System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 噻吩嘧啶类化合物的晶型及其制备方法技术_技高网

噻吩嘧啶类化合物的晶型及其制备方法技术

技术编号:40996256 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-18 21:36
本发明专利技术公开了噻吩嘧啶类化合物A的三种晶型及其制备方法,其中晶型I为3盐酸盐,晶型II和III为2盐酸盐,三种晶型均具有良好的稳定性和溶解度,在5%葡萄糖水溶液中有≥4mg/mL的溶解度,满足制备成注射用冻干制剂对化合物溶解度的基本要求。本发明专利技术制备的噻吩嘧啶类化合物A的三种晶型具有良好的稳定性和溶解性,可制备成临床注射用冻干制剂,用于淋巴瘤,骨髓瘤和淋巴性白血病晚期复发等或耐药病人的有效治疗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于药物,特别是涉及噻吩嘧啶类化合物的晶型及其制备方法


技术介绍

1、血液肿瘤发生率很高,仅美国在2023年就约有184,720新发血液肿瘤病人。新增的白血病、淋巴瘤和骨髓瘤患者约占美国2023年总癌症新增确诊人数的9.4%。其中:白血病32%,淋巴瘤48%,骨髓瘤19%。据估计,美国共有1,629,474人患有血液肿瘤或正处在恢复期,疾病类型包括白血病,淋巴瘤,骨髓瘤,骨髓增生异常综合征和骨髓增殖性肿瘤(leukemia and lymphoma society 2023)。中国抗癌协会的统计数据显示,我国每年新发淋巴瘤患者约8.4万人,死亡人数超过4.7万人,并以每年5%的速度上升。此外,我国每年新发骨髓瘤病人约为1-1.5万例和急慢性淋巴细胞性白血病约2万多例。目前,淋巴瘤﹑骨髓瘤和淋巴性白血病晚期复发或耐药病人缺少有效药物。

2、磷酸肌醇3-激酶(pi3k)和组蛋白脱乙酰酶(hdac)是肿瘤细胞生存重要的靶点,hdac抑制剂通过表观遗传调控机制,对肿瘤细胞信使多靶点产生抑制作用。pi3k抑制剂和hdac抑制剂有显著抗癌效果,已经得到临床验证(ho,t等journal of medicinalchemistry 63,12460-12484,2020;zhang,m等chemical science 11,5855-5865,2020;vanhaesebroeck,b等nature reviews drug discovery 20,741-769,2021)。几种已知的磷酸肌醇3-激酶和组蛋白脱乙酰酶抑制剂,包括已获得美国fda批准上市的copanisib,alpelisib,idelalisib,vorinostat,belinostat等,但上述药物无法同时对磷酸肌醇3-激酶和组蛋白脱乙酰酶进行抑制,且对于难治性或复发性的血液肿瘤效果较差,不能满足日益增加的临床需求。

3、噻吩嘧啶类化合物(化合物a)是hdac(组蛋白脱乙酰酶)/pi3k(磷酸肌醇3-激酶)双靶点抑制剂,通过选择性抑制具有协同作用的肿瘤细胞信使核心蛋白激酶靶点pi3k和表观遗传靶点hdac,破坏肿瘤细胞信使网络,从而对各种肿瘤细胞发挥强大的杀灭作用。该抑制剂在多种血液和实体异种移植肿瘤动物模型中,能够强力有效抑制肿瘤生长,尤其在各种血液b-细胞恶性肿瘤中效果显著,且安全评价实验显示具有良好安全性。可用于淋巴瘤,骨髓瘤和淋巴性白血病晚期复发等或耐药病人的有效治疗。其结构式如下:

4、

5、但是该化合物的溶解度较低,制备成注射用临床制剂使用会出现药物容易析出的问题。


技术实现思路

1、基于此,本专利技术的目的在于提供噻吩嘧啶类化合物的稳定晶型,以提高其溶解度。

2、为了实现上述专利技术目的,本专利技术包括如下技术方案。

3、一方面,本专利技术提供了一种噻吩嘧啶类化合物的晶型i,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在4.77°、9.52°、14.28°、21.12°、23.66°、25.21°和28.67°处有特征峰,误差为±0.2°;

4、所述噻吩嘧啶类化合物的结构式如下:

5、

6、在其中一些实施例中,以2θ角表示,所述噻吩嘧啶类化合物的晶型i在x-射线粉末衍射图中在4.77°、7.06°、7.32°、9.52°、10.58°、14.28°、18.45°、18.84°、20.86°、21.12°、21.70°、22.40°、23.66°、25.21°、25.92°、26.88°、28.17°、28.67°、28.99°、29.78°、30.49°和32.87°处有特征峰,误差为±0.2°;

7、在其中一些实施例中,以2θ角表示,误差为±0.2°,所述噻吩嘧啶类化合物的晶型i在x-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

8、

9、

10、在其中一些实施例中,所述噻吩嘧啶类化合物的晶型i的x-射线粉末衍射图如图1-1所示。

11、在其中一些实施例中,所述噻吩嘧啶类化合物的晶型i的差示扫描量热曲线包括在220.9±0.5℃处的放热峰。

12、在其中一些实施例中,所述噻吩嘧啶类化合物的晶型i的差示扫描量热曲线如图2所示。

13、第二方面,本专利技术提供了一种噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在5.57°、19.28°、21.85°、22.51°、23.02°、24.10°、24.88°、26.17°、27.98°和29.50°处有特征峰,误差为±0.2°;

14、所述噻吩嘧啶类化合物的结构式如下:

15、

16、在其中一些实施例中,以2θ角表示,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii在x-射线粉末衍射图中在5.57°、10.73°、12.33°、14.77°、17.53°、19.28°、21.29°、21.85°、22.51°、23.02°、23.69°、24.10°、24.88°、25.48°、26.17°、27.68°、27.98°、29.50°和29.93°处有特征峰,误差为±0.2°。

17、在其中一些实施例中,以2θ角表示,误差为±0.2°,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii在x-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

18、

19、

20、

21、在其中一些实施例中,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii的x-射线粉末衍射图如图3所示。

22、在其中一些实施例中,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii的差示扫描量热曲线包括在79.5±0.5℃,141.9±0.5℃和207.7±0.5℃处的吸热峰。

23、在其中一些实施例中,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii的差示扫描量热曲线如图4所示。

24、第三方面,本专利技术提供了一种噻吩嘧啶类化合物的晶型iii,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在10.47°、15.67°、21.23°、21.44°、22.45°、23.06°、25.73°、29.63°处有特征峰,误差为±0.2°;

25、所述噻吩嘧啶类化合物的结构式如下:

26、

27、在其中一些实施例中,以2θ角表示,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型iii在x-射线粉末衍射图中在10.47°、14.72°、15.28°、15.67°、16.95°、18.79°、20.55°、21.23°、21.44°、22.45°、22.71°、23.06°、24.73°、25.73°、27.77°、27.99°、29.63°、30.14°和31.25°处有特征峰,误差为±0.2°。

28、在其中一些实施例中,以2θ角表示,误差为±0.2°,所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型iii在x-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

29、...

【技术保护点】

1.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在4.77°、9.52°、14.28°、21.12°、23.66°、25.21°和28.67°处有特征峰,误差为±0.2°;

2.根据权利要求1所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在4.77°、7.06°、7.32°、9.52°、10.58°、14.28°、18.45°、18.84°、20.86°、21.12°、21.70°、22.40°、23.66°、25.21°、25.92°、26.88°、28.17°、28.67°、28.99°、29.78°、30.49°和32.87°处有特征峰,误差为±0.2°。

3.根据权利要求2所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,以2θ角表示,误差为±0.2°,其在X-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

4.根据权利要求1所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,其X-射线粉末衍射图如图1-1所示。

5.根据权利要求1-4任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,其差示扫描量热曲线包括在220.9±0.5℃处的放热峰。

6.根据权利要求5所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I,其特征在于,其差示扫描量热曲线如图2所示。

7.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在5.57°、19.28°、21.85°、22.51°、23.02°、24.10°、24.88°、26.17°、27.98°和29.50°处有特征峰,误差为±0.2°;

8.根据权利要求7所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在5.57°、10.73°、12.33°、14.77°、17.53°、19.28°、21.29°、21.85°、22.51°、23.02°、23.69°、24.10°、24.88°、25.48°、26.17°、27.68°、27.98°、29.50°和29.93°处有特征峰,误差为±0.2°。

9.根据权利要求8所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,以2θ角表示,误差为±0.2°,其在X-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

10.根据权利要求7所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,其X-射线粉末衍射图如图3所示。

11.根据权利要求7-10任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,其差示扫描量热曲线包括在79.5±0.5℃,141.9±0.5℃和207.7±0.5℃处的吸热峰。

12.根据权利要求11所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型II,其特征在于,其差示扫描量热曲线如图4所示。

13.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在10.47°、15.67°、21.23°、21.44°、22.45°、23.06°、25.73°、29.63°处有特征峰,误差为±0.2°;

14.根据权利要求13所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,以2θ角表示,其在X-射线粉末衍射图中在10.47°、14.72°、15.28°、15.67°、16.95°、18.79°、20.55°、21.23°、21.44°、22.45°、22.71°、23.06°、24.73°、25.73°、27.77°、27.99°、29.63°、30.14°和31.25°处有特征峰,误差为±0.2°。

15.根据权利要求14所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,以2θ角表示,误差为±0.2°,其在X-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

16.根据权利要求13所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,其X-射线粉末衍射图如图5所示。

17.根据权利要求13-16任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,其差示扫描量热曲线包括在96.1±0.5℃和213.4±0.5℃处的吸热峰。

18.根据权利要求17所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型III,其特征在于,其差示扫描量热曲线如图6所示。

19.一种权利要求1-6任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

20.根据权利要求19所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

21.根据权利要求19或20所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型I的制备方法,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在4.77°、9.52°、14.28°、21.12°、23.66°、25.21°和28.67°处有特征峰,误差为±0.2°;

2.根据权利要求1所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在4.77°、7.06°、7.32°、9.52°、10.58°、14.28°、18.45°、18.84°、20.86°、21.12°、21.70°、22.40°、23.66°、25.21°、25.92°、26.88°、28.17°、28.67°、28.99°、29.78°、30.49°和32.87°处有特征峰,误差为±0.2°。

3.根据权利要求2所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,以2θ角表示,误差为±0.2°,其在x-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

4.根据权利要求1所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,其x-射线粉末衍射图如图1-1所示。

5.根据权利要求1-4任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,其差示扫描量热曲线包括在220.9±0.5℃处的放热峰。

6.根据权利要求5所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型i,其特征在于,其差示扫描量热曲线如图2所示。

7.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在5.57°、19.28°、21.85°、22.51°、23.02°、24.10°、24.88°、26.17°、27.98°和29.50°处有特征峰,误差为±0.2°;

8.根据权利要求7所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在5.57°、10.73°、12.33°、14.77°、17.53°、19.28°、21.29°、21.85°、22.51°、23.02°、23.69°、24.10°、24.88°、25.48°、26.17°、27.68°、27.98°、29.50°和29.93°处有特征峰,误差为±0.2°。

9.根据权利要求8所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,以2θ角表示,误差为±0.2°,其在x-射线粉末衍射图中的特征峰以及各特征峰的相对强度如下:

10.根据权利要求7所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,其x-射线粉末衍射图如图3所示。

11.根据权利要求7-10任一项所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,其差示扫描量热曲线包括在79.5±0.5℃,141.9±0.5℃和207.7±0.5℃处的吸热峰。

12.根据权利要求11所述的噻吩嘧啶类化合物的晶型ii,其特征在于,其差示扫描量热曲线如图4所示。

13.一种噻吩嘧啶类化合物的晶型iii,其特征在于,以2θ角表示,其在x-射线粉末衍射图中在10.47°...

【专利技术属性】
技术研发人员:何劼王堃林王丽蔡雄
申请(专利权)人:广州必贝特医药股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1