深度传感器制造技术

一种深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件；抽头传输晶体管，连接到光电晶体管；以及存储晶体管，连接到抽头传输晶体管和传输晶体管。存储晶体管包括存储栅电极。存储栅电极包括从衬底的第一面朝向第二面延伸的第一延伸部和第二延伸部，并且第一延伸部和第二延伸部在第二方向上彼此间隔开。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及深度传感器。

技术介绍

1、电子设备除了包括捕获外部图像以用于简单显示该外部图像的图像传感器之外，通常还包括执行各种功能(例如，计算图像传感器和对象之间的距离，或者使用所捕获的图像识别对象)的传感器。包括智能电话的每个电子设备还包括深度传感器。

2、光信号从光源发射到对象并且光信号可以从对象反射。基于tof(飞行时间)的深度传感器基于反射的光信号来计算深度传感器和对象之间的距离。为了提高深度传感器的分辨率，减小深度传感器的每个像素的尺寸。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种具有减小的像素尺寸、增加的电荷存储容量以及减小的寄生光灵敏度(pls)的深度传感器。

2、根据本公开的实施例，提供了一种深度传感器，该深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在所述衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深度传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的第一阻挡区，

3.根据权利要求2所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的第二阻挡区，

4.根据权利要求1所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的存储区。

5.根据权利要求1所述的深度传感器，其中，所述存储栅电极还包括：

6.根据权利要求1所述的深度传感器，其中，所述存储栅电极还包括从所述第一面朝向所述第二面延伸的第三延伸部，其...

【技术特征摘要】

1.一种深度传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的第一阻挡区，

3.根据权利要求2所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的第二阻挡区，

4.根据权利要求1所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中并在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的存储区。

5.根据权利要求1所述的深度传感器，其中，所述存储栅电极还包括：

6.根据权利要求1所述的深度传感器，其中，所述存储栅电极还包括从所述第一面朝向所述第二面延伸的第三延伸部，其中，所述第三延伸部与所述第二延伸部间隔开，

7.根据权利要求6所述的深度传感器，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一个设置在所述衬底中，并沿不同于所述第一方向的第三方向延伸，

8.根据权利要求6所述的深度传感器，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一个设置在所述衬底中，并沿不同于所述第一方向的第三方向延伸，

9.根据权利要求6所述的深度传感器，还包括：

10.根据权利要求1所述的深度传感器，还包括设置在所述衬底中的阻挡区，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承炫，金永灿，陈暎究，吴暎宣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：