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提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括位于存储单元区域中的多个有源区域和位于外围电路区域中的至少一个逻辑有源区域；字线，所述字线在所述多个有源区域上沿第一水平方向延伸；位线结构，所述位线结构在所述多个有源区域上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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