【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长设备领域，具体涉及一种实时测温装置、方法及氮化镓生长设备。
技术介绍
1、以氮化镓为代表的第三代半导体材料具有击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用氮化镓制备的半导体器件能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率等应用场景。此外，它还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力，因此更适合于制作高温、高频、抗辐射以及大功率器件。
2、由于氮化镓特殊的性质，氮化镓在常压下还未加热到熔点就会发生分解，因此传统的溶体法不适合与氮化镓的生长，而氢化物气相外延法(hvpe)具有设备简单、生长条件温和等优点，因此hvpe法是当前制备氮化镓体单晶的主流方法。hvpe法制备氮化镓，包括两个温区，低温区是镓源反应区，在该区域hcl与金属镓发生反应生成gacl，然后gacl被载气输送到高温区与nh3发生反应生成氮化镓。
3、由于现有的氮化镓生长设备只能通过控制加热炉的功率输出，进而调控生长区的温度，加热炉内配备的热偶只能测量石英管外壁的温度，不能准确测量石英管内部籽晶生长区的温度，因此...
【技术保护点】
1.一种实时测温装置，其特征在于，包括热偶(20)、补偿导线(21)、温度巡检表(22)、测温固定装置(28)和功率控制器(29)，所述热偶(20)外围包覆有耐高温陶瓷管，所述热偶(20)设置在所述测温固定装置(28)上，所述热偶(20)通过补偿导线(21)与所述温度巡检表(22)连接，所述温度巡检表(22)与所述功率控制器(29)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种实时测温装置，其特征在于，所述测温固定装置(28)包括测温固定板(281)、测温固定孔(282)、滑动导轨(283)和驱动电机(284)，所述测温固定孔(282)设置在测温固定板(281)上...
【技术特征摘要】
1.一种实时测温装置，其特征在于，包括热偶(20)、补偿导线(21)、温度巡检表(22)、测温固定装置(28)和功率控制器(29)，所述热偶(20)外围包覆有耐高温陶瓷管，所述热偶(20)设置在所述测温固定装置(28)上，所述热偶(20)通过补偿导线(21)与所述温度巡检表(22)连接，所述温度巡检表(22)与所述功率控制器(29)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种实时测温装置，其特征在于，所述测温固定装置(28)包括测温固定板(281)、测温固定孔(282)、滑动导轨(283)和驱动电机(284)，所述测温固定孔(282)设置在测温固定板(281)上，所述驱动电机(284)驱动所述测温固定板(281)沿所述滑动导轨(283)做往返运动。
3.根据权利要求1所述的一种实时测温装置，其特征在于，所述热偶(20)为s型热偶、r型热偶、其他长期耐1100℃以上高温的材质的热偶中的至少一种。
4.一种权利要求1-3任一所述的实时测温装置的测温方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.一种氮化镓生长设备，其特征在于，包括生长腔体、设于所述生长腔体内部的石英件、籽晶固定件和如权利要求1-3任一所述的实时测温装置，所述生长腔体的左侧设置有左法兰(4)，所述左法兰(4)的右侧连接有左不锈钢腔室(6)，所述左不锈钢腔室(6)的右侧连接有左压环(8)，所述左压环(8)的右侧连接有石英管(9)，所述生长腔体的右侧设置有右法兰(23)，所述右法兰(23)的左侧连接有右不锈钢腔室(25)，所述右不锈钢腔室(25)的左侧连接有右压环(27)，所述右压环(27)的左侧与所述石英...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘磊，张雷，王守志，王国栋，俞娇仙，王忠新，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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