半导体存储器的测试方法和设备技术

技术编号:40950712 阅读:15 留言:0更新日期:2024-04-18 20:25
本公开提供一种半导体存储器的测试方法和设备,包括向半导体存储器所有存储块中写入第一数据,重复执行先激活第偶数个存储块内字线,在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,后激活第奇数个存储块内字线,在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差,从所有存储块中读出数据,将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果。通过如此设置,可以加剧位线和与该位线连接的存储单元之间漏电,实现对位线的位线接触垫和与该位线连接的存储单元中电容接触垫之间的漏电失效检测。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及但不限定于半导体存储器的测试方法和设备


技术介绍

1、半导体存储器是电子设备最重要的组成部分,存储器对于电子设备的性能和稳定性都起着至关重要的作用。所以,必须要保证这些电子设备中使用的存储器的可靠性,针对存储器的测试很有必要。

2、在现有的半导体存储器的产品良率测试中,同一个测试项检测出来的失效通常含有几种不同的失效机制,这样并不利于在研发初期确定失效机制,进而影响研发进程和产品良率提升。


技术实现思路

1、本公开提供一种半导体存储器的测试方法,半导体存储器包括多个存储块,方法包括:

2、向半导体存储器所有存储块中写入第一数据;

3、重复执行先激活第偶数个存储块内字线,在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差;后激活第奇数个存储块内字线,在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差;

4、从所有存储块中读出数据,将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果。

5、在一些实施例中,激活第偶数个存储块内字线,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述半导体存储器包括多个存储块,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述激活第偶数个存储块内字线,在第奇数个存储块内位线和所述第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,具体包括:

3.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于;

4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述激活第偶数个存储块内字线,并使字线激活的维持时间大于预设时间,在第奇数个存储块内位线和所述第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,具体包括:

5.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于;

6...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述半导体存储器包括多个存储块,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述激活第偶数个存储块内字线,在第奇数个存储块内位线和所述第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,具体包括:

3.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于;

4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述激活第偶数个存储块内字线,并使字线激活的维持时间大于预设时间,在第奇数个存储块内位线和所述第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,具体包括:

5.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于;

6.根据权利要求5所述的测试方法,其特征在于,所述激活第偶数个存储块内字线,并使字线激活的维持时间大于预设时间,在第奇数个存储块内位线和所述第奇数个存储块内存储单元之间形成压差,具体包括:

7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,从所有所述存储块中读出数据,将读出的数据与所述第一数据进行比较获得测试...

【专利技术属性】
技术研发人员:盛萍
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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