【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体存储器件，更具体地，涉及一种具有电气可靠性的半导体存储器件。
技术介绍
1、依照电子工业的快速发展和用户的需求，电子装置正在变得更小且更轻。因此，用于电子装置的半导体存储器件需要高集成度。在这方面，半导体存储器件的部件的设计规则正在减少。
技术实现思路
1、本公开涉及一种具有电气可靠性的半导体存储器件。
2、根据实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括位于存储单元区域中的多个有源区域和位于外围电路区域中的至少一个逻辑有源区域；字线，所述字线在所述多个有源区域上沿第一水平方向延伸；位线结构，所述位线结构在所述多个有源区域上沿与所述第一水平方向正交的第二水平方向延伸，并且所述位线结构包括位线、覆盖绝缘结构和绝缘盖结构，所述覆盖绝缘结构位于所述位线的端部的侧表面上，所述绝缘盖结构位于所述位线和所述覆盖绝缘结构上；以及栅极线，所述栅极线位于所述至少一个逻辑有源区域上。
3、根据实施例的另一方面，一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线具有包括第一金属导电层和第二金属导电层的堆叠结构，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属导电层位于所述第二金属导电层与所述覆盖绝缘结构之间。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属导电层覆盖所述覆盖绝缘结构的顶表面。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述栅极线具有包括第三金属导电层和第四金属导电层的堆叠结构，并且
6.根据权利要求2所述的半导体存储...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线具有包括第一金属导电层和第二金属导电层的堆叠结构，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属导电层位于所述第二金属导电层与所述覆盖绝缘结构之间。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属导电层覆盖所述覆盖绝缘结构的顶表面。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述栅极线具有包括第三金属导电层和第四金属导电层的堆叠结构，并且
6.根据权利要求2所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述覆盖绝缘结构位于所述逻辑器件隔离层上，并且
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述覆盖绝缘结构的最上端和所述第二金属导电层的最上端处于相同的水平高度。
9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属导电层的最上端和所述第二金属导电层的最上端处于相同的水平高度。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述绝缘盖结构的一部分和所述覆盖绝缘结构包括相同的材料。
11.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
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