【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种半导体存储器装置、一种用于制造该半导体存储器装置的方法以及一种包括该半导体存储器装置的电子系统。
技术介绍
1、可以在电子系统中使用能够在其中存储高容量的数据的半导体存储器装置，并且正在研究用于增加半导体存储器装置的数据存储容量的方案。
技术实现思路
1、实施例涉及一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构。所述单元结构可以包括：单元基底，包括面对外围电路结构的第一面和与第一面相对的第二面；第一模制堆叠件，包括顺序堆叠在第一面上的多个第一栅电极；沟道孔，延伸穿过所述多个第一栅电极；以及沟道结构，包括顺序地堆叠在沟道孔中的栅极介电膜、半导体膜和可变电阻膜。半导体膜可以包括：侧壁部分，与第一面和所述多个第一栅电极相交；以及顶板部分，以平行于第一面的方式在单元基底中从侧壁部分延伸。半导体膜的侧壁部分可以线性地延伸穿过单元基底和第一模制堆叠件。半导体膜的顶板部分可以通过栅极介电膜暴露并且连接到单元基底。
2、实施例也涉及一种半导体存储器装置。所述半导体装置可以包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构。所述单元结构可以包括：单元基底，包括面对外围电路结构的第一面和与第一面相对的第二面；多个栅电极，顺序地堆叠在第一面上；半导体膜，与所述多个栅电极相交并连接到单元基底；栅极介电膜，沿着半导体膜的外侧表面延伸并置于半导体膜与所述多个栅电极之间；以及可变电阻膜，沿着半导体膜的内侧表面延伸。栅极介电膜可以不沿着半导体
3、实施例也涉及一种用于制造半导体存储器装置的方法。所述用于制造半导体存储器装置的方法可以包括以下步骤：形成模制结构，模制结构包括顺序堆叠在基体基底上的多个栅电极；形成与所述多个栅电极相交并且连接到基体基底的沟道结构，沟道结构包括顺序堆叠的栅极介电膜、半导体膜和可变电阻膜；去除基体基底的至少一部分以暴露栅极介电膜的一端；去除栅极介电膜的被暴露的一端以暴露半导体膜的一端；以及形成与半导体膜的被暴露的一端连接的单元基底。
4、实施例也涉及一种电子系统。所述电子系统可以包括：主基底；半导体存储器装置，在主基底上，半导体存储器装置包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构；以及控制器，在主基底上，控制器电连接到半导体存储器装置。单元结构可以包括：单元基底，包括面对外围电路结构的第一面和与第一面相对的第二面，单元基底电连接到控制器；多个栅电极，顺序堆叠在第一面上；半导体膜，与所述多个栅电极相交并连接到单元基底；栅极介电膜，沿着半导体膜的外侧表面延伸并且在半导体膜与所述多个栅电极之间；以及可变电阻膜，沿着半导体膜的内侧表面延伸。栅极介电膜可以不沿着半导体膜的平行于第一面的表面延伸。
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极介电膜、所述半导体膜和所述可变电阻膜中的每个沿着所述沟道孔的轮廓保形地延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元基底包括掺杂有N型杂质的多晶硅。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述可变电阻膜包括过渡金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括在所述可变电阻膜上填充所述沟道孔的填充绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：输入/输出布线结构，在所述第二面上并电连接到所述单元基底。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元结构还包括沿着所述第二面延伸的导电板。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道孔在所述第一模制堆叠件和所述第二模制堆叠件之间具有台阶。
10.一种半导体存储
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极介电膜的最顶表面与所述第一面共面。
12.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极介电膜的最顶表面的竖直水平高于所述第一面的竖直水平。
13.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极介电膜的最顶表面的竖直水平低于所述第一面的竖直水平。
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述单元基底包括从所述第一面朝向所述栅极介电膜突出的突起。
15.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述填充绝缘膜延伸穿过所述可变电阻膜。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述填充绝缘膜的最顶表面位于所述单元基底内。
18.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述单元结构包括：
19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路结构包括：
20.一种电子系统，所述电子系统包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极介电膜、所述半导体膜和所述可变电阻膜中的每个沿着所述沟道孔的轮廓保形地延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元基底包括掺杂有n型杂质的多晶硅。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述可变电阻膜包括过渡金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括在所述可变电阻膜上填充所述沟道孔的填充绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：输入/输出布线结构，在所述第二面上并电连接到所述单元基底。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元结构还包括沿着所述第二面延伸的导电板。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道孔在所述第一模制堆叠件和所述第二模制堆叠件之间具有台阶。
10.一种半导体存储器装置，所述半...
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