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提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括基底、包括交替堆叠在基底上的层间绝缘层和栅电极的堆叠件、在每个栅电极的垫部上的虚设垫、在基底和堆叠件之间的源极结构以及穿透堆叠件和源极结构的第一垂直沟道结构。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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