【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池的领域，尤其是涉及一种topcon电池的制备方法及topcon电池。
技术介绍
1、随着太阳能电池技术的不断发展，载流子选择性钝化接触成为提高太阳能电池效率的重要途径之一，是topcon电池的核心工艺，采用隧穿氧化层和掺杂多晶硅的方式对电池进行良好的钝化。
2、相关技术中，由于掺杂多晶硅具有强烈的吸光效应，因此目前量产的topcon电池均为背面钝化接触电池。
3、然而，现有topcon电池只进行单面(背面)钝化接触，导致上表面金属电极与硅基底仍然会有直接接触，产生大量载流子复合，从而限制了topcon电池效率的进一步提升。
技术实现思路
1、本申请提供一种topcon电池的制备方法及topcon电池，以解决或者至少部分上缓解相关技术中的正面复合较大，导致电池效率降低的问题。
2、本申请的第一方面，提供一种topcon电池，采用如下的技术方案：
3、一种topcon电池，包括：
4、s1：在硅片表面制绒；
...【技术保护点】
1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：S4和S5之间还包括S41步骤：对S4后硅片正面的非金属区多晶硅进行清洗，并清洗硅片背面的氧化层，进行背面刻蚀。
3.如权利要求1所述的一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：在S5后还包括步骤：
4.如权利要求1所述的一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：所述正面隧穿氧化层的厚度为1-3nm，所述掺硼非晶硅层的厚度为30-300nm。
5.如权利要求1所述的一种TOPCon电池的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种topcon电池的制备方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的一种topcon电池的制备方法，其特征在于：s4和s5之间还包括s41步骤：对s4后硅片正面的非金属区多晶硅进行清洗，并清洗硅片背面的氧化层，进行背面刻蚀。
3.如权利要求1所述的一种topcon电池的制备方法，其特征在于：在s5后还包括步骤：
4.如权利要求1所述的一种topcon电池的制备方法，其特征在于：所述正面隧穿氧化层的厚度为1-3nm，所述掺硼非晶硅层的厚度为30-300nm。
5.如权利要求1所述的一种topcon电池的制备方法，其特征在于：所述背面隧穿氧化层的厚度为1-3nm，所述掺磷非晶硅层的厚度为30-200nm。
6.如权利要求3所述的一种topcon电池的制备方法，其特征在于：所述正面钝化...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯益萍，胡俊华，陈鹏辉，杜东方，石辰龙，苏旭，
申请(专利权)人：东方日升安徽新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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