【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其是涉及一种芯片组件。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，随着ic制程向小尺寸多层次发展，在芯片失效分析(fa)过程中，为了提高失效分析的准确度，一般需要使用emmi(emission microscope，微光显微镜)和obirch(optical beam induced resistance change，光束感生电阻变化)针对异常芯片进行失效点定位，并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理。
2、在失效定位中，经常会因为某些限制无法进行正面定位。比如封装结构自身的限制，像超大规模集成电路采用的新型倒装芯片封装、存储器采用的芯片上引线封装对于芯片正面定位是一个新的挑战；而芯片多层金属布线结构发展阻碍光的传播，也不适宜于正面定位。
3、常见的正面光反射指光子透过相对透明的介质层，通过金属布线间介质层或沿着金属布线从芯片正面出射。如果使用红外或近红外光作为反射像的光源，由于硅对红外、近红外波段的透明性，可以倒扣放置芯片，使光源从芯片背面入射获得反射像。而发光像从背面出射，避免芯片正面多层金属布线结构的吸收和反射，从而可以实现从芯片背面进行失效点定位。由于避免了表面金属化所带来的干扰，背面失效定位通常比正面失效定位的准确性要高。
4、目前的背面失效定位实现方法分三种：
5、(1)倒置微光显微镜可实现从正面下针背面失效点扫描的功能，但此种背面分析仪器比较昂贵。
6、(2)通过引线将芯片内部电路用金属线与外部引脚连接并进行外封装制成cob，通过此种引脚
7、(3)背面式晶圆失效定位治具。
8、上述的方法(1)和(2)需要使用价格较高的设备，方法(3)需要额外的治具，上述三种方式均提升了背面失效定位的成本。
9、此外，以mos(mos，mosfet的缩写，mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管)产品为例，在mos产品中通常采用减薄背金工艺在硅衬底依次沉积ti、niv和ag形成的金属层，在使用emmi或者obirch技术进行背面失效定位时，金属层阻挡了光子透出。因此要对芯片的背面进行研磨，以露出包封在封装体内的硅片衬底，使光子透过衬底而被探测器接收，从而实现缺陷定位。然而，直接对芯片背面的金属层进行研磨会对芯片的内部产生很大应力，可能会导致芯片碎裂。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种芯片组件，以实现在无设备或治具情况下通过将芯片本身制作为倒置芯片来完成背面失效定位，并解决直接对芯片背面的金属层进行研磨会对芯片的内部产生很大应力，可能会导致芯片碎裂的问题。
2、本申请提供一种芯片组件，所述芯片组件包括芯片和稳定部，所述稳定部包覆所述芯片，所述芯片包括第一金属层和衬底，所述衬底与所述第一金属层贴合，所述稳定部包覆所述第一金属层和所述衬底，所述稳定部的厚度大于所述芯片的厚度；
3、所述芯片组件还包括第一引线和第二引线，所述第一引线和所述第二引线均与所述芯片连接，所述第一引线的部分位于所述稳定部的内部，所述第一引线的另一部分自所述稳定部中伸出，所述第二引线的部分位于所述稳定部的内部，所述第二引线的另一部分自所述稳定部中伸出。
4、优选地，所述芯片在所述稳定部上的正投影位于所述稳定部的内部。
5、优选地，所述芯片还包括源极和栅极，所述源极和所述栅极分别位于所述芯片上表面的两端，所述第一引线与所述源极连接，所述第二引线与所述栅极连接。
6、优选地，所述芯片还包括第二金属层，所述第二金属层与所述衬底的背对所述第一金属层的侧部贴合，所述第二金属层被所述稳定部包覆。
7、优选地，所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。
8、优选地，所述芯片还包括漏极，所述漏极位于所述芯片的下表面。
9、优选地，所述稳定部呈圆柱状，所述稳定部的直径大于或者等于所述芯片的最大尺寸。
10、优选地，所述第一引线自所述稳定部的侧部经所述稳定部的内部延伸至所述稳定部的端部，所述第二引线自所述稳定部的侧部经所述稳定部的内部延伸至所述稳定部的端部。
11、优选地，所述稳定部为水晶胶层。
12、在本申请的芯片组件中，稳定部包覆芯片，在使用emmi或者obirch进行检测前，可以研磨稳定部的位于第一金属层背对衬底的一侧的部分以及第一金属层，之后翻转芯片组件，使得稳定部承托芯片，此时可以通过第一引线和第二引线对芯片进行加电，进而进行背面失效定位，无需额外的设备或治具，降低了背面失效定位的成本。稳定部的厚度大于芯片的厚度，通过稳定部能够提升芯片组件整体的强度，以减小芯片的应力，进而避免在研磨第一金属层的过程中芯片发生碎裂。
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1.一种芯片组件，其特征在于，所述芯片组件包括芯片和稳定部，所述稳定部包覆所述芯片，所述芯片包括第一金属层和衬底，所述衬底与所述第一金属层贴合，所述稳定部包覆所述第一金属层和所述衬底，所述稳定部的厚度大于所述芯片的厚度；
2.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片在所述稳定部上的正投影位于所述稳定部的内部。
3.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片还包括源极和栅极，所述源极和所述栅极分别位于所述芯片的上表面的两端，所述第一引线与所述源极连接，所述第二引线与所述栅极连接。
4.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片还包括第二金属层，所述第二金属层与所述衬底的背对所述第一金属层的侧部贴合，所述第二金属层被所述稳定部包覆。
5.根据权利要求4所述的芯片组件，其特征在于，所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。
6.根据权利要求3所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片还包括漏极，所述漏极位于所述芯片的下表面。
7.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述稳定部呈圆柱状，
8.根据权利要求7所述的芯片组件，其特征在于，所述第一引线自所述稳定部的侧部经所述稳定部的内部延伸至所述稳定部的端部，所述第二引线自所述稳定部的侧部经所述稳定部的内部延伸至所述稳定部的端部。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的芯片组件，其特征在于，所述稳定部为水晶胶层。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片组件，其特征在于，所述芯片组件包括芯片和稳定部，所述稳定部包覆所述芯片，所述芯片包括第一金属层和衬底，所述衬底与所述第一金属层贴合，所述稳定部包覆所述第一金属层和所述衬底，所述稳定部的厚度大于所述芯片的厚度；
2.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片在所述稳定部上的正投影位于所述稳定部的内部。
3.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片还包括源极和栅极，所述源极和所述栅极分别位于所述芯片的上表面的两端，所述第一引线与所述源极连接，所述第二引线与所述栅极连接。
4.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片还包括第二金属层，所述第二金属层与所述衬底的背对所述第一金属层的侧部贴合，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺婷，范丽萍，曾旭，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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