System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() MEMS陀螺及微机电系统技术方案_技高网
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MEMS陀螺及微机电系统技术方案

技术编号:41062931 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-24 11:15
本发明专利技术涉及陀螺仪技术领域,公开一种MEMS陀螺及微机电系统,该MEMS陀螺包括:检测音叉以及短接电极;检测音叉由上石英压电结构和下石英压电结构构成;短接电极设于检测音叉的外侧壁,且覆盖上石英压电结构的外侧壁和下石英压电结构的外侧壁;其中,上石英压电结构通过短接电极与下石英压电结构串联。本发明专利技术通过短接电极将上石英压电结构的外侧壁和下石英压电结构的外侧壁串联,无需制作多个电极形成分离电极,有效降低了陀螺电极的制作工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陀螺仪,尤其涉及一种mems陀螺及微机电系统。


技术介绍

1、基于微机电系统(micro-electro-mechanical systems,mems)技术的陀螺广泛应用于飞行器、汽车导航、工业自动化以及消费电子等领域。

2、音叉式石英mems陀螺作为当前应用广泛的mems陀螺,其检测音叉在检测到振动时,可基于侧壁制作的分离电极产生电信号,基于该电信号便可实现输入角速度的测量。但是,由于上述mems陀螺需要在侧壁制作多个电极,形成分离电极,导致陀螺电极的制作工艺难度大。

3、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供了一种mems陀螺及微机电系统,旨在解决现有技术mems陀螺需要在侧壁制作多个电极,形成分离电极,导致陀螺电极的制作工艺难度大的技术问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提供了一种mems陀螺,所述mems陀螺包括:检测音叉以及短接电极;

3、所述检测音叉由上石英压电结构和下石英压电结构构成;

4、所述短接电极设于所述检测音叉的外侧壁,且覆盖所述上石英压电结构的外侧壁和所述下石英压电结构的外侧壁;

5、其中,所述上石英压电结构通过所述短接电极与所述下石英压电结构串联。

6、可选地,所述mems陀螺还包括:上检测电极对以及下检测电极对;

7、所述检测音叉的上表面存在上检测凹槽,所述检测音叉的上表面为垂直所述检测音叉的外侧壁的表面;

8、所述检测音叉的下表面存在下检测凹槽,所述检测音叉的下表面与所述检测音叉的上表面平行;

9、所述上检测电极对设于所述上检测凹槽的侧壁,所述下检测电极对设于所述下检测凹槽的侧壁;

10、其中,所述上检测电极对的正极和负极与所述下检测电极对的正极和负极沿所述检测音叉的中轴线中心对称设置。

11、可选地,所述mems陀螺还包括:驱动音叉以及支撑框架;

12、所述驱动音叉与所述支撑框架的一端连接,所述支撑框架的另一端与所述检测音叉连接;

13、其中,所述驱动音叉与所述检测音叉在所述支撑框架两侧对称设置。

14、可选地,所述mems陀螺还包括:上驱动电极对以及下驱动电极对;

15、所述驱动音叉的上表面存在上驱动凹槽,所述驱动音叉的上表面与所述检测音叉的上表面处于同一平面;

16、所述驱动音叉的下表面存在下驱动凹槽,所述驱动音叉的下表面与所述检测音叉的下表面处于同一平面;

17、所述上驱动电极对设于所述上驱动凹槽的侧壁,所述下驱动电极对设于所述下驱动凹槽的侧壁;

18、其中,所述上驱动电极对与所述下驱动电极对沿所述驱动音叉的中轴线对称设置。

19、可选地,所述检测音叉的数目为两个,分别为第一检测音叉和第二检测音叉;

20、所述驱动音叉的数目为两个,分别为第一驱动音叉以及第二驱动音叉;

21、所述第一检测音叉与所述第二检测音叉平行,所述第一驱动音叉与所述第二驱动音叉平行;

22、所述第一检测音叉设于所述支撑框架的第一端,所述第二检测音叉设于所述支撑框架的第二端;

23、所述第一驱动音叉设于所述支撑框架的第三端,所述第二驱动音叉设于所述支撑框架的第四端;

24、其中,所述第一驱动音叉与所述第一检测音叉在所述支撑框架两侧对称设置,所述第二驱动音叉与所述第二检测音叉在所述支撑框架两侧对称设置。

25、可选地,所述短接电极包括:第一短接电极、第二短接电极、第三短接电极以及第四短接电极;

26、所述第一短接电极设于所述第一检测音叉的第一外侧壁,用于短接所述第一检测音叉的第一外侧壁的上石英压电结构和下石英压电结构;

27、所述第二短接电极设于所述第一检测音叉的第二外侧壁,用于短接所述第一检测音叉的第二外侧壁的上石英压电结构和下石英压电结构;

28、所述第三短接电极设于所述第二检测音叉的第一外侧壁,用于短接所述第二检测音叉的第一外侧壁的上石英压电结构和下石英压电结构;

29、所述第四短接电极设于所述第二检测音叉的第二外侧壁,用于短接所述第二检测音叉的第二外侧壁的上石英压电结构和下石英压电结构;

30、所述第一检测音叉的第一外侧壁与所述第一检测音叉的第二外侧壁平行,所述第二检测音叉的第一外侧壁与所述第二检测音叉的第二外侧壁平行,所述第一检测音叉的第一外侧壁与所述第二检测音叉的第一外侧壁平行。

31、可选地,所述mems陀螺还包括:第一侧驱动正电极、第二侧驱动正电极、第一侧驱动负电极以及第二侧驱动负电极;

32、所述第一侧驱动正电极设于所述第一驱动音叉的第一外侧壁,所述第二侧驱动正电极设于所述第一驱动音叉的第二外侧壁,所述第一驱动音叉的第一外侧壁与所述第一驱动音叉的第二外侧壁平行;

33、所述第一侧驱动负电极设于所述第二驱动音叉的第一外侧壁,所述第二侧驱动负电极设于所述第二驱动音叉的第二外侧壁,所述第二驱动音叉的第一外侧壁与所述第二驱动音叉的第二外侧壁平行。

34、可选地,所述mems陀螺还包括:第一检测质量块以及第二检测质量块;

35、所述第一检测质量块设于所述第一检测音叉远离所述支撑框架的尾端;

36、所述第二检测质量块设于所述第二检测音叉远离所述支撑框架的尾端。

37、可选地,所述mems陀螺还包括:第一驱动质量块以及第二驱动质量块;

38、所述第一驱动质量块设于所述第一驱动音叉远离所述支撑框架的尾端;

39、所述第二驱动质量块设于所述第二驱动音叉远离所述支撑框架的尾端。

40、此外,为实现上述目的,本专利技术还提出一种微机电系统,所述微机电系统包括如上文所述的mems陀螺。

41、本专利技术提供了一种mems陀螺及微机电系统,该mems陀螺包括:检测音叉以及短接电极;检测音叉由上石英压电结构和下石英压电结构构成;短接电极设于检测音叉的外侧壁,且覆盖上石英压电结构的外侧壁和下石英压电结构的外侧壁;其中,上石英压电结构通过短接电极与下石英压电结构串联。本专利技术通过短接电极将上石英压电结构的外侧壁和下石英压电结构的外侧壁串联,无需制作多个电极形成分离电极,有效降低了陀螺电极的制作工艺难度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺包括:检测音叉以及短接电极;

2.如权利要求1所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺还包括:上检测电极对以及下检测电极对;

3.如权利要求2所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺还包括:驱动音叉以及支撑框架;

4.如权利要求3所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺还包括:上凹槽驱动电极对、下凹槽驱动电极对以及外侧壁驱动电极对;

5.如权利要求4所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述检测音叉的数目为两个,分别为第一检测音叉和第二检测音叉;

6.如权利要求5所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述短接电极包括:第一短接电极、第二短接电极、第三短接电极以及第四短接电极;

7.如权利要求5所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述外侧壁驱动电极对包括:第一外侧壁驱动电极对以及第二外侧壁驱动电极对;

8.如权利要求5至7任一项所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺还包括:第一检测质量块以及第二检测质量块;

9.如权利要求8所述的MEMS陀螺,其特征在于,所述MEMS陀螺还包括:第一驱动质量块以及第二驱动质量块;

10.一种微机电系统,其特征在于,所述微机电系统包括如权利要求1至9任一项所述的MEMS陀螺。

...

【技术特征摘要】

1.一种mems陀螺,其特征在于,所述mems陀螺包括:检测音叉以及短接电极;

2.如权利要求1所述的mems陀螺,其特征在于,所述mems陀螺还包括:上检测电极对以及下检测电极对;

3.如权利要求2所述的mems陀螺,其特征在于,所述mems陀螺还包括:驱动音叉以及支撑框架;

4.如权利要求3所述的mems陀螺,其特征在于,所述mems陀螺还包括:上凹槽驱动电极对、下凹槽驱动电极对以及外侧壁驱动电极对;

5.如权利要求4所述的mems陀螺,其特征在于,所述检测音叉的数目为两个,分别为第一检测音叉和第二检测音叉;

6.如权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李雪峰肖辉甘罗
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:

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