【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的来说涉及半导体制造。具体而言，本专利技术涉及一种提高光掩模板制作效率的检测方法。
技术介绍
1、在光掩模板的制作过程中，对光掩模板进行图形检测是很重要的一环。图1示出了现有技术中一个光掩模板的制作流程示意图。如图1所示，制作流程包括曝光、烘烤、显影、铬蚀刻、去光阻、清洗、硅化钼蚀刻、清洗、涂布、二次曝光、显影、蚀刻、去光阻、清洗、量测、图型检查以及后续流程。其中制作流程包括两次曝光流程，第一阶段是指在二次曝光前的制作流程，第一阶段包括曝光、烘烤、显影、铬蚀刻、去光阻、清洗、硅化钼蚀刻、清洗，第二阶段包括涂布、二次曝光、显影、蚀刻、去光阻、清洗。所述第一阶段和第二阶段是光掩模板制作的前段制造流程。光掩模板制作的后段制造流程包括关键尺寸量测、注记差/叠对精度量测、缺陷检查、缺陷修补、缺陷光刻模拟、相位差/透过光检查、清洗、贴模等。
2、然而在现有的光掩模板的制作过程中，通常在光掩模板的整个前段制造流程完成后才通过检查基对光掩模板进行图形检查以确定制造过程中光掩模板的图形是否存在致命缺陷或者修补困难的缺陷，因此需要在前段流程结束后才能得知光掩模板是否需要报废，影响光掩模板的制作效率，并且也影响了光掩模板的制作良率。
技术实现思路
1、为至少部分解决现有技术中的上述问题，本专利技术提出一种提高光掩模板制作效率的检测方法，包括：
2、在第一阶段构造第一光掩模板；
3、在第一阶段过程中进行第一图形检查；
4、使用完成第一图形检查的第
5、对所述第二光掩模板进行第二图形检查。
6、在本专利技术一个实施例中规定，在第一阶段构造第一光掩模板包括对基板依次执行下列动作：
7、曝光、烘烤、显影、铬蚀刻、去光阻、第一清洗、硅化钼蚀刻以及第二清洗。
8、在本专利技术一个实施例中规定，在第一阶段过程中进行第一图形检查包括：
9、在所述第一清洗后进行第一图形检查，在第一图形检查后进行所述硅化钼蚀刻以及所述第二清洗。
10、在本专利技术一个实施例中规定，在第二阶段构造第二光掩模板包括对所述第一光掩模板执行下列动作：
11、涂布、曝光、显影、蚀刻、去光阻以及清洗。
12、在本专利技术一个实施例中规定，当第一图形检查检查到所述第一光掩模板存在缺陷时，对所述第一光掩模板进行修补。
13、在本专利技术一个实施例中规定，使用修补后的第一光掩模板，在第二阶段构造第二光掩模板。
14、在本专利技术一个实施例中规定，进行第一图形检查包括：
15、将图形数据转化为数据库图像；
16、将数据库图像导入机台；
17、由所述机台根据所述数据库图像以及第一光掩模板的图像进行模拟运算；
18、由机台将多种缺陷与模拟后的数据库图像进行比对；以及
19、确定缺陷结果。
20、在本专利技术一个实施例中规定，所述缺陷包括黑缺陷，其中当机台检测到粘线边缺陷时，执行下列动作：
21、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于1并且粘线边缺
22、陷的最大尺寸小于3um，直接执行后续工艺动作；
23、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于3并且粘线边缺
24、陷的最大尺寸为3至6um，对光掩模板进行修补；
25、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于5并且粘线边缺
26、陷的最大尺寸为6至20um，对光掩模板进行修补；
27、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量大于等于6并且粘线边缺陷的最大尺寸小于等于30um，尝试对光掩模板进行修补；以及
28、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量大于等于8并且粘线边缺陷的最大尺寸大于30um，将光掩模板报废；和\或
29、当机台检测到iso区缺陷时，执行下列动作：
30、如果iso区缺陷的最大尺寸小于50um，直接执行后续工艺动作；以及
31、如果iso区缺陷的最大尺寸超过100um，将光掩模板报废。
32、在本专利技术一个实施例中规定，所述缺陷包括白缺陷，其中当机台检测到粘线边缺陷时，执行下列动作：
33、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于1并且粘线边缺陷的最大尺寸小于3um，直接执行后续工艺动作；
34、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于3并且粘线边缺陷的最大尺寸为3至6um，对光掩模板进行修补；
35、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量小于等于5并且粘线边缺陷的最大尺寸为6至20um，对光掩模板进行修补；以及
36、如果粘线边缺陷包括的图型线的数量大于等于8并且粘线边缺陷的最大尺寸大于20um，将光掩模板报废；和\或
37、当机台检测到iso区缺陷时，执行下列动作：
38、如果iso区缺陷的最大尺寸小于20um，直接执行后续工艺动作；
39、以及
40、如果iso区缺陷的最大尺寸大于20um，将光掩模板报废。
41、在本专利技术一个实施例中规定，对所述第二光掩模板依次执行下列动作：
42、关键尺寸量测、注记差/叠对精度量测、第二图形检查、缺陷修补、缺陷光刻模拟、相位差/透过光检查、清洗以及贴模。
43、本专利技术至少具有如下有益效果：本专利技术提出一种提高光掩模板制作效率的检测方法，其中提前在前段制造过程中进行图形检查，可以在检查出修补困难的缺陷后，在光掩模板制作第一阶段完成时进行修补动作。通过本专利技术可以提高光掩模板制作一次成功率以提高良率、降低报废率，进而降低成本。
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1.一种提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第一阶段构造第一光掩模板包括对基板依次执行下列动作：
3.根据权利要求2所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第一阶段过程中进行第一图形检查包括：
4.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第二阶段构造第二光掩模板包括对所述第一光掩模板执行下列动作：
5.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，当第一图形检查检查到所述第一光掩模板存在缺陷时，对所述第一光掩模板进行修补。
6.根据权利要求6所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，使用修补后的第一光掩模板，在第二阶段构造第二光掩模板。
7.根据权利要求5所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，进行第一图形检查包括：
8.根据权利要求7所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，所述缺陷包括黑缺陷，其中当机台检测到粘线边缺陷时
9.根据权利要求7所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，所述缺陷包括白缺陷，其中当机台检测到粘线边缺陷时，执行下列动作：
10.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，还包括对所述第二光掩模板依次执行下列动作：
...【技术特征摘要】
1.一种提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第一阶段构造第一光掩模板包括对基板依次执行下列动作：
3.根据权利要求2所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第一阶段过程中进行第一图形检查包括：
4.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，在第二阶段构造第二光掩模板包括对所述第一光掩模板执行下列动作：
5.根据权利要求1所述的提高光掩模板制作效率的检测方法，其特征在于，当第一图形检查检查到所述第一光掩模板存在缺陷时，对所述第一光掩模板进行修补。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴雪云，曾振瑞，吴冬媛，
申请(专利权)人：兴华芯绍兴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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