【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，具体而言是光掩膜板在曝光前检验利用率提升的方法。
技术介绍
1、光掩膜板在曝光前会进行光掩膜板的检验，现有技术下，如果检验光掩膜板符合制定的规格，就可以当作产片进行使用，如果检验光掩膜板不符合制定的规格，比如光掩膜板的检验区出现大于规格的微粒且有刮伤，再比如光掩膜板整板暴增，则当作工程片进行使用。
2、这种方式存在的问题是，出现超出检验规格的光掩膜板就只能当作工程片使用，没有对其进行二次判定，且当工程片数量过多时，工程片堆片严重，得不到消化，容易发生过期的风险，造成浪费。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于对光掩膜板是否可以作为产片使用，进行二次判断，降低对光掩膜板的浪费，提供一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，使光掩膜板在曝光前的检验利用率得到提升。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术实施例提供了以下技术方案：
3、一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，包括以下步骤：
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【技术保护点】
1.一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，缺陷检测主要包括检测微粒、刮伤。
3.根据权利要求2所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，对光掩膜板进行缺陷检测，对于不存在缺陷的光掩膜板作为产片使用，对于存在缺陷的光掩膜板进行二次判断的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，若不符合二次判断的规格，则作为工程片使用，否则进行...
【技术特征摘要】
1.一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，缺陷检测主要包括检测微粒、刮伤。
3.根据权利要求2所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，对光掩膜板进行缺陷检测，对于不存在缺陷的光掩膜板作为产片使用，对于存在缺陷的光掩膜板进行二次判断的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的一种利用基板检验提高光掩膜板良率的方法，其特征在于：所述步骤1中，若不符合二次判断的规格，则作为工程片使用，否则进行步骤2的处理的步骤，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇涵，曾振瑞，李宥陞，李红娇，王肖，
申请(专利权)人：兴华芯绍兴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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