【技术实现步骤摘要】
本公开涉及沉积镀膜，具体涉及一种防绕镀装置和镀膜设备。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)是一种可以将物质以单原子膜的形式一层一层地镀在基底表面的方法。ald镀膜技术广泛应用于半导体、光电材料、电池薄膜等领域。采用ald镀膜技术制备的薄膜在厚度均匀性、密度、台阶覆盖、低温层积、工业适用性等方面都有很大的优势。
2、然而，在ald镀膜过程中，原子膜层可能会沉积到基板的非镀面或非镀区域，即发生绕镀现象。绕镀现象会造成非镀面或非镀区域的镀膜不均匀，影响产品性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种防绕镀装置和镀膜设备，解决了由于绕镀现象造成的非镀面或非镀区域的镀膜不均匀，影响产品性能的问题。
2、第一方面，本公开的实施例提供了一种防绕镀装置，应用于镀膜设备，所述镀膜设备被配置为对基板进行镀膜；其中，所述防绕镀装置包括：主体，被配置为承载所述基板，所述基板包括与所述主体接触的第一表面和远离所述主体的第二表面，所述第二表面包括待镀膜区域；加压组件，设置于所述主体上，且所述加压组件与所述第二表面接触，以对所述基板施加压力。
3、在一些实施例中，所述加压组件包括：下部组件，与所述主体固定连接；上部组件，设置于所述下部组件上，与所述下部组件可拆卸连接，且与所述第二表面接触。
4、在一些实施例中，所述上部组件包括：第一连接件，与所述下部组件可拆卸连接；压紧件，与所述第一连接件可拆卸连接，所
5、在一些实施例中，所述下部组件包括下部磁力件；所述第一连接件包括上部磁力件；其中，所述下部磁力件的第一磁力部与所述上部磁力件的第二磁力部的磁极不同，所述第一磁力部位于所述下部磁力件靠近所述上部组件的一侧，所述第二磁力部位于所述上部磁力件靠近所述下部组件的一侧。
6、在一些实施例中，所述上部组件还包括：第二连接件和连接轴；其中，所述主体包括第一轴孔，所述第二连接件与所述压紧件或所述调整件可拆卸连接，且所述第二连接件包括第二轴孔，所述连接轴分别与所述第一轴孔和所述第二轴孔连接，以使所述上部组件与所述主体形成转动连接。
7、在一些实施例中，所述压紧部与所述第二表面的接触面积小于或等于1平方毫米。
8、在一些实施例中，所述加压组件的数量为多个，多个所述加压组件围绕所述基板布置，并对所述基板的边缘区域施加压力。
9、在一些实施例中，所述基板为多边形，所述加压组件设置于所述基板的角点的两侧和/或所述基板的至少一条边的中点。
10、在一些实施例中，所述加压组件与所述第二表面的边缘区域接触，所述第二表面的边缘区域为围绕所述待镀膜区域的环形区域，所述环形区域的宽度小于或等于1毫米。
11、第二方面，本公开的实施例提供了一种镀膜设备，包括：本体，包括腔室；如第一方面所述的防绕镀装置，所述防绕镀装置设置于所述腔室内。
12、本公开实施例提供的一种防绕镀装置，应用于镀膜设备，镀膜设备被配置为对基板进行镀膜。该防绕镀装置包括：主体和加压组件。主体被配置为承载基板，所述基板包括与所述主体接触的第一表面和远离所述主体的第二表面，所述第二表面包括待镀膜区域。加压组件，设置于所述主体上，且所述加压组件与基板的第二表面接触，以对所述基板施加压力。通过加压组件对基板施加压力，可以减小基板的形变，防止基板与主体之间存在间隙，从而防止在基板的贴合面(即第一表面，也是非镀表面)产生不均匀的镀层，即减少甚至消除了绕镀现象，提高了产品性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种防绕镀装置，其特征在于，应用于镀膜设备，所述镀膜设备被配置为对基板进行镀膜；
2.根据权利要求1所述的防绕镀装置，其特征在于，所述加压组件包括：
3.根据权利要求2所述的防绕镀装置，其特征在于，所述上部组件包括：
4.根据权利要求3所述的防绕镀装置，其特征在于，所述下部组件包括下部磁力件；
5.根据权利要求4所述的防绕镀装置，其特征在于，所述上部组件还包括：第二连接件和连接轴；
6.根据权利要求3所述的防绕镀装置，其特征在于，所述压紧部与所述第二表面的接触面积小于或等于1平方毫米。
7.根据权利要求1至6任一项所述的防绕镀装置，其特征在于，所述加压组件的数量为多个，多个所述加压组件围绕所述基板布置，并对所述基板的边缘区域施加压力。
8.根据权利要求7所述的防绕镀装置，其特征在于，所述基板为多边形，所述加压组件设置于所述基板的角点的两侧和/或所述基板的至少一条边的中点。
9.根据权利要求1至6任一项所述的防绕镀装置，其特征在于，所述加压组件与所述第二表面的边缘区域接触，所述第二表
10.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种防绕镀装置，其特征在于，应用于镀膜设备，所述镀膜设备被配置为对基板进行镀膜；
2.根据权利要求1所述的防绕镀装置，其特征在于，所述加压组件包括：
3.根据权利要求2所述的防绕镀装置，其特征在于，所述上部组件包括：
4.根据权利要求3所述的防绕镀装置，其特征在于，所述下部组件包括下部磁力件；
5.根据权利要求4所述的防绕镀装置，其特征在于，所述上部组件还包括：第二连接件和连接轴；
6.根据权利要求3所述的防绕镀装置，其特征在于，所述压紧部与所述第二表面的接触面积小于或等于1平方毫米。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，张武，
申请(专利权)人：拉普拉斯西安科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。