【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制备技术,具体的说是一种具有新型结构的高亮度发光二 极管晶粒。
技术介绍
发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体 和N型半导体之间有一个过渡层,称为P-N结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数 载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为 光能。PN结施加反向电压时,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原 理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电 压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的 强弱与电流有关。由于半导体材料和空气折射率差异很大,对没有封装的半导体发光晶粒,针对单 面发射平滑表面,由于非常强烈的内表面全反射导致晶粒的外量子效率非常低。如半导体 材料氮化镓的折射率为2.5,空气的折射率为1,其内全反射临界角(从法线方向到界面方 向)为23°,忽略背面和边缘出光,大约只有4%的光可以从晶粒正面射出。晶粒的出光效 率几乎决定了半导体照明晶粒的发光亮度。因此现有技术制造的发光二极管其发光亮度有 待进一步的提高。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术的不足之处,提供一种具有新型结 构的高亮度发光二极管晶粒,能有效提高发光二极管的发光亮度。本技术的目的是通过如下技术措施来实现的高亮度发光二极管晶粒,包括 P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层,其所述P型掺杂层、N型掺杂层 和衬底层的侧面均设有粗化结构。在上述技术方案中,所述高亮度发光二极管晶粒截面呈 ...
【技术保护点】
高亮度发光二极管晶粒,包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层,其特征在于:在P型掺杂层、N型掺杂层和衬底层的侧面均设有粗化结构。
【技术特征摘要】
高亮度发光二极管晶粒,包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层,其特征在于在P型掺杂层、N型掺杂层和...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡泰祥,
申请(专利权)人:元茂光电科技武汉有限公司,
类型:实用新型
国别省市:83[中国|武汉]
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