【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属氧化物薄膜气相外延领域，具体涉及一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置。
技术介绍
1、目前常采用磁控溅射(magnetron sputtering，ms)、蒸发(evaporation)、脉冲激光沉积(pld)、分子束外延(mbe)、金属有机物沉积(mod)和金属有机物化学气相沉积(mocvd)等工艺制备金属氧化物薄膜。mocvd是制备半导体光电子和微电子器件的一种关键工艺。在mocvd外延生长过程中，气体载体携带金属有机源化合物进入反应室内，经过一系列物理和化学变化后在衬底表面形成外延层。与其他生长技术相比，mocvd应用范围广泛，可实现大尺寸衬底上的批量化生产，已成为各国科学工作者研究的热点。
2、在薄膜外延生长过程中，金属有机源成分会显著影响薄膜的性能。传统的mocvd装置的蒸发室设置在腔体外部，金属有机源经蒸发室闪蒸为金属有机蒸汽后，需要经过精确控温的管道的输运进入喷淋头，从而到达基片表面沉积薄膜。随着设备使用时间的增长，金属有机源气体反应物残留于管道内壁，进而堵塞管道，难以保证有机源...
【技术保护点】
1.一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，包括喷淋头、蒸发室、温度调节装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：所述匀气装置为设于蒸发室顶部内壁和底部内壁的若干匀气管，顶部内壁的匀气管与底部内壁的匀气管一一对应。
3.根据权利要求2所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：所述蒸发室顶部内壁相邻两匀气管之间间距相等。
4.根据权利要求2或3所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：匀气管为匀气铜管。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，包括喷淋头、蒸发室、温度调节装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：所述匀气装置为设于蒸发室顶部内壁和底部内壁的若干匀气管，顶部内壁的匀气管与底部内壁的匀气管一一对应。
3.根据权利要求2所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：所述蒸发室顶部内壁相邻两匀气管之间间距相等。
4.根据权利要求2或3所述的一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置，其特征在于：匀气管为匀气铜管。
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