挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法技术

本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动方向，将气相源的运动方向改变为斜向上，使气相源朝向籽晶的小面运动。本申请实施例可提高晶体的生长速度，提高晶体的厚度和质量，降低微管密度。另外，选用低密度石墨作为挡板的材料，当通道被封堵后，低密度石墨内的孔隙可以供气体通过，能进一步降低晶体内包裹物的含量，提高晶体质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及碳化硅晶体，尤其涉及一种挡板、芯片、sic晶体、晶体生长炉和生长方法。

技术介绍

1、随着碳化硅(sic)代表的第三代半导体材料的蓬勃发展，sic的研究也越来越多。sic晶体很多同质异构体，例如，立方密排的3c-sic和六方密排的4h-sic、6h-sic等，其中，4h晶型具有最高的电子迁移率，4h-sic单晶为半导体应用的主流选择。h代表hexagonal，4h是六方密排，4代表一个晶体单元含有4个c-si(碳-硅)双原子层。

2、sic晶体的制备方法主要包括：物理气相传输(physical vapor transport，pvt)、高温化学气相沉积(high temperature chemical vaporous deposition，htcvd)、液相外延(liquid phase epitaxy，lpe)等。

3、图1为现有技术中pvt单晶炉的结构示意图，单晶炉01包括外壳001、加热装置002、石墨坩埚003、籽晶固定架004。加热装置002围设于外壳001外侧，石墨坩埚003安装于外壳001内，籽晶固本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种挡板，其特征在于，所述挡板用于晶体生长炉，所述晶体生长炉包括腔室，所述挡板用于将所述腔室分隔为原料室和生长室；

2.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径包括：曲线、直线和折线中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段为曲线，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一端的切线与所述第一方向之间的夹角为0°～60°。

4.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段为直线，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段与所述第一方向之间的夹角为0°～60°...

【技术特征摘要】

1.一种挡板，其特征在于，所述挡板用于晶体生长炉，所述晶体生长炉包括腔室，所述挡板用于将所述腔室分隔为原料室和生长室；

2.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径包括：曲线、直线和折线中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段为曲线，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一端的切线与所述第一方向之间的夹角为0°～60°。

4.根据权利要求1所述的挡板，其特征在于，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段为直线，所述通道的延伸路径靠近所述生长室的一段与所述第一方向之间的夹角为0°～60°。

5.根据权利要求1-4任一项所述的挡板，其特征在于，至少两个所述通道的延伸路径平行。

6.根据权利要求1-5任一项所述的挡板，其特征在于，所述挡板包括多个子板；多个子板沿所述第一方向分布；所述子板设置有子道，相邻所述子道连通以形成所述通道。

7.根据权利要求6所述的挡板，其特征在于，相邻两个所述子板之间具有间隙，所述间隙与所述子道连通。

8.根据权利要求1-7任一项所述的挡板，其特征在于，所述通道具有开口，所述开口位于所述挡板靠近所述生长室的表面，所述开口沿至少一个方向的尺寸小于或等于10mm，所述至少一个方向与所述挡板靠近所述生长室的表面平行。

9.根据权利要求8所述的挡板，其特征在于，所述开口沿至少一个方向的尺寸小于或等于1mm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的挡板，其特征在于，所述挡板的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彬，段焕涛，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：