本实用新型专利技术公开了一种多段连接式炉体,涉及半导体制备技术领域,包括自上而下依次能够拆卸地连接的上盖板、进气室壳体、上部壳体、下部壳体、底板,上盖板设置在进气室壳体的顶部,上盖板上开设有进气口,进气室壳体的内部形成进气室,上部壳体的内部形成上部腔体,下部壳体的内部形成下部腔体,上部腔体和下部腔体依次连通并形成反应室,上部腔体中设置有热场电极,下部腔体中设置有基座,底板上设置有排气口,进气口、进气室、反应室和排气口依次连通。本实用新型专利技术的各区域可分别从上向下安装,降低安装固定难度,同时便于检修。同时便于检修。同时便于检修。
【技术实现步骤摘要】
一种多段连接式炉体
[0001]本技术涉及半导体制备
,特别是涉及一种多段连接式炉体。
技术介绍
[0002]成膜装置进行半导体晶片制备,反应腔内升温至工艺目标温度,通入原料气体与随基座高速旋转的晶片接触进行外延生长。反应室内包含众多的功能组件。传统装置结构为上、下盖板和腔体组成。
[0003]由于反应室内部部件较多,采用一体式腔体结构,内部部件的固定安装汇聚于底板和腔体上部,安装较为不便且导致反应室腔体结构复杂。工艺过程中部件发生损坏需依次将有干涉的部件取出后更换受损部件,清理维修工序繁多。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种多段连接式炉体,以解决上述现有技术存在的问题,各区域可分别从上向下安装,降低安装固定难度,同时便于检修。
[0005]为实现上述目的,本技术提供了如下方案:
[0006]本技术提供了一种多段连接式炉体,包括自上而下依次能够拆卸地连接的上盖板、进气室壳体、上部壳体、下部壳体、底板,所述上盖板设置在所述进气室壳体的顶部,所述上盖板上开设有进气口,所述进气室壳体的内部形成进气室,所述上部壳体的内部形成上部腔体,所述下部壳体的内部形成下部腔体,所述上部腔体和所述下部腔体依次连通并形成反应室,所述上部腔体中设置有热场电极,所述下部腔体中设置有基座,所述底板上设置有排气口,所述进气口、所述进气室、所述反应室和所述排气口依次连通。
[0007]优选地,所述进气室壳体和所述上部壳体之间通过过渡盖板连接,所述过渡盖板的内侧设置有保温层。
[0008]优选地,所述过渡盖板中所述保温层的内侧设置有导向罩。
[0009]优选地,所述上部腔体和所述下部腔体中均设置有保温层,所述上部腔体中的所述保温层位于所述热场电极的外侧。
[0010]优选地,所述上部壳体包括自下而上能够拆卸连接的第一上壳体和第二上壳体,所述第一上壳体的内部形成第一上腔体,所述第二上壳体的内部形成第二上腔体,所述第一上腔体和所述第二上腔体形成所述上部腔体。
[0011]优选地,所述热场电极位于所述第二上腔体,所述第一上腔体和所述第二上腔体中均设置有保温层,所述第二上腔体中的保温层位于所述热场电极的外侧。
[0012]优选地,所述第一上腔体中的所述保温层的内侧设置有第一导流筒,所述第二上腔体中的所述保温层的内侧设置有第二导流筒。
[0013]优选地,所述基座与所述下部壳体之间形成排气流道,所述排气流道与所述排气口连通。
[0014]优选地,所述上盖板、所述进气室壳体、所述上部壳体、所述下部壳体和所述底板
依次通过法兰连接,相邻的所述法兰的连接面之间设置有密封件。
[0015]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果:
[0016]本技术的多段连接式炉体将反应室内部件划分为多个区域,安装时依序装入各自对应的腔体区域,拆分后腔体结构得以简化。搭配分段提升结构,维修时仅需整体抬升上部腔体,拆装个别零部件即可完成。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术的多段连接式炉体内部腔体划分以及多段连接式炉体和提升结构连接示意图;
[0019]图2为本技术的进气室单独提升示意图;
[0020]图3为反应室除下部腔体外其余各腔体提升示意图;
[0021]图4为反应室整体提升示意图;
[0022]图5为反应室提升后随提升立柱旋转90
°
开启示意图;
[0023]其中:1
‑
进气室,2
‑
过渡盖板,3
‑
第一上腔体,4
‑
第二上腔体,5
‑
下部腔体,6
‑
底板,7
‑
固定板,8
‑
上盖提升固定板,9
‑
上盖提升立柱,10
‑
腔体提升固定板,11
‑
腔体提升立柱,12
‑
导向罩,13
‑
热场电极,14
‑
基座,15
‑
保温层,16
‑
排气口,17
‑
排气流道,18
‑
第一导流筒,19
‑
第二导流筒。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0025]本技术的目的是提供一种多段连接式炉体,以解决上述现有技术存在的问题,各区域可分别从上向下安装,降低安装固定难度,同时便于检修。
[0026]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0027]如图1至图5所示:本实施例提供了一种多段连接式炉体,包括自上而下依次能够拆卸地连接的上盖板、进气室壳体、上部壳体、下部壳体、底板6,上盖板设置在进气室壳体的顶部,上盖板上开设有进气口,进气室壳体的内部形成进气室1,进气室1可放置进气组件,用以调整气体流向并改善进气均匀性,上部壳体的内部形成上部腔体,下部壳体的内部形成下部腔体5,上部腔体和下部腔体5依次连通并形成反应室,上部腔体中设置有热场电极13,用于对内部流道通过的气体进行预热,下部腔体5中设置有基座14,基座14用于承载晶,基座14与下部壳体之间形成排气流道17,底板6上设置有排气口16,进气口、进气室1、反应室、排气流道17和排气口16依次连通。
[0028]本实施例中,进气室1与反应室直径尺寸差别较大,因此,进气室壳体和上部壳体之间通过过渡盖板2过渡并连接,过渡盖板2的内侧设置有保温层15,保温层15的内侧设置有导向罩12。
[0029]本实施例中,上部腔体和下部腔体5中均设置有保温层15,上部腔体中的保温层15位于热场电极13的外侧。
[0030]本实施例中,上部壳体可根据热场电极13固定位置进一步拆分成自下而上能够拆卸连接的第一上壳体和第二上壳体,降低制造难度,第一上壳体的内部形成第一上腔体3,第二上壳体的内部形成第二上腔体4,第一上腔体3和第二上腔体4形成上部腔体。
[0031]本实施例中,热场电极13位于第二上腔体4,第一上腔体3和第二上腔体4中均设置有保温层15,第二上腔体4中的保温层15位于热场电极13的外侧。
[0032]本实施例中,本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多段连接式炉体,其特征在于:包括自上而下依次能够拆卸地连接的上盖板、进气室壳体、上部壳体、下部壳体、底板,所述上盖板设置在所述进气室壳体的顶部,所述上盖板上开设有进气口,所述进气室壳体的内部形成进气室,所述上部壳体的内部形成上部腔体,所述下部壳体的内部形成下部腔体,所述上部腔体和所述下部腔体依次连通并形成反应室,所述上部腔体中设置有热场电极,所述下部腔体中设置有基座,所述底板上设置有排气口,所述进气口、所述进气室、所述反应室和所述排气口依次连通。2.根据权利要求1所述的多段连接式炉体,其特征在于:所述进气室壳体和所述上部壳体之间通过过渡盖板连接,所述过渡盖板的内侧设置有保温层。3.根据权利要求2所述的多段连接式炉体,其特征在于:所述过渡盖板中所述保温层的内侧设置有导向罩。4.根据权利要求3所述的多段连接式炉体,其特征在于:所述上部腔体和所述下部腔体中均设置有保温层,所述上部腔体中的所述保温层位于所述热场电极的外侧。5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,徐文立,唐凯凯,沈磊,
申请(专利权)人:宁波恒普技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。