画素阵列基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种画素阵列基板，包含一基板具有一主动区以及一拟画素区，一第一周边区，位于主动区的第一边缘并与资料线平行，一第二周边区，位于主动区的与第一边缘垂直的第二边缘，一第三周边区，位于主动区的与第二边缘平行第三边缘，一第一修补线分为第一修补线段、第二修补线段和第三修补线段，第一修补线段分别和第二修补线段和第三修补线段电性连接，其中第一修补线段设置于第一周边区内，第二修补线段设置于拟画素区内，第三修补线段设置于第三周边区内。本实用新型专利技术可以大幅减少修补线段的长度进而降低修补线段的电阻值。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术关于一种画素阵列基板的结构，特别是关于一种将修补线设置于拟画 素区的画素阵列基板的结构。
技术介绍
近年来，液晶显示器系广泛地应用于液晶荧幕以及液晶电视等产品，并且朝着大 尺寸的趋势发展。然而，大尺寸液晶显示器需要长度较长的线路，例如扫描线以及资料线， 来驱动各个画素单元的薄膜电晶体。因此，在制造过程中容易于主要线路中形成断线缺陷。在面板的生产过程中，画素常易受到制程污染或是静电破坏，造成线缺陷(line defect)与点缺陷(pixel defect)，所谓的线缺陷意指某信号线断路，而点缺陷则意指因薄 膜电晶体异常的短路或断路所造成的画素缺陷。一般来说，为了修补线缺陷，会在制作基板时在基板上预先设计修补线，修补线的 位置通常在基板的周边电路区域，当发现资料线产生断路时，则可以使用激光光束将断路 的资料线与修补线熔接在一起，使得资料线可通过修补线重新导通，资料信号也因而能传 送到所有与此资料线相连的画素的源极电极。然而，当面板不断地朝向大尺寸发展时，修补线的走线路径将随之增加。当修补线 的长度增加时，控制信号传输于修补线上的电阻也随之增加。因此对于大尺寸的液晶显示 面板，如何能改善传输于修补线上的信号衰减并维持液晶显示装置的制造成本便是目前面 板产业即需解决的课题
技术实现思路
由于上述现有技术存在的问题，本技术提供了一种画素阵列基板的结构，其 可降低位于画素阵列基板上的修补线的总电阻值。本技术的一较佳实施例提出一种画素阵列基板，包含一基板，其上定义有一 主动区以及一拟画素区，其中拟画素区至少位于主动区的一侧并与主动区邻接，多条资料 线，设置于基板的主动区，且各条资料线分别延伸至拟画素区，多条扫描线，设置于基板的 主动区，且各条扫描线与各条资料线彼此交错而于主动区内定义出多个画素，多个画素电 极，分别设置于基板的主动区的各个画素内，一第一周边区，位于主动区的一第一边缘并与 每一条资料线平行，一第二周边区，位于主动区的一第二边缘，其中第二边缘与第一边缘垂 直，且部分的第二周边区与拟画素区重迭，一第三周边区，位于主动区的一第三边缘，其中 第三边缘与第二边缘平行。画素阵列基板另包含一第一修补线，包含至少一第一修补线段， 位于第一周边区内，一第二修补线段，位于拟画素区内，且第二修补线段与第一修补线段电 性连接以及一第三修补线段，位于第三周边区内，且第三修补线段与第一修补线段电性连 接。画素阵列基板另包含一第二修补线，包含一第四修补线段，位于第二周边区内，第四修 补线段与源极驱动晶片部分重迭，一第五修补线段，位于第二周边区的电路板上以及一第 六修补线段，由第一周边区延伸至第二周边区并且电性连接第五修补线段与第一修补线段。根据本技术的另一较佳实施例，当一资料线发生缺陷时，电性连接第二修补 线段与资料线的一第一端，以及电性连接第三修补线段与资料线的一第二端。根据本技术的另一较佳实施例，当一资料线发生缺陷时，电性连接第四修补 线段和第五修补线段、电性连接第四修补线段与资料线的一第一端，以及电性连接第三修 补线段与资料线的一第二端。在本技术中，特别将部分的修补线放置于拟画素区，如此可缩短修补线的长 度，再者，由于拟画素区无显示功能，因此修补线放置在拟画素区不会影响后续形成的面板 的开口率，也可以减少周边区的面积。附图说明10、100、画素阵列基板12基板200,300,400,50014主动区16拟画素区18资料线18断线的资和20扫描线22画素24拟画素26薄膜电晶体28画素电极30共通线32第一周边区34第一边缘36第二周边区38第二边缘40第三周边区42第三边缘44闸极驱动晶片46源极驱动晶片48可挠性基板50电路板52,152第一修补线54、154第一修补线段56,156第二修补线段58,158第三修补线段62,162第二修补线64、164第四修补线段66、166第五修补线段68、168第六修补线段70、72、170、连接点172、270、2具体实施方式在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具 有通常知识者应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利 亚球书并不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别 的基准。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成 「包含但不限定于」。此外，「电性连接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因 此，若文中描述一第一装置电性连接于一第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第 二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。在下文的各实施例，对于相 同元件使用相同元件标注。另外，需注意的是图式仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。图1为根据本技术的第一较佳实施例绘示的画素阵列基板。图2为图1中的 画素的放大示意图。图3为图1中的拟画素的放大示意图。如图1所示，一画素阵列基板10包含一基板12其上定义有一主动区14以及一拟 画素区(dummy pixel region) 16，其中拟画素区16至少位于主动区14的一侧并与主动区 14邻接。多条资料线18和多条扫描线20彼此交错排列于画素阵列基板10上并且在主动 区14内定义出多个画素22且在拟画素区16中定义出多个拟画素24。图2和图3详细地 绘示出画素和拟画素的差异，如图2所示，画素22中具有资料线18、扫描线20、薄膜电晶体 26、画素电极28和共通线30，如图3所示，拟画素24内有资料线18、扫描线20、薄膜电晶体 26，而没有画素电极28和共通线30，因此，画素22具有显示图像的功用，而拟画素24则没 有显示图像的功能，由于拟画素24没有显像功能，因此，在本技术中将修补线设置于 拟画素24中，例如图2中的修补线56，详细的修补线走线方式，将于后文详述。此外，拟画 素的主要功用在于平衡位在主动区14边缘的画素的电阻和电容值，使得在主动区14中的 各个画素的电阻和电容值大致上相同。此外，一第一周边区32，位于主动区14的一第一边缘34并与资料线18平行，一第 二周边区36，位于主动区14的一第二边缘38，其中第二边缘38与第一边缘34垂直，并且 第二周边区36和拟画素区16部分重迭，一第三周边区40，位于主动区14的一第三边缘 42，其中第三边缘42与第二边缘38平行。在本实施例中，前述的第一周边区32、第二周边 区36、第三周边区40所涵盖的范围包含了主动区14外围的基板12以及不在基板12上的 部分。根据本技术的一较佳实施例，画素阵列基板10具有两个第一周边区32分别位 于主动区14的相对两侧，其中的一个第一周边区32上会设置至少一闸极驱动晶片44，用 来输入信号至扫描线20。再者，画素阵列基板10另包含至少一源极驱动晶片46、一可挠性 基板48以及一电路板50设置于第二周边区36内，源极驱动晶片46设置于可挠性基板48 上，并与可挠性基板48共同形成一个组合元件，可挠性基板48的一侧与电路板50接合，另 一侧与基板12接合，而源极驱动晶片46可经由可挠性基板48与电路板50电性连接，此外 可挠性基板48和源极驱动晶片46所构成的组合元件，可以为单个或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素阵列基板，其特征在于：包含：一基板，其上定义有一主动区以及一拟画素区，其中该拟画素区至少位于该主动区的一侧并与该主动区邻接；多条资料线，设置于所述基板的主动区和拟画素区；多条扫描线，设置于所述基板的主动区和拟画素区，且该些扫描线与所述资料线彼此交错而在所述主动区内定义出多个画素；多个画素电极，分别设置于所述基板的主动区的各该画素内；一第一周边区，位于所述主动区的一第一边缘并与该些资料线平行；一第二周边区，位于所述主动区的一第二边缘，其中该第二边缘与所述第一边缘垂直，且部分该第二周边区与所述拟画素区重迭；一第三周边区，位于所述主动区的一第三边缘，其中该第三边缘与所述第二边缘平行；一第一修补线，包含：至少一第一修补线段，位于所述第一周边区内；一第二修补线段，位于所述拟画素区内，且该第二修补线段与所述第一修补线段电性连接；以及一第三修补线段，位于所述第三周边区内，且该第三修补线段与所述第一修补线段电性连接。

【技术特征摘要】
一种画素阵列基板，其特征在于包含一基板，其上定义有一主动区以及一拟画素区，其中该拟画素区至少位于该主动区的一侧并与该主动区邻接；多条资料线，设置于所述基板的主动区和拟画素区；多条扫描线，设置于所述基板的主动区和拟画素区，且该些扫描线与所述资料线彼此交错而在所述主动区内定义出多个画素；多个画素电极，分别设置于所述基板的主动区的各该画素内；一第一周边区，位于所述主动区的一第一边缘并与该些资料线平行；一第二周边区，位于所述主动区的一第二边缘，其中该第二边缘与所述第一边缘垂直，且部分该第二周边区与所述拟画素区重迭；一第三周边区，位于所述主动区的一第三边缘，其中该第三边缘与所述第二边缘平行；一第一修补线，包含至少一第一修补线段，位于所述第一周边区内；一第二修补线段，位于所述拟画素区内，且该第二修补线段与所述第一修补线段电性连接；以及一第三修补线段，位于所述第三周边区内，且该第三修补线段与所述第一修补线段电性连接。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓印翔，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]