System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法技术_技高网

一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法技术

技术编号:40950101 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 20:24
本申请提出了一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,涉及TOPCon电池制备技术领域。该制备方法包括以下步骤:对基片的正面进行清洗、去损伤、制绒;对基片的正面进行硼扩散;对基片的背面进行一次磷扩散;按照丝网印刷图形对PSG进行开槽处理,通过激光处理形成背面的SE区域;对基片的背面进行二次磷扩散;利用化学腐蚀去除背面PSG,再用碱液去除正面的BSG;所述碱液中添加有制绒添加剂;对正背面进行镀膜和印刷烧结后处理。本申请制备方法通过降低磷扩散的温度,采用低浓度HF溶液去PSG以及在碱液中添加制绒添加剂,对正面扩散层起到保护作用,提高绒面的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及topcon电池制备,具体而言,涉及一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法。


技术介绍

1、制备topcon(tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)电池的核心是制备基片的背面的隧穿氧化层和多晶硅层,而在沉积基片的背面的隧穿氧化层和多晶硅层的过程中,隧穿氧化层和多晶硅层会绕镀在基片的正面,进而覆盖基片的正面的硼硅玻璃层,而基片的正面的钝化减反射膜需要沉积在被硼硅玻璃层覆盖的绒面上,因此在基片的正面的沉积钝化减反射膜之前,需要将绕镀在基片的正面的多晶硅层、隧穿氧化层和硼硅玻璃层去除。

2、但目前背面磷扩散时,非镀膜面也会沉积氧化硅和非晶硅薄膜,即“绕镀”现象,绕扩到正面的磷会使bsg能成bpsg,而hf对bpdg的腐蚀速率比bsc的腐蚀速率快2.5倍,故碱抛去绕镀时,较薄的bpsg区域无法阻挡碱腐蚀,导致绒面发白,进而影响电池的性能,比如,存在较大的漏电流,直接影响电池的转换效率。对绕镀电池后续需要进行绕镀去除,目前已有多种绕镀去除方法,比如采用激光边缘隔离和碱性溶液(koh)等蚀刻去除绕镀,但未从根源上解决问题,而且刻蚀均匀度难以准确控制,还会出现二次损伤。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,此方法通过降低磷扩散的温度,采用低浓度hf溶液去psg以及在碱液中添加制绒添加剂,对正面扩散层起到保护作用,提高绒面的稳定性。

2、为解决上述技术问题,本申请采用的技术方案:

3、本申请提供一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,包括以下步骤:

4、s1、对基片的正面进行清洗、去损伤、制绒;

5、s2、对基片的正面进行硼扩散;

6、s3、对基片的背面进行一次磷扩散;一次磷扩散的温度为700-850℃,时间为10-30min;

7、s4、按照丝网印刷图形对psg进行开槽处理,通过激光处理形成背面的se区域;

8、s5、对基片的背面进行二次磷扩散;二次磷扩散的温度为750-900℃,时间为10-60min;

9、s6、利用化学腐蚀去除背面psg,再用碱液去除正面的bsg;所述碱液中添加有制绒添加剂;

10、s7、对正背面进行镀膜和印刷烧结后处理。

11、相对于现有技术,本申请的实施例至少具有如下优点或有益效果:

12、1、本申请降低了磷扩散的温度,使得正面的bsg在磷扩散步骤中未被完全掺杂成bpsg,这样在去psg时降低碱液对正面扩散层的腐蚀。另外,本申请还将磷扩散步骤分为一次磷扩散和二次磷扩散,在两次磷扩散之间对psg进行开槽处理,通过激光处理形成背面的se区域,可以提高金字塔效果,在二次磷扩散时起到防御效果。

13、2、本申请采用低浓度的hf溶液去psg,经实验表明,采用低浓度化学腐蚀,延长腐蚀实验可以达到同样的去psg效果,但可以降低酸液对掺杂部位的腐蚀效果。

14、3、本申请在去除bsg的碱液中加入制绒添加剂,该制绒添加剂以木质素磺酸钠作为主要活性原料,其大分子尺寸,丰富的羟基和烷氧基有利于形成连续均匀和密集的金字塔结构,同时可以帮助气泡的脱除,加快反应进程,又会随反应进行吸附到单晶硅片表面,逐渐抑制反应进行,保持住绒面结构,具有良好的绒面稳定效果。

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【技术保护点】

1.一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述S1步骤具体为:选择N型硅片进行双面清洗制绒,利用酸碱化学品,消除硅片表面的有机沾污和金属杂质,在单晶硅片表面形成金字塔结构。

3.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述S2步骤中的硼扩散具体为:以BCl3为硼源,在900-1050℃下扩散1-3h,生成的BSG层厚度为40-80nm。

4.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述一次磷扩散和二次磷扩散的磷源均为POCl3。

5.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述S6步骤前还包括采用链式单面酸和碱液去除硅片侧面的PSG层和磷扩散层。

6.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述S6步骤中化学腐蚀去除背面PSG的具体步骤为:将N型硅片背面朝下漂浮在清洗液上,正面用水膜保护,对N型硅片背面进行链式清洗;所述清洗液采用浓度为0.1-1%的HF溶液。

7.根据权利要求6所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述S6步骤中用碱液去除正面的BSG具体步骤为:将硅片浸没在碱性溶液中,采用槽式碱洗工艺对N型硅片表面的绒面进行前清洗;所述碱性溶液为浓度为0.2-1%的KOH溶液和/或NaOH溶液。

8.根据权利要求7所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述碱性溶液中添加有0.05-1%质量分数的制绒添加剂。

9.根据权利要求8所述的一种提高绒面稳定性的TOPCon电池的制备方法,其特征在于,所述制绒添加剂由以下原料配制而成:

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【技术特征摘要】

1.一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,其特征在于,所述s1步骤具体为:选择n型硅片进行双面清洗制绒,利用酸碱化学品,消除硅片表面的有机沾污和金属杂质,在单晶硅片表面形成金字塔结构。

3.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,其特征在于,所述s2步骤中的硼扩散具体为:以bcl3为硼源,在900-1050℃下扩散1-3h,生成的bsg层厚度为40-80nm。

4.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,其特征在于,所述一次磷扩散和二次磷扩散的磷源均为pocl3。

5.根据权利要求1所述的一种提高绒面稳定性的topcon电池的制备方法,其特征在于,所述s6步骤前还包括采用链式单面酸和碱液去除硅片侧面的psg层和磷扩散层...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈龙
申请(专利权)人:宜宾英发德耀科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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