【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种气体供应装置及外延设备。
技术介绍
1、在先进半导体制程中，对于外延工艺有极高稳定性的要求，因此对于外延工艺的原物料供应要保持稳定，外延工艺中，通常通过气瓶提供外延的反应气体。现有的外延工艺中，在一瓶反应气体用完后，需要对机台进行停机后更换新的气瓶，然后通过虚拟外延进行工艺参数调节，并通过工艺监测，产品工艺配方调节(pi-run)等一系列工程测试流程，确保工艺正常后再进行生产。然而，上述流程会严重影响机台的使用效率，浪费生产资源。
2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本申请提供了一种气体供应装置，包括：第一供气单元；第二供气单元；气量控制单元，与第一供气单元和第二供气单元连通，用于在第一供气单元剩余气量小于一...
【技术保护点】
1.一种气体供应装置，其特征在于，所述气体供应装置包括：
2.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述气量控制单元包括第一气量调节阀和第二气量调节阀，所述第一气量调节阀设置于连接所述第一供气单元的第一气路，用于调节所述第一供气单元的第一供气量，所述第二气量调节阀设置于连接所述第二供气单元的第二气路，用于调节所述第二供气单元的第二供气量。
3.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，通过控制所述第一气量调节阀减小的开度与所述第二气量调节阀增加的开度相等，以维持所述第一供气单元和所述第二供气单元共同输出的总供气量不变。
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【技术特征摘要】
1.一种气体供应装置，其特征在于，所述气体供应装置包括：
2.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述气量控制单元包括第一气量调节阀和第二气量调节阀，所述第一气量调节阀设置于连接所述第一供气单元的第一气路，用于调节所述第一供气单元的第一供气量，所述第二气量调节阀设置于连接所述第二供气单元的第二气路，用于调节所述第二供气单元的第二供气量。
3.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，通过控制所述第一气量调节阀减小的开度与所述第二气量调节阀增加的开度相等，以维持所述第一供气单元和所述第二供气单元共同输出的总供气量不变。
4.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述阈值为所述第一供气单元所能存储的最大气量的30％～50％。
5.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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