【技术实现步骤摘要】
本技术属于显示，涉及一种微显示屏，特别是一种硅基oled像素光刻结构及微显示屏。
技术介绍
1、目前硅基oled微显示屏彩色化，大多采用白光加彩色滤光膜(color filter，简称cf)的方案，亮度基本都在800cd/㎡以内，而市场越来越多的产品对其亮度要求在1000cd/㎡～20000cd/㎡。现有的oled器件依靠材料和器件优化，提升的亮度有限，并且随着亮度提升，器件的寿命也会受到影响。
2、oled行业已有方案是通过在invar36(镍合金)材质进行刻蚀出rgb子像素孔，它的作用是使发光有机材料沉积穿过掩模并沉积在基板上的所需位置上(小孔越密集，生成的像素点越小，分辨率越高)，是用来解决蒸镀有机材料rgb三基色的像素阵列分布，从而实现精细金属掩模版，即fine metal mask(fmm)。但fmm技术存在物理限制，因蒸镀过程中有机材料释放热量，使fmm和玻璃温度升高，fmm热膨胀后变长，与玻璃之间形成缝隙，会导致rgb混色，因此要给fmm网帽一定的预张力，预张力需求网面需要一定厚度去保证rgb子像素孔不变形，预张力前提是网面厚度不能小于50μ，故rgb子像素的小孔不能无限做小，如果像素尺寸小于57.5*57.5μ、fmm网帽在保证平整度时，子像素开口存在变形问题，在保证下像素开口形状完整时，网面存在变形和产品无良率增加等问题，传统fmm方案只能保证产品像素密度达到500ppi左右，而硅基oled产品需求ppi在2800～8000ppi，则要求是rgb子像素尺寸须达到小于2.5μ*2.5μ，故传统的fmm
3、例如，中国专利文献曾公开了一种高亮度的硅基oled微显示屏【中国专利号：202221470356.8】，本技术提供一种高亮度的硅基oled微显示屏，包括衬底组件，衬底组件的顶面上涂覆微透镜阵列膜层，微透镜阵列膜层的顶面上均匀凹设若干半球凹槽，微透镜阵列膜层的顶面上涂覆填平层，填平层的底侧与半球凹槽相嵌合形成匹配充填，填平层的顶面上设置彩色滤光膜层，彩色滤光膜层的滤光点与半球凹槽一一对应设置，彩色滤光膜层的顶面上涂覆保护层，保护层的底侧嵌入彩色滤光膜层的间隙与填平层相接触，保护层的顶侧与玻璃盖板相密贴。本技术实现单像素阳极对应微透镜阵列，在光通过彩色滤光片失掉67％光量之前把光量聚集，从而实现亮度能够提升38％以上；同时亦不存在对位精度达不到要求而造成良率损失的问题。
4、上述技术方案，采用半球凹槽结构形成像素点，但仍无法避免采用白光加彩色滤光膜的方式，由此亮度仍需要进一步优化提升。
技术实现思路
1、本技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种通过单独导通结构配合特有发光结构，实现独立发光且调高亮度的硅基oled像素光刻结构及微显示屏。
2、本技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种硅基oled像素光刻结构，包括驱动背板，于所述驱动背板的顶面呈间隔设置r像素凹坑、g像素凹坑和b像素凹坑，相邻所述r像素凹坑与所述g像素凹坑/所述g像素凹坑与所述b像素凹坑/所述b像素凹坑与所述r像素凹坑之间凸设像素限定模组，于所述像素限定模组的侧壁上内凹缺口，所述缺口连通所述r像素凹坑/g像素凹坑/b像素凹坑，所述r像素凹坑内设置红色发光模组，所述g像素凹坑内设置绿色发光模组，所述b像素凹坑内设置蓝色发光模组，所述红色发光模组/所述绿色发光模组/所述蓝色发光模组延伸并填充对应所述缺口，所述像素限定模组、所述红色发光模组、所述绿色发光模组及所述蓝色发光模组顶面上覆盖盖板玻璃。
3、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述驱动背板包括wafer基板，所述wafer基板的底面上设置单独导通的r像素底层电路、g像素底层电路或b像素底层电路。
4、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述r像素凹坑、所述g像素凹坑、所述b像素凹坑按次序循环排列设置，所述r像素凹坑对应设于所述r像素底层电路的正上方，所述g像素凹坑对应设于所述g像素底层电路的正上方，所述b像素凹坑对应设于所述b像素底层电路的正上方。
5、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述像素限定模组由下至上依次铺设绝缘膜层、氧化铟锌金属膜层和氧化硅膜层，由所述氧化铟锌金属膜层内凹形成所述缺口，所述绝缘膜层形成底部下倾侧边，所述氧化硅膜层形成顶部下倾侧边。
6、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述氧化铟锌金属膜层的厚度为：所述氧化硅膜层的厚度为：
7、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述r像素凹坑/所述g像素凹坑/所述b像素凹坑呈倒置梯形形状，所述红色发光模组/所述绿色发光模组/所述蓝色发光模组包括倒置梯形主体，所述倒置梯形主体的两侧呈对称凸设溢流部，所述溢流部填充对应的所述缺口。
8、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述红色发光模组由下至上依次包括红光发光层、薄膜封装层一、平坦化层一；所述绿色发光模组由下至上依次包括绿光发光层、薄膜封装层二、平坦化层二；所述蓝色发光模组由下至上依次包括蓝光发光层、薄膜封装层三、平坦化层三。
9、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述红光发光层由下至上包含阳极hil层、htl层、r-eml层、etl层、eil层；所述绿光发光层由下至上包含阳极hil层、htl层、g-eml层、etl层、eil层；所述蓝光发光层由下至上包含阳极hil层、htl层、b-eml层、etl层、eil层；所述hil层的厚度为所述htl层的厚度为所述r-eml层/所述g-eml层/所述g-eml层厚度为所述etl层的厚度为所述eil层厚度为
10、在上述的硅基oled像素光刻结构中，所述平坦化层一/所述平坦化层二/所述平坦化层三为厚度为2～4μ的高折射率透明水胶膜层。
11、一种微显示屏，包括上述的硅基oled像素光刻结构。
12、与现有技术相比，本硅基oled像素光刻结构及微显示屏具有以下有益效果：
13、1、本技术利用像素限定模组侧壁的缺口结构，实现oled有机材料断开，使蒸镀发光结构的阴极与阳极无电阻连接，从而保证oeld阳极、发光结构、阴极连接完整，实现单独通电发光调节效果。
14、2、本技术实现红绿蓝像素独立发光、调节，不仅提升产品的色域、可视角度，更极大提升产品亮度，为硅基oled在vr/ar/xr等产品应用中补齐短板，促进显示领域进一步发展。
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1.一种硅基OLED像素光刻结构，包括驱动背板，其特征在于，于所述驱动背板的顶面呈间隔设置R像素凹坑、G像素凹坑和B像素凹坑，相邻所述R像素凹坑与所述G像素凹坑/所述G像素凹坑与所述B像素凹坑/所述B像素凹坑与所述R像素凹坑之间凸设像素限定模组，于所述像素限定模组的侧壁上内凹缺口，所述缺口连通所述R像素凹坑/G像素凹坑/B像素凹坑，所述R像素凹坑内设置红色发光模组，所述G像素凹坑内设置绿色发光模组，所述B像素凹坑内设置蓝色发光模组，所述红色发光模组/所述绿色发光模组/所述蓝色发光模组延伸并填充对应所述缺口，所述像素限定模组、所述红色发光模组、所述绿色发光模组及所述蓝色发光模组顶面上覆盖盖板玻璃。
2.如权利要求1所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述驱动背板包括Wafer基板，所述Wafer基板的底面上设置单独导通的R像素底层电路、G像素底层电路或B像素底层电路。
3.如权利要求2所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述R像素凹坑、所述G像素凹坑、所述B像素凹坑按次序循环排列设置，所述R像素凹坑对应设于所述R像素底层电路的正上方，所述G像
4.如权利要求1所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述像素限定模组由下至上依次铺设绝缘膜层、氧化铟锌金属膜层和氧化硅膜层，由所述氧化铟锌金属膜层内凹形成所述缺口，所述绝缘膜层形成底部下倾侧边，所述氧化硅膜层形成顶部下倾侧边。
5.如权利要求4所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述氧化铟锌金属膜层的厚度为：所述氧化硅膜层的厚度为：
6.如权利要求4所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述R像素凹坑/所述G像素凹坑/所述B像素凹坑呈倒置梯形形状，所述红色发光模组/所述绿色发光模组/所述蓝色发光模组包括倒置梯形主体，所述倒置梯形主体的两侧呈对称凸设溢流部，所述溢流部填充对应的所述缺口。
7.如权利要求6所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述红色发光模组由下至上依次包括红光发光层、薄膜封装层一、平坦化层一；所述绿色发光模组由下至上依次包括绿光发光层、薄膜封装层二、平坦化层二；所述蓝色发光模组由下至上依次包括蓝光发光层、薄膜封装层三、平坦化层三。
8.如权利要求7所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述红光发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、R-EML层、ETL层、EIL层；所述绿光发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、G-EML层、ETL层、EIL层；所述蓝光发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、B-EML层、ETL层、EIL层；所述HIL层的厚度为所述HTL层的厚度为所述R-EML层/所述G-EML层/所述G-EML层厚度为所述ETL层的厚度为所述EIL层厚度为
9.如权利要求7所述的硅基OLED像素光刻结构，其特征在于，所述平坦化层一/所述平坦化层二/所述平坦化层三为厚度为2～4μ的高折射率透明水胶膜层。
10.一种微显示屏，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的硅基OLED像素光刻结构。
...【技术特征摘要】
1.一种硅基oled像素光刻结构，包括驱动背板，其特征在于，于所述驱动背板的顶面呈间隔设置r像素凹坑、g像素凹坑和b像素凹坑，相邻所述r像素凹坑与所述g像素凹坑/所述g像素凹坑与所述b像素凹坑/所述b像素凹坑与所述r像素凹坑之间凸设像素限定模组，于所述像素限定模组的侧壁上内凹缺口，所述缺口连通所述r像素凹坑/g像素凹坑/b像素凹坑，所述r像素凹坑内设置红色发光模组，所述g像素凹坑内设置绿色发光模组，所述b像素凹坑内设置蓝色发光模组，所述红色发光模组/所述绿色发光模组/所述蓝色发光模组延伸并填充对应所述缺口，所述像素限定模组、所述红色发光模组、所述绿色发光模组及所述蓝色发光模组顶面上覆盖盖板玻璃。
2.如权利要求1所述的硅基oled像素光刻结构，其特征在于，所述驱动背板包括wafer基板，所述wafer基板的底面上设置单独导通的r像素底层电路、g像素底层电路或b像素底层电路。
3.如权利要求2所述的硅基oled像素光刻结构，其特征在于，所述r像素凹坑、所述g像素凹坑、所述b像素凹坑按次序循环排列设置，所述r像素凹坑对应设于所述r像素底层电路的正上方，所述g像素凹坑对应设于所述g像素底层电路的正上方，所述b像素凹坑对应设于所述b像素底层电路的正上方。
4.如权利要求1所述的硅基oled像素光刻结构，其特征在于，所述像素限定模组由下至上依次铺设绝缘膜层、氧化铟锌金属膜层和氧化硅膜层，由所述氧化铟锌金属膜层内凹形成所述缺口，所述绝缘膜层形成底部下倾侧边，所述氧化硅膜层形成顶部下倾侧边。
5.如权利要求4所述的硅基o...
【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，赵亮，孙浩，李牧词，邓荣斌，
申请(专利权)人：广西自贸区睿显科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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