低边驱动lsd（low side drivers）和h桥（h bridge）驱动等应用中，均采用了类似的集成结构。
2、为了确保上述结构的安全、稳定运行，集成芯片配套设计了过流保护和过温保护单元，可通过实时监测电流和温度来避免危害的发生；当驱动芯片的电流或温度超过预设的安全阈值时，对应的驱动电路将被关断，从而避免了器件的损坏。
3、但是，在实际应用中，上述驱动结构与负载之间的导体路径，即走线部分，在上述过流、过温保护尚未动作时，常出现过载或损坏的情况；因此，为了确保此类集成芯片的可靠运行，有必要对导体路径在该走线部分的结构进行改进设计。
技术实现思路
>1、本专利技术实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片布线方法，其特征在于包括第一工况数据处理步骤（100）、第二工况数据处理步骤（200）、第三工况数据综合步骤（300）；所述第一工况数据处理步骤（100）获取目标芯片稳态或额定工作状态时所带第一负载（777）的第一电流信息，并根据所述第一电流信息确定所述目标芯片与所述第一负载（777）之间驱动端导体（009）几何参数序列的第一阈值序列（110），所述几何参数序列包括所述驱动端导体（009）的横截面面积和/或宽度；所述第二工况数据处理步骤（200）根据所述目标芯片过流阈值和/或瞬态热阻特性确定所述几何参数序列对应的第二阈值序列（220）；所述第三工况数据综合步骤（300）根据所...
【技术特征摘要】
1.一种芯片布线方法，其特征在于包括第一工况数据处理步骤（100）、第二工况数据处理步骤（200）、第三工况数据综合步骤（300）；所述第一工况数据处理步骤（100）获取目标芯片稳态或额定工作状态时所带第一负载（777）的第一电流信息，并根据所述第一电流信息确定所述目标芯片与所述第一负载（777）之间驱动端导体（009）几何参数序列的第一阈值序列（110），所述几何参数序列包括所述驱动端导体（009）的横截面面积和/或宽度；所述第二工况数据处理步骤（200）根据所述目标芯片过流阈值和/或瞬态热阻特性确定所述几何参数序列对应的第二阈值序列（220）；所述第三工况数据综合步骤（300）根据所述几何参数序列中选定的分量比较所述第一阈值序列（110）和所述第二阈值序列（220）中的对应阈值，并以所述对应阈值中利于减小所述驱动端导体（009）发热的所述对应阈值作为所述驱动端导体（009）制备的工艺参数（123）。
2.如权利要求1的所述芯片布线方法，其中：所述目标芯片为需要进行所述几何参数序列设计、仿真和/或热分析的芯片。
3.如权利要求1或2的所述芯片布线方法，其中：所述目标芯片包括输出功率大于预设负载功率阈值的驱动芯片（700），所述驱动芯片（700）集成有控制逻辑电路（030）和负载驱动模块（070）；所述控制逻辑电路（030）包括过流保护电路（010）和/或过温保护电路（050）。
4.如权利要求3的所述芯片布线方法，其中：所述瞬态热阻特性包括热阻值与时间的对应关系；所述负载驱动模块（070）包括n沟道金属氧化物绝缘栅场效应管nmosfet结构。
5.如权利要求1、2或4中任一项的所述芯片布线方法，其中：根据所述过流阈值解算得到瞬态热阻参数；进而得到所述瞬态热阻参数对应的反推过流阈值和反推时间长度；并由所述反推过流阈值和所述反推时间长度得到所述第二阈值序列（220）。
6.如权利要求5的所述芯片布线方法，其中：所述第一阈值序列（110）和所述第二阈值序列（220）包括不同温度下的阈值所构成的阈值序列；所述不同温度包括所述目标芯片额定工作温度或指定工作温度；所述额定工作温度包括指定的室温参考值或25摄氏度；所述指定工作温度，包括指定测试过程所要求的温度；所述指定温度包括85摄氏度。
7.如权利要求6的所述芯片布线方法，其中：第三工况数据综合步骤（300）还比较所述额定工作温度与所述指定工作温度下各自获得的所述工艺参数（123），保留利于减小所述驱动端导体（009）发热的所述工艺参数（123），并剔除或放弃不利于减小所述驱动端导体（009）发热的所述工艺参数（123）。
8.如权利要求1、2、4、6或7中任一项的所述芯片布线方法，其中：所述瞬态热阻特性包括由瞬态热阻z、材料热阻ja和/或接触面热阻jc对应的热传导关系；所述驱动端导体（009）的所述宽度为所述目标芯片指定位置的线宽或所述线宽的最小值。
9.一种热分析装置（600），包括第一工况数据处理单元（610）、第二工况数据处理单元（620...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪有敏，邹素瑞，胡智杨，唐巍，高卫哲，
申请(专利权)人：联合汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。