【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备,特别是涉及一种加料时机检测方法、一种加料时机检测装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主,利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、其中,当多晶硅原料融化完成后,还不能马上开始引晶,因为这时的温度要高于引晶温度,还必须经过降温,将温度调整到引晶的温度。引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触,在引晶温度下,硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长,从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径,在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长,直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体,以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后,进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤,在该步骤中,通过对拉速和温度的自动控制,让晶体将按照设定的直径等径生
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【技术保护点】
1.一种加料时机检测方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在直拉单晶的加料阶段的首次加料之后,获取直拉单晶设备的热屏的下端开口的目标图像,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述去除所述拍摄图像中所述热屏的区域图像,得到所述目标图像,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述二值化图像中的熔料区域,按照预设切割方式切割所述拍摄图像,得到所述目标图像,包括:
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述将所述目标图像输入加料时机检测模型之前,所述方法还
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【技术特征摘要】
1.一种加料时机检测方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在直拉单晶的加料阶段的首次加料之后,获取直拉单晶设备的热屏的下端开口的目标图像,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述去除所述拍摄图像中所述热屏的区域图像,得到所述目标图像,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述二值化图像中的熔料区域,按照预设切割方式切割所述拍摄图像,得到所述目标图像,包括:
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述将所述目标图像输入加料时机检测模型之前,所述方法还包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述加料时机检测模型包括第一卷积层,第一池化层,第二卷积层,第二池化层和全连接层,所述第一卷积层和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭力,张伟建,王正远,李广砥,杨正华,
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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