【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示，涉及一种硅基oled，特别是一种硅基oled显示结构及制作方法。
技术介绍
1、在硅基oled半导体制造工序之一的涂胶、光刻、显影、蒸镀、剥离工艺中，通过对晶圆表面旋涂胶，再预设mask图案对膜层进行曝光后，再向晶圆表面膜层喷显影液进行显影，蒸镀膜层再剥离制作出所需的图形。
2、在作为硅基oled半导体涂胶、光刻、显影工艺中，往往是设计图形结构中最重要的工艺，不同需求会存在多次这样的工序，以达到不同膜层图形和厚度需求。
3、然而，由于阳极像素之间间隙是一个无效交接区，在其基础上做有机发光工艺，在点亮白光时就会因为此处间隙会导致光的损失和彩色过滤后颜色交叉出现混色，电流横向偏移出现电压偏移导致功耗提升等问题。
4、例如，中国专利申请号为201611237431.5的专利技术公开一种oled显示装置及其制作方法，所述oled显示装置包括基板、阳极层、像素定义层，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层、间隔柱；位于像素间隔区域上间隔柱之外的区域上的阻隔柱，阻隔柱至少贯穿空穴传输层和空穴注入层；本专利技术提供的oled显示装置中，在相邻的两个颜色不同的发光像素之间的像素间隔区域上制作阻隔柱，阻隔柱靠近像素间隔区域的两个内角中至少有一个大于90°，从而在蒸镀空穴传输层和空穴注入层等有机材料时，能够使得空穴传输层和空穴注入层在阻隔柱的地方断开，进而减小了某个发光像素被点亮时，与相邻发光像素之间的横向漏流，避免其他发光像素偷亮的问题，提高了产品良率。
5、申请
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种硅基oled显示结构及制作方法。
2、本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种硅基oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；所述cmos ic层上呈点阵布设阻挡结构层；所述阻挡结构层包括由下向上叠置的阳极前挡墙层和反光膜层；所述反光膜层包括由下向上叠置的反光层和反光介质层，所述阳极前挡墙层上覆盖所述反光层；
3、所述反光膜层及镂空部分所暴露的cmos ic层上覆盖阳极层，所述阳极层上覆盖有机发光层，所述有机发光层上覆盖阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层上覆盖彩膜层，所述采膜层由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布。
4、一种硅基oled显示结构的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：
5、s1制作cmos ic层：将硅基板清洁干净后，依次采用光刻工艺和蚀刻工艺在硅基板上制作cmos ic层，作为单独控制对应像素阳极空穴传输的开关器；
6、s2制作阻挡结构层：
7、a制作阳极前挡墙层：依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作阳极前挡墙层；
8、b制作反光膜层：依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光层；在反光层上依次经过旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光介质层；反光层涂料中含有镁和银；反光介质层材质选用具有不导电性，且具有反光性的材质；
9、s3制作阳极金属层：依次通过pvd ito工艺和al蒸镀工艺，制作阳极金属层；
10、s4制作有机发光层：通过采用高精度掩膜版对有机材料进行蒸镀，制作机发光层；
11、s5制作阴极层：通过采用高精度掩膜版对有阴极材料进行蒸镀，阴极材料为镁、银和镥的混合物，得到阴极材料层，蒸镀结束后，在阴极材料层上，通过采用三甲基铝和水作为材料，采用原子层沉积技术，制作氧化铝膜层后，完成阴极层制作；
12、s6覆盖彩膜层：
13、r色彩膜像素点制作：在阳极cd位置依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作r色彩膜；
14、b色彩膜像素点制作：在与r色彩膜相邻的阳极cd位置，依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作b色彩膜；
15、g色彩膜像素点制作：在与b色彩膜相邻的阳极cd位置,依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作g色彩膜。
16、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s2的a中，阳极前挡墙层的厚度为1000-2000nm。
17、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s2的b中，反光层的厚度为2000-5000nm；反光介质层的厚度为
18、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s3中，阳极金属层的厚度为
19、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s4中，机发光层的厚度2000-2900nm。
20、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s5中，阴极材料层的厚度为氧化铝膜层的厚度为
21、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s6中，r色彩膜的厚度为700-1500nm；b色彩膜的厚度为700-1500nm；g色彩膜的厚度为700-1500nm。
22、在上述的硅基oled显示结构的制作方法中，在步骤s5中，氧化铝膜层的制备过程如下：
23、1)表面准备阶段：在阴极材料层制作完成后，将硅基板放入反应腔室中进行预处理，确保硅基板表面布满羟基-oh；
24、2)三甲基铝处理：引入三甲基铝蒸汽至反应腔室中；维持三甲基铝蒸汽在表面上的接触时间，以确保足够的表面覆盖率，通过羟基-oh和三甲基铝的反应，移除了表面的氢原子，并用甲基取代，同时在表面形成了含铝的化合物；
25、3)惰性气体吹扫阶段：通过引入惰性气体，吹扫反应腔室内剩余的三甲基铝及副产物，以清洁反应腔室；
26、4)水蒸汽处理：引入水蒸汽至反应腔室，控制水蒸汽在表面的接触时间，水分子的氢原子与表面的甲基反应形成甲烷，而水分子中的氧原子则与铝原子结合形成羟基，以实现氧化铝膜的生长；
27、5)重复循环：循环进行三甲基铝处理、惰性气体吹扫、水蒸汽处理，以逐层构建氧化铝膜，控制循环次数以达到预期的氧化铝膜厚度。
28、与现有技术相比，本硅基oled显示结构及制作方法具有以下有益效果：
29、1、减少剥离工序工艺：通过优化的制造流程，减少了传统硅基oled制造中常见剥离工艺，这种简化不仅提高了生产效率，还减少了材料浪费和潜在的产品缺陷，从而提高了整体制造的经济性和产品的可靠性。
30、2、降低不必要的功耗损失：新型显示结构有效地减少了电流横向偏移和光的损失，从而降低了不必要的功耗。这一点对于提高设备的能效和延长电池寿命尤为重要，特别是在便携式和低功耗设备上。
31、3、提升亮度而功耗不变：通过优化的设计，即使在相同的功耗水平下，也能实现更高的亮度。这一改进本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种硅基OLED显示结构，包括位于底部的CMOS IC层；其特征在于，所述CMOS IC层上呈点阵布设阻挡结构层；所述阻挡结构层包括由下向上叠置的阳极前挡墙层和反光膜层；所述反光膜层包括由下向上叠置的反光层和反光介质层，所述阳极前挡墙层上覆盖所述反光层；
2.一种硅基OLED显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求1所述的硅基OLED显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S2的a中，阳极前挡墙层的厚度为1000-2000nm。
4.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S2的b中，反光层的厚度为2000-5000nm；反光介质层的厚度为
5.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，阳极金属层的厚度为
6.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，机发光层的厚度2000-2900nm。
7.如权利要求2所述的硅基OLE
8.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S6中，R色彩膜的厚度为700-1500nm；B色彩膜的厚度为700-1500nm；G色彩膜的厚度为700-1500nm。
9.如权利要求2所述的硅基OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S5中，氧化铝膜层的制备过程如下：
...【技术特征摘要】
1.一种硅基oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；其特征在于，所述cmos ic层上呈点阵布设阻挡结构层；所述阻挡结构层包括由下向上叠置的阳极前挡墙层和反光膜层；所述反光膜层包括由下向上叠置的反光层和反光介质层，所述阳极前挡墙层上覆盖所述反光层；
2.一种硅基oled显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求1所述的硅基oled显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的硅基oled显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤s2的a中，阳极前挡墙层的厚度为1000-2000nm。
4.如权利要求2所述的硅基oled显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤s2的b中，反光层的厚度为2000-5000nm；反光介质层的厚度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：施国良，邓荣斌，梁昌良，谭旺，钟贵钦，
申请(专利权)人：广西自贸区睿显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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