【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及常压化学沉积，特别是涉及一种apcvd设备的晶圆吸附加热装置。
技术介绍
1、apcvd即常压化学气相沉积，是指在压力接近大气压力的环境下，将工艺气体01匀速喷射至加热的固体衬底表面，使反应源在衬底表面发生化学反应，反应产物在衬底表面沉积形成薄膜。常规加热方式是用石墨基座盛放需沉积薄膜的晶圆，并在传送带02上进行移动；传送带02空间环绕有感应线圈03或者石墨基座下有电阻加热器05，设置有石墨基板及线圈04，通过射频感应加热石墨基座或者利用电阻加热器加热石墨基座，利用发热的石墨基座加热需沉积薄膜的晶圆。这种大气压下的移动沉积方式，容易引入外部杂质和污染物；感应线圈03的磁场不均匀性会导致沉积薄膜的变异性和不一致性，普通的电阻加热器也存在加热不均匀的情况，同样会导致沉积薄膜的变异性和不一致性。
技术实现思路
1、为解决以上技术问题，本专利技术提供一种apcvd设备的晶圆吸附加热装置，采用倒吸式吸附加热，可有效降低灰尘等杂质对晶圆的污染，增强晶圆沉积面上薄膜的均匀性；增设维护、替换部件空间位置，降低维护难度和成本。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、本专利技术提供一种apcvd设备的晶圆吸附加热装置，包括壳体、加热器组件、真空吸附系统和运动机构；所述壳体的底部敞口设置；所述真空吸附系统包括真空发生器；所述运动机构包括真空发生器固定环和导向环；所述导向环设置于所述真空发生器固定环的周围，所述真空发生器固定环设置于所述真空发生器的周围；
4、可选的，所述加热器组件包括加热体、绝缘板、上固定板、下固定板和保温材；所述绝缘板设置于所述加热体的上部，所述下固定板设置于所述加热体的下部及周围，所述上固定板设置于所述绝缘板上方并延伸至所述下固定板上方；所述保温材设置于所述上固定板和所述下固定板与所述壳体之间的空腔内。
5、可选的，所述加热体为电阻式加热，加热范围为室温至450℃，温度均匀性为±4℃。
6、可选的，所述真空吸附系统还包括真空管路、弹簧、气嘴和真空泵；所述真空泵的进口与所述气嘴通过所述真空管路相连通；所述气嘴设置于所述加热器组件中的加热体上方，所述加热体和所述真空发生器的中部相对应的设置有贯通气孔，所述气嘴位于所述贯通气孔正上方；所述弹簧套在所述真空管路上并位于所述气嘴上方。
7、可选的，所述运动机构还包括第一气缸、第二气缸、第一安装板、第二安装板、第三安装板、第四安装板和气缸安装板；所述第四安装板位于所述壳体的上方，所述第四安装板与所述壳体的顶部之间通过导向轴相连接，所述第三安装板位于所述壳体的上方并位于所述第四安装板上方，且所述第三安装板与所述壳体的顶部之间通过导向轴相连接；所述第二安装板设置于所述第三安装板上方，所述第三安装板与所述第二安装板之间通过导向轴相连接；所述第一安装板位于所述第二安装板上方，所述第一安装板和所述第二安装板之间通过支撑轴相连接；所述气缸安装板为z型结构，所述气缸安装板位于所述第四安装板上方，所述第一气缸的缸体与所述气缸安装板相连接，所述第一气缸的缸杆与所述第一安装板相连接；所述第二气缸的缸体与所述气缸安装板相连接，所述第二气缸的缸杆与所述第四安装板相连接。
8、可选的，所述第二安装板与所述壳体之间、所述第三安装板与所述壳体之间均设置有外附弹簧，所述外附弹簧用于使所述第二安装板和所述第三安装板复位。
9、可选的，所述真空发生器和所述真空发生器固定环均采用高纯度的sic或si或al2o3或石英制作。
10、本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
11、本专利技术中的apcvd设备的晶圆吸附加热装置，倒吸式吸附晶圆，并对晶圆进行加热，杂质颗粒因重力下落后被气流带走，可有效降低灰尘等杂质对晶圆的污染；运动机构可带动真空发生器和真空发生器固定环上下运动，降低了真空发生器及真空发生器固定环的维护难度，提高了真空发生器及真空发生器固定环清理的便捷性，提高了设备可维护性，降低了后期维护保养成本。
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1.一种APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，包括壳体、加热器组件、真空吸附系统和运动机构；所述壳体的底部敞口设置；所述真空吸附系统包括真空发生器；所述运动机构包括真空发生器固定环和导向环；所述导向环设置于所述真空发生器固定环的周围，所述真空发生器固定环设置于所述真空发生器的周围；所述加热器组件设置于所述壳体的底部并位于所述真空发生器的上方。
2.根据权利要求1所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述加热器组件包括加热体、绝缘板、上固定板、下固定板和保温材；所述绝缘板设置于所述加热体的上部，所述下固定板设置于所述加热体的下部及周围，所述上固定板设置于所述绝缘板上方并延伸至所述下固定板上方；所述保温材设置于所述上固定板和所述下固定板与所述壳体之间的空腔内。
3.根据权利要求2所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述加热体为电阻式加热，加热范围为室温至450℃，温度均匀性为±4℃。
4.根据权利要求1所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述真空吸附系统还包括真空管路、弹簧、气嘴和真空泵；所述真
5.根据权利要求1所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述运动机构还包括第一气缸、第二气缸、第一安装板、第二安装板、第三安装板、第四安装板和气缸安装板；所述第四安装板位于所述壳体的上方，所述第四安装板与所述壳体的顶部之间通过导向轴相连接，所述第三安装板位于所述壳体的上方并位于所述第四安装板上方，且所述第三安装板与所述壳体的顶部之间通过导向轴相连接；所述第二安装板设置于所述第三安装板上方，所述第三安装板与所述第二安装板之间通过导向轴相连接；所述第一安装板位于所述第二安装板上方，所述第一安装板和所述第二安装板之间通过支撑轴相连接；所述气缸安装板为Z型结构，所述气缸安装板位于所述第四安装板上方，所述第一气缸的缸体与所述气缸安装板相连接，所述第一气缸的缸杆与所述第一安装板相连接；所述第二气缸的缸体与所述气缸安装板相连接，所述第二气缸的缸杆与所述第四安装板相连接。
6.根据权利要求5所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述第二安装板与所述壳体之间、所述第三安装板与所述壳体之间均设置有外附弹簧，所述外附弹簧用于使所述第二安装板和所述第三安装板复位。
7.根据权利要求1所述的APCVD设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述真空发生器和所述真空发生器固定环均采用高纯度的SiC或Si或Al2O3或石英制作。
...【技术特征摘要】
1.一种apcvd设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，包括壳体、加热器组件、真空吸附系统和运动机构；所述壳体的底部敞口设置；所述真空吸附系统包括真空发生器；所述运动机构包括真空发生器固定环和导向环；所述导向环设置于所述真空发生器固定环的周围，所述真空发生器固定环设置于所述真空发生器的周围；所述加热器组件设置于所述壳体的底部并位于所述真空发生器的上方。
2.根据权利要求1所述的apcvd设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述加热器组件包括加热体、绝缘板、上固定板、下固定板和保温材；所述绝缘板设置于所述加热体的上部，所述下固定板设置于所述加热体的下部及周围，所述上固定板设置于所述绝缘板上方并延伸至所述下固定板上方；所述保温材设置于所述上固定板和所述下固定板与所述壳体之间的空腔内。
3.根据权利要求2所述的apcvd设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述加热体为电阻式加热，加热范围为室温至450℃，温度均匀性为±4℃。
4.根据权利要求1所述的apcvd设备的晶圆吸附加热装置，其特征在于，所述真空吸附系统还包括真空管路、弹簧、气嘴和真空泵；所述真空泵的进口与所述气嘴通过所述真空管路相连通；所述气嘴设置于所述加热器组件中的加热体上方，所述加热体和所述真空发生器的中部相对应的设置有贯通气孔，所述气嘴位于所述贯通气孔正上方；所述弹簧套在所述真空管路上并...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，潘建栋，何程程，
申请(专利权)人：宁波恒普技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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