【技术实现步骤摘要】
实施例涉及三维半导体存储器装置和包括该三维半导体存储器装置的电子系统。具体地，实施例可以涉及包括垂直沟道结构的非易失性三维半导体存储器装置、制造该非易失性三维半导体存储器装置的方法以及包括该非易失性三维半导体存储器装置的电子系统。
技术介绍
1、作为电子系统的一部分，需要能够存储大量数据的半导体装置。期望半导体装置的更高集成度以满足消费者对大数据存储容量、优异性能和低廉价格的需求。在二维或平面半导体装置的情况下，它们的集成度主要由单位存储器单元占据的面积决定。因此，精细图案形成技术的程度极大地影响集成度。然而，增加图案精细度所需的极其昂贵的工艺设备对增加二维或平面半导体装置的集成度设定了实际限制。因此，最近已经提出了包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。
技术实现思路
1、实施例提供了一种具有改善的电特性和可靠性特性的三维半导体存储器装置，以及一种降低制造三维半导体存储器装置的工艺中的工艺难度和成本的方法。
2、根据实施例，可以提供包括三维半导体存储器装置的电子系统。
3、根本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，绝缘层覆盖虚设垫的顶表面。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫包括与第二垫部相邻的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面，并且
4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器装置，其中，第二侧表面与层间绝缘层中的所述一个层间绝缘层的侧表面和第一垫部的侧表面对齐。
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫将层间绝缘层中的所述一个层间绝缘层的连接部分暴露于外部。
...
【技术特征摘要】
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，绝缘层覆盖虚设垫的顶表面。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫包括与第二垫部相邻的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面，并且
4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器装置，其中，第二侧表面与层间绝缘层中的所述一个层间绝缘层的侧表面和第一垫部的侧表面对齐。
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫将层间绝缘层中的所述一个层间绝缘层的连接部分暴露于外部。
6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，层间绝缘层中的所述一个层间绝缘层的连接部分接触绝缘层。
7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫包括与栅电极的材料相同的材料。
8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设垫的厚度大于第二垫部的厚度。
9.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，源极结构包括顺序堆叠在第一基底上的第一源极导电图案和第二源极导电图案...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇珉，李大永，李善伊，崔在镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。